Archive - 六月 11, 2007

经济日报  2007.06.10   编译:林聪毅

消息人士说，世界最大个人计算机制造商惠普公司计划跟随戴尔与Sony的脚步，在第四季推出以闪存芯片储存数据的笔记型计算机，每台售价约3,000美元，以企业顾客为目标。

惠普的决定可望加速笔记型计算机制造商以闪存取代传统硬盘机的趋势。采用闪存可加快计算机执行速度，使计算机积体更轻盈，且更省电。这种转变有利三星电子、东芝等闪存芯片制造商，但不利于硬盘机制造业者。

闪存芯片是携带式音乐播放机最常见的储存装置，也较适用微软Vista新窗口操作系统，因为Vista从储存档案读取的信息比旧版窗口更多，因而更耗电。

消息人士说，惠普将推出的这款笔记型计算机使用NAND闪存，可以储存32GB（千兆位组）的数据。比起惠普在网站上销售配备60GB硬盘机的笔记型计算机每台售价1,399美元，配备闪存的机型价格为两倍多。惠普驻新加坡某发言人不愿证实惠普将推出快闪笔记型计算机。

三星电子公司的网站指出，闪存芯片读取数据的速度比硬盘机快300倍，防震性较好，而且省电70%。戴尔公司在4月24日发布的新闻稿说，闪存芯片可使计算机的启动过程加快三分之一。

闪存也比硬盘机轻，使电子产品制造商可以制造更轻的产品。2005年苹果公司的音乐播放机iPod Nano改采闪存，体积与重量都减少80%。

虽然闪存价格比传统硬盘机贵，但三星等闪存芯片制造商近来大幅降价，已缩小两者的差距。市场研究业者指出，2010年前，NAND闪存价格每年平均将跌47%。到2009年，闪存与硬盘机的价格差距，可望由2003年的100倍缩小至14倍。

PConline   2007-06-11  作者：Leonard

　　据悉中国晶圆代工厂商中芯国际在武汉兴建的新的8英寸晶圆代工厂在试运营期间已达到很高的产能，而另一座位于武汉的12英寸晶圆厂也完成了其一期工程。

　　中芯国际在武汉新设的分公司为新芯半导体公司，厂房的屋顶部分已经完工，最快该公司会在明年第一季度推出产品。

　　中芯国际另一座新厂成芯半导体公司位于成都，为12英寸晶圆厂，在试运行期间产能达到89.5%，将于八月份推出采用0.35微米加工工艺生产的产品，到今年年底，成芯的月生产能力将达到13000片晶圆。

　　尽管新芯要等到明年第一季度才能生产出产品，但是新芯现在已经拿到了价值10亿元人民币的大额订单，这其中包括日立和西门子的订单。

　　中芯国际说新芯将会加工生产普通的DRAM产品，其主要客户为尔比达公司。加上位于北京的12英寸晶圆厂，中芯国际就拥有了两个12英寸的晶圆厂，进一步确保了公司的产能。

　　现在中国有三家公司在生产12英寸晶圆，它们是中芯国际，海力士和STMicroelectronics，已形成三足鼎立之势。

【eNet硅谷动力消息】据国外媒体报道，中国台湾第二大DRAM芯片生产商南亚科技于当地时间本周五表示，由于芯片价格大幅下滑，该公司今年第二季度预计将出现亏损，同时芯片行业的低迷时期也将很快结束。

　　南亚科技全球行销副总裁Pai Pei-lin日前在2007台北国际电脑展上接受路透社采访时表示，自今年年初以来，DRAM芯片价格下滑幅度高达60%，受此影响，该公司今年第二季度盈利的可能性非常小。

　　由于部分PC生产商对于微软新版Windows Vista操作系统的推动作用过于乐观，PC内存市场供过于求并产品大量积压，但南亚科技这位副总裁指出，从今年第三季度开始内存行业将有所好转。他说，“我们的业务将从第三季度开始复苏，这主要是因为从6月份开始我们许多客户的需求量将有所增加。”

　　此前，由于DRAM芯片价格大幅上涨，南亚科技去年第四季度利润创历史新高。尽管如此，自去年年底以来，南亚科技与包括三星电子、现代半导体以及力晶半导体在内的竞争对手受到芯片价格大幅下滑带来的不利影响。

　　南亚科技副总裁表示，芯片价格已经在5月份或者将在6月份触底反弹。据了解，南亚科技当天展示了该公司ELIXIR品牌的DDR2和DDR3内存产品。为了满足音频和视频多媒体应用的较快计算处理速度要求，到2010年速度更快功耗更低的DDR3内存在DRAM芯片总销量当中所占的比例预计将达到50%。

　　尽管南亚科技当天并未给出具体业绩预期数据，根据路透社财经此前进行的调查显示，分析师普遍认为南亚科技第二季度能否实现盈利取决于该公司与奇梦达组建的芯片合资公司。

来源：巨亨网 记者叶文义／台北‧

NAND Flash需求成长快速，集邦科技分析师指出，在宽带、高画质视讯与3D影像内容方面的应用将进一步拉抬NAND Flash的位需求，预估2006年至2010年之间NAND Flash可达到125%的年复合成长率，整体NANDFlash 在2007下半年价格将会持稳。

在此次台北国际计算机展中，ONFI联盟(Open NANDFlash Interface)主席、同时也是半导体大厂英特尔(Intel) 代表 Amber Huffman亦在集邦科技举办的研讨会上透露最新版本ONFI 2.0规格确定，直接将NANDFlash 定义成标准的模块化，未来对整个NAND Flash产业造成更深远的影响，而ONFI 2.0规格预计在2007年下半年完成。

威刚副总经理陈明达也指出，在 Vista接口下为提升PC作业平台的整体运作效能，开发出3种新技术：SuperFetch，ReadyDrive和ReadyBoost。其中，ReadyDrive和ReadyBoost两种新技术分别需应用到内建NAND Flash芯片的Hybrid Hard Drive和USB FlashDrive两种装置。除了前述两种产品外，INTEL的TurboMemory模块和NAND Flash业者开发出来的Solid StateDrive(SSD)亦是支持这两种新技术的装置。 Vista的出现，使得NAND Flash正式由Consumer跨入Computer市场，后面所引发的商机值得期待。

SanDisk产品营销总监Doreet Oren也指出，在2010年SSD在笔记型计算机市场的渗透率将达到20%，估计约消耗掉11%的全球NAND Flash产出。SanDisk表示，其32Gb磁盘将会迅速地导入Vista操作系统。SanDisk此次也发表64GB容量的SSD产品。

来源：DigiTimes

        近3个月来DRAM价格下滑75%，使得晶圆厂成本压力大增，继日系厂尔必达(Elpida)率先提高销售至现货市场的有效测试颗粒(eTT)比重，随着晶圆厂价格压力有增无减，近期台系DRAM晶圆厂亦跟进提高eTT比重，象是茂德、力晶等以现货市场为主的晶圆厂原本eTT比重就高，但仍不敌成本压力大增，自5月下旬到6月纷再度拉高eTT比重，进一步减少测试需求，造成后段测试专业厂叫苦连天。

全球DRAM市况疲软，使得后段测试业者先后下修第2季营收成长率，继联测之后，泰林科技因台系客户比重较高，近期测试需求大幅减少，致使5月营收未能如预期创历史新高，甚至估计6月业绩恐将再比5月走滑，第2季营收成长率自原先估计7~10%向下调整为5%，单季毛利率40%目标亦十分具挑战性。至于联测原估计第2季至少具有5%成长率，惟5月底已下修为2~3%。

 至于力成和华东目前均估计第2季营收与上一季持平，力成在富爸爸金士顿(Kingston)奥援下，5月营收新台币18.5亿元创历史次高纪录，预估6月持续向上成长到19亿元，第2季将比上一季小幅成长，影响相对不明显；然针对华东第2季表现，法人认为，营收持平机率恐怕不高，恐将出现衰退局面。

 泰林总经理卓连发日前便坦言，DRAM市况急剧变化是当初所始料未及，景气持续疲软，未能如业界预期在6月触底反弹，进而使得测试需求益趋减少，同时让泰林5月营收创单月历史新高的期望破碎，依照目前市况看来，6月业绩恐将再下滑。

 随着联测、泰林等存储器测试厂相继下修第2季营收预估，由于市况仍疲软，几家测试厂商亦皆暂停产能扩充计画。其中，泰林全年资本支出原为新台币15亿~20亿元，上半年资本支出已动用7亿~8亿元，主要用于增加2台5593与2台5588测试机台，剩余资本支出预算将视未来DRAM市况决定是否动用，现阶段初步决定下半年暂无产能扩充计画；力成第2季原预计要买进16台5593测试机台，后来只买进6台，其余10台将延至第3季。

 值得注意的是，第3季市况能见度不高，业界已陆续传出晶圆厂要求后段测试厂调降第3季测试价格，幅度约为5%，惟目前几家存储器测试厂均表示仍在协调中，并不愿说明可能降幅。

来源：赛迪网

   【赛迪网讯】6月10日消息，内存交易网站DRAMeXchange预计今年第三季度DRAM内存将继续供过于求。DRAM内存厂商对此做出了反应并且评论说，整个市场前景在很大程度上取决于市场龙头三星电子如何动作。

    据我国台湾地区媒体报道，虽然预计DRAM内存合同报价在6月份将触底，但是，DRAMeXchange认为，DRAM内存供过于求的局面在今年第三季度仍将继续，只有到今年第四季度才能达到平衡。因此，这家内存交易公司指出，三星电子和海力士半导体今年7月份将会把DDR2内存产量较少15%。让渠道和计算机OEM厂商那里的存货水平下降到2至3周的水平。这就意味着DDR2内存价格可能会反弹。

    从长远看，DRAMeXchange预测，由于正在向70奈米生产工艺过渡的DRAM内存芯片厂商要提高成本品率还需要一些时间并且芯片厂商对于其生产能力将更加谨慎，2008年至2010年内存市场将更健康一些。

    针对DRAMeXchange的预测，一些DRAM内存芯片厂商发表评论说，他们普遍认为三星电子目前手中积压的内存芯片要比其它竞争对手的积压产品多。如果三星电子决定倾销积压的内存芯片，DRAM内存厂商将很难获得相应的利润。 

来源：电子工程专辑

       随着对2007年及以后预测持怀疑态度的人的增多，持续强劲的电子终端设备市场需求和半导体组件供应商越来越疲软的销量之间的关系日益脱离，正在给这一产业的规划和运作造成潜在的问题。

 这是这一产业面临且未能成功解决的一个问题。自2006年中期开始的库存，使得今年第一季度许多主要IC供应商出现了销售收入的连续负增长。目前，其它的问题似乎也潜伏在数十亿美元成堆积压的半导体器件上。

日趋下降的平均售价，DRAM市场愈加疲软，微软公司在该市场中新近推出的Vista操作系统并没有刺激起对PC的需求，而在微处理器市场中艰难的价格竞争，迫使研究人员调低他们对今年的半导体销售额的预测。

作为研究群体一员的Gartner公司表示，芯片供应商近期调低了他们的年度销售预测，与早期预测的6.4%的增长率相比，把2007年比2006年的半导体销售增长预测降低到了2.5%。

 Gartner的研究副总裁Richard Gordon表示，“尽管在重要的电子系统市场中有持续的单位增长，但是，很有可能因为半导体市场状况持续的供大于求，器件(平均售价)下降压力将在2007年持续存在。”

相同的统计数据也表明，终端设备需求的持续走强，销售额是否会中期见顶，这也为未来的不确定性埋下了种子。德州仪器的总裁兼首席执行官Richard Templeton指出，他认为如果位于达拉斯的芯片制造厂的销售额比前一季度下降8%且比2006年同一季度相比下降4%，该行业将能成功地削减在第一季度的过量库存。

    在确认了终端客户的需求已经处于“适度稳定”状态之后，Templeton在纽约的年度Cowen Small和Mid-Cap Technology Conference的一次演讲时说，IT预计在第二季度将恢复连续的增长。

Templeton表示，“我们注意到，从去年6或7月开始，半导体行业经历了4或5个令人满意的强势增长季度，并且我们注意到这一行业如往常一样在超前发展，我们花了一两个季度来清除库存，经过这样一个过程，终端需求实际上已处在合理稳定情况下，因而我们说第二季度将开始恢复连续的增长。”

对于今年剩下的季度，Templeton补充告诫，“这不是要声明下半年将会怎样或者看起来增长会多么强劲，这只是声明我们已经完成了一两个季度的库存清理工作，当你对半导体的发展进程予以考虑时，这并非是一个反常的模式。”

那么半导体市场全年将如何表现呢？尽管有来自其它行业玩家的综述，尤其是合同电子制造商，他们认为OEM的订单不会有显著的下降，预测机构并没有对强劲增长的表现下赌注。这种看法—如果正确的话—可能意味着半导体产品在传统上强势的下半年会有强劲的反弹，并推动这一行业在2007年以较大的一位数增长。

这并非是包括Gartner和世界半导体贸易统计协会(World Semiconductor Trade Statistics, WSTS)等预测机构的预测，就在近期，WSTS大调低其预测，并称，与此前它所做的8.9%的预测相比较，它预计半导体出货量在2007年仅增长2.3%，达到2,535亿美元。行业协会认为，当销售额增加10.2%，达到2,792 亿美元时，在2008年会出现强劲的恢复性增长。Gartner预测，2008年销售额将会有8.7%的适度增加。

半导体供应商的资本投资和其它运营开支计划应当以哪一种预测为基础呢？对以前的预测进行大量修正之后，或许哪一家的预测都不可以采用。

 来源：国际电子商情

     “过去2-3年非接触智能卡的增长率一直维持在5-10%左右，且主要应用是基于memory的非接触智能卡，并不是基于CPU的智能卡。但从去年下半年开始，该市场的增长明显加快，主要推动因素来自于两个市场：一个是电子护照，另一个是基于万事达的paypass和VISA的Visa wave等银行卡。”意法半导体大中国区智能卡事业部销售总监陈德勇对《国际电子商情》记者说道。他对非接触智能卡的市场前景非常看好，预计今年该市场的增长率可能会达到20%-30%，因此正加大在该市场的投入。

        同意法一样，看好该市场的还有Atmel、英飞凌、瑞萨，当然还有目前在非接触卡市场占领较大优势的恩智浦半导体（NXP）。“据专家估计，去年大约27个国家的电子护照的出货量是1600万件。我们预测，今年半导体行业的出货量有望达到去年的两倍还要多。”Atmel技术销售总监张耀强说道。除电子护照外，全球范围也开始进入从接触式到非接触式EMV卡迁移的过程中，据Eurosmart预测，2007年非接触式金融市场将达到4000万件。因此，这些主要的智能卡IC厂商一方面抓紧进入电子护照这一标志性的项目，同时也在抢攻银行卡、各种行车执照、以及公民身份证、居住证等等一系列具更大潜在市场的非接触CPU卡。

 非接触智能卡市场的起飞与电子护照的成功运营不无关系。陈德勇解释道，虽然去年电子护照的绝对出货量并不大，但是电子护照的成功运行，正在解除人们对于非接触智能卡在安全性方面的担忧，因为电子护照对非接触智能卡产业的挑战极高，它是对安全、工艺、制造以及业界协作的全方位能力的考验，所以电子护照的成功运营，也带动了非接触智能卡在银行和金融行业的启动。

 比如意法半导体近期与OTI合作，在推进银行系统使用非接触智能卡方面又向前进了一步。他们同共推出了首个获得万事达和Visa全套认证的单片支持万事达和Visa的非接触CPU卡方案。有了这个新产品，卡制造商可以开发一个单卡同时支持万事达卡和Visa卡两种支付方案，一旦接到客户的订单后，卡制造商可以把卡设置成支持万事达卡或Visa卡中任何一个方案。这将有利于卡制造商优化库存管理、缩短产品上市时间。

       “电子护照的成功运营，加上EMV标准的成熟，共同推动了银行系统对非接触智能卡的采用。”陈德勇说道。在这方面，东南亚国家甚至走在了欧美的前面。马来西亚、泰国、韩国都已大规模采用。比如马来西亚银行业，从2004年开始导入智能CPU卡，在政府的扶持下和EMV标准的推动下，现在已有近80%的终端系统是基于CPU的智能卡，其中已有近半是非接触CPU卡。

 不过，虽然非接触CPU卡已进入银行金融系统，但是在这些市场上，目前非接触智能卡还是多用于一些小额支付应用，比如加油站、小型超市等，而对于大额支付更多采用接触智能卡。“人们对非接触智能卡的安全性还是有些怀疑，虽然已有了很大的改进。”陈德勇分析道。另一个非接触智能卡用于这些小额市场的原因是，这些市场需要用到非接触智能卡的快速读取优势，而当遇到大额支付时，人们对于安全的考虑已超过对速度的要求。

 回到中国市场。2008奥运会和世博会将极大地推动非接触智能卡在中国市场的起飞，同时还会推动全球非接触智能卡市场的增长。据悉，目前一些奥运会的城市已开始计划将银行终端机向接触智能卡/非接触智能卡终端机转换的工作。“这些终端机都会有一个非接触智能卡可选功能。”陈德勇表示。

【日经BP社报道】 韩国三星电子一直以来不为半导体行情波动所左右，采取了持续投资战略。通过占绝对优势的生产能力夺取市场份额，掌握了价格主动权。在此基础上，凭借成本竞争力和营销能力，在竞争中处于优势地位。而作为反面教材的日本厂商在20世纪90年代中期，由于停止投资，丧失了市场份额和成本竞争力，最终只得退出DRAM业务。三星通过这一战略，取得了DRAM和NAND型闪存业绩首位、在半导体企业中销售额仅次于美国英特尔位居第2的好成绩。不过，给三星带来极大成功的这一战略，自2006年秋起，好像开始无法正常运转了。

增产的存储器导致供给过剩

　　持续投资的三星凭借其生产能力战胜了其他公司（图）。并且，即使是同一条生产线，也可视市场状况而用于生产DRAM或NAND型闪存，可以通过增产利润率更高的产品来提高利润。截至目前该策略都非常奏效，但持续投资至今的三星，其生产能力过大反而带来了悬念。换句话说，该公司花了大力气投资生产线的存储器将处于供给过剩、价格暴跌的状态。

　　事实上，从06年11月到07年2月，NAND型闪存的价格就出现暴跌。这是由于在美国苹果公司便携音乐播放器“iPod”减产、NAND型闪存需求出现减少时，三星仍在大量生产NAND型闪存所导致的。并且，当07年2月该公司把生产由NAND型闪存转向DRAM，结果DRAM价格又开始暴跌。

　　此前市场也曾出现过供给过剩的状况，当时三星视市场状况抢先采取措施，将生产转向供给不足的产品，把损失降到了最低限度。但由于现在三星的生产能力太大，所以只要三星对市场需求的分析稍有失误，就有可能导致供给过剩。市场已经不容许判断失误。而且这样做不只是导致了在大力开展的领域利润率降低，还因为DRAM和NAND型闪存之间的生产转换导致生产效率的降低，这如同一击重拳使得业绩恶化。另一方面，竞争对手也在三星开展非主力业务的时候，得以喘息。

三星的另一问题

　　三星还存在另一问题。那就是，200mm晶圆生产线过多（图）。由于半导体开发技术日新月异地进步，所以生产线很快就会过时。在20世纪90年代后期，三星凭借占绝对优势的投资夺得了市场份额。当时投建的200mm晶圆生产线目前仍在使用中。与300mm晶圆生产线相比，200mm晶圆生产线效率低，导致存储器成本较高。三星由于200mm晶圆的比率较高，所以在成本竞争中非常不利。

　　常胜将军三星将如何度过这一难关？虽然看不到以往抢占市场的身影，但与20世纪90年代的日本厂商不同，三星管理层的决策是迅速的。该公司的动向值得关注。（记者：菊池 珠夫）