Archive - 六月 1, 2007

DRAM现货价创9个月最大涨幅 三星、海力士等走高

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中央社    2007.06.01


根据彭博社报导,全球计算机内存芯片制造大厂南韩三星电子(KR-005930)与海力士 (KR-000660)股价,在市场传闻需求复苏与制造商减产削减库存,带动动态随机存取内存 (DRAM)现货价创近9个月来最大涨幅激励下,走高。三星电子盘初一度劲扬4.49%,台北时间上午1140,涨升20000韩元,或3.74%,报555000韩元,改写411以来最大涨幅。海力士则一度大涨7.13%,台北时间1142,上涨1700韩元,或5.91%,报30450韩元。市调研究公司iSuppli Corp.表示,DRAM制造商可望在个人计算机制造商需求带动下,自6月起获利反弹后,主流DRAM价格连续3个交易日攀升。大宇证券ChungChang Won表示,芯片制造商可能也将部份产能转移至闪存。Chung指出,DRAM制造商似乎已经减产,因为他们终于了解到无法一直以目前的价格出售产品。他将三星电子与海力士投资评等列为「买进」。根据集邦科技,DRAM价格继年初迄今大跌71%后,昨天大涨5.6%,创去年98日以来最大涨幅。首尔CJ Investment & Securities Co.分析师SongMyung Sup指出,芯片价格已触底,因为制造商已不再以特定价格以下的价格出货。iSuppli 529表示,DRAM制造商获利可能在6月底或7月初复苏,因为个人计算机制造商开始建立库存。三星电子计划削减今年半导体投资支出17%,至4.82兆韩元 (52亿美元)。日本尔必达 (JP-6665)股价一度劲扬5.01%,股价最新报涨210日圆,或4.21%,报5200日圆。

DRAM芯片价格回暖反弹 三星现代股价大幅上涨

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eNet硅谷动力  2007年06月01  宋子远


据国外媒体报道,由于业内分析人士普遍认为DRAM芯片现货价格已经触底并开始回暖反弹,本周五韩国芯片厂商股价均出现较大幅度上涨。


  此前,由于业内分析人士普遍担心DRAM芯片价格大幅下滑势必影响生产商第二季度业绩,今年5月份,芯片厂商股价大幅下跌。尽管如此,由于美国芯片厂商股价上涨,同时由于美国PC巨头戴尔第一季度业绩超过分析师预期,韩国芯片厂商股价应声上涨。


  作为全球最大的DRAM芯片生产商,周五三星电子股价涨至55.4万韩元,涨幅达到3.36%;与此同时,全球第二大DRAM芯片生产商现代半导体股价涨至3.04万韩元,涨幅达到5.74%。此前,由于市场供过于求,再加上季节性疲软等不利因素影响,DRAM芯片市场价格大幅下滑,自今年年初以来部分主要芯片价格下滑幅度已经超过70%


  今年5月中旬,现代半导体高管在接受路透社采访时曾预测DRAM芯片市场将在今年7月或者8月份出现好转。韩国证券投资公司CJ Investment & Securities分析师Song Myung-sup表示,今年522日,512MB DDR2芯片价格达到触底价1.68美元,并维持了一段时间,最近价格才有所上涨,这主要是由于DRAM芯片厂商在增加库存的同时削减了部分产能,同时多数厂商也对DRAM芯片市场好转持观望态度。


  Landmark Investment Management资金管理人Kim Hyun-tae表示,“我们需要更多时间来确认我们是否将看到DRAM芯片价格反弹,但这种情况的确很有可能发生。目前DRAM芯片非常廉价,因此价格很有可能已经触底。”分析人士认为现代第二和第三季度业绩将在很大程度上受到DRAM芯片价格大幅下滑因素影响,Song Myung-sup预测现代第二季度营业亏损预计将达到1800亿韩元,同时第三季度盈利也将十分有限。


 

台积电今召开技术研讨会 45奈米预计Q3量产

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巨亨网    2007.06.01    记者叶文义


台积电 (2330-TW下单)今日召开技术研讨会,台积电研究暨发展副总经理孙元成表示,45奈米制程技术是台积电今年发展主力,预计第3季正式投入量产。


孙元成表示,台积电45奈米制程技术第3季可望顺利投入量产,明年5月前开发出完整的45奈米系统整合解决方案,需时2-3季。


孙元成表示,目前台积电全力冲刺32奈米制程技术开发,预计2009年可正式推出,此外,台积电以经投入更先进的22奈米制程技术研发。


 

Gartner调低07年晶圆代工市场的预测

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国际电子商情  2007年06月01 


据市场调研公司Gartner2007年全球晶圆代工厂商的销售收入将增长5.1%Gartner是在一季度芯片制造业不景气情况下调低的预期。


由于价格压力和库存过剩,第一季度芯片销售额比去年第四季度下降了12.5%。这促使Gartner把它的2007年预测下调至6.4%,预测2008年增长8.2%


Gartner表示,至于晶圆代工产业,第一季度先进工艺节点受到的打击最大,多数300毫米工厂的产能利用率在1月下滑至略高于60%的水平。


第一季度晶圆代工产业的营业额为47亿美元,低于2006年第四季度的54亿美元。晶圆出货量下降3.8%,平均销售价格下跌9%


Gartner预测,晶圆代工收入将逐季增长,从2007年第二季度开始需求会全面反弹。


“我们估计晶圆代工市场第二季度比第一季度增长11.9%,主要是因为厂商补充库存和价格环境改善。与PC领域相比,通讯领域,在一定程度上还有消费领域,在复苏的初期阶段显示出了更强的力道和韧性。”Kay-Yang TanGartner的报告中表示。


预计第二季度晶圆出货量增长9.1%,以200毫米晶圆计算达到600万个,晶圆代工业的产能利用率将上升到84.4%

海力士一季度表现骄人 DRAM市场出货量排名首次跃居第一

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国际电子商情  2007年06月01 


海力士半导体第一季度在DRAM市场取得惊人业绩,三星面临失去DRAM市场桂冠的危险。


2007年一季度韩国海力士半导体DRAM销售额为22亿美元,比2006年第四季度增长4.1%。相比之下,第一季度总体DRAM市场销售额下降近10%,其它主要厂商的销售额纷纷下滑。海力士的市场份额因此从去年第四季度的19.2%上升至22.2%,逼近市场龙头三星。


三星第一季度DRAM销售额为25亿美元,比去年第四季度下降15.9%。这导致它的市场份额从去年第四季度的28%下跌至26.1%


市场调研公司iSuppli的董事兼首席分析师Nam Hyung Kim表示:“海力士第一季度直线窜升。该公司的骄人表现归功于其80纳米工艺产量高于预期,以及把产能从NAND转向DRAM。同时,三星销售额下降,是因为第一季度它的产能增长有限。”


海力士第一季度DRAM出货量亦实现增长,超过三星,出货量排名首次跃居第一。它的出货量大增45%,比三星多出900万个。


市场调研公司Gartner还指出,三星在DRAM市场的老大地位岌岌可危。据其自己的数据,三星第一季度市场份额下降至25.5%,只比排在第二位的海力士高2.7个百分点。


Gartner的半导体研究副总裁Andrew Norwood表示:“似乎DRAM产业又走向了市场份额大战,几乎不关心利润率,所有厂商都将受损。”


iSuppli认为,2007DRAM市场整体形势严峻,第一季度平均销售价格下降了26%

Gartner:今年全球半导体营收仅将增长2.5%

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赛迪网  2007年06月01 


61消息,市场调研机构Gartner说,2007年全球半导体产业预计将增长2.5%,低于过去的预期。


  据美联社报道,Gartner称,由于DRAM和芯片价格下跌远为“剧烈”,再加上微处理器市场价格竞争正在继续,现在预计2007年全球半导体产业营收仅将达到2692亿美元,较2006年增长2.5%


  Gartner此前预计2007年的营收将增长6.4%


  展望2008年和2009年,Gartner预计全球半导体产业将分别增长8.7%和 7.2%。


  在周四发布的一篇新闻稿中,Gartner称今年第一季度半导体营收较2006年第四季度下滑了5%,跌幅较预期严重。第一季度是传统的淡季,营收一般都会较第四季度有所减少。


  Gartner指出,尽管主流电子系统市场出货量会持续增长,但由于供过于求的局面依然存在,2007年大部分时间单位价格将继续下滑。


  Gartner表示,在多数领域,过度库存压力已得到缓解,或已开始下降。


 

韩国两大半导体厂商增产闪存,应对美国苹果需求扩大

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 中企传媒网 2007-6-1  


    中企传媒网讯:韩国两大半导体厂商——三星电子和海力士半导体,将从7月开始增产用于便携音乐播放器等的闪存。原因是最大买家——美国苹果为了于6月在美国上市“iPhone”手机,增加了采购量。计划对价格持续下滑的PCDRAM(需要存储保存工作的随机写入读取存储器)进行部分转产。


  将取代DRAM进行增产的是“NAND型”闪存。三星在该产品领域位居世界首位,海力士排在第3位,两公司合计份额占到6成以上。


  海力士半导体金贞秀副社长表示:“(汉城郊外的)利川工厂的部分DRAM生产线已开始转产”。这样,预计该公司的闪存生产能力最多将提高4成以上。

Computex/PQI六大产品线描绘未来生活概念

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电子工程专辑   2007.06.01


劲永国际(PQI)参与2007年台北国际计算机展(Computex Taipei),将完整呈现USB旅行碟、Flash记忆卡、Intelligent Stick智能棒、DRAM模块、DOMMP3六大产品线。


PQI表示,该公司此次参展摊位以“未来生活”的概念为发想,运用几何图形的麦田,营造出生活科技感,同时以大型墙面带出「PQI创立十周年」的欢欣气氛以及充满创意的「U510客制化名片碟」墙面,U510客制化名片碟由150张印有个人照片的名片碟拼贴而成,另外还展出印有当代艺术大师朱德群画作的「朱德群名家典藏限量版」U510名片碟,让参观者一同感受PQI所带来的多元化产品与人文艺术的结合。


在旅行碟产品区中,参观者将可见到今年PQI比以往推出色彩更丰富鲜艳的旅行碟产品,如有着苹果绿、樱桃红及柳橙橘三种亮眼色彩的PQI Traveling Disk i221系列及蕴含四季物语等不同色彩的PQI Traveling Disk i261系列,此两款旅行碟的主要特色为采用PQI专利兼容于USB2.0Intelligent Stick接口。另一大展示重点为PQI Cool Drive H系列,采用稳定性高、质量佳的SLC颗粒,读写速度也高于一般旅行碟,同时并支持Windows Vista ReadyBoost


此外PQI将透过现场操作示范,展示最新的内建软件「Music Drive」与「指纹辨识」,Music DrivePQI新款Smart Genie U730旅行碟之内建音乐管理软件,不但有生动的软件画面及有趣的DJ人物可供变换选择外,并有灵敏的声纹辨识功能,用声音即可播放点选音乐。随着旅行碟数据储存容量越大,个人数据的安全防护性的需求也随之提高,PQI因而将指纹辨识应用在Card Drive名片碟中,除了原有的软件加密功能外,并新增硬件加密功能,让数据防护做到滴水不漏。


在记忆卡产品展示区部分,PQI针对数字摄影市场上的需求激增,除了展出PQI最新的SDHC系列外,并将同时展示目前市场最高速的CF 300X 16GB记忆卡,适用于高阶单眼数字相机。


PQI于摊位中更展示多款热门商品,如Intelligent Stick i810i815玩美碟,以手机吊饰为灵感来源,结合了时尚、精品与实用等多种元素,打造出小巧亮眼的i810i815玩美碟。PQI i810玩美碟继于今年3月德国CeBIT展大放异彩后,PQI再度设计出新款的i815,以清透粉嫩的设计外观再度吸引众人目光。


在内存模块区中,为因应Intel所推出的Santa Rosa平台,PQI推出符合此一平台最新规格的DDR2-800 2GB,相当适合需要使用大容量应用软件的计算机使用者。同时PQI将现场展示频率更快速、具低耗电、高容量、高效率特性的DDR3-1066 1GBTurbo DDR2-1200 1GB


工业用储存媒体区中,PQI推出Industrial CF Turbo+256GB SSD Turbo+32GB PCI/E SSD32GB 1.8 ZIF SSD四款工业用储存媒体。除了耐震、稳定性高、低耗电的特性外,超大容量以及优越的读取速度也非常引人注目。此次PQI所推出的Industrial CF Turbo+,容量可达16GB,读取速度高达38MB/sec为目前业界读取速度最快速的工业用CF卡。


在动态产品展示区中,将展出PQI JoyTone U801U820 MP3播放器。其中JoyTone U801插卡式MP3拨放器,可拨放高质量MP3WMA音乐格式,亦可当成SD/MMC记忆卡卡片阅读机使用。而JoyTone U820则支持MP3WMASMV音乐格式文件的播放,并具备FM调频广播功能,在播放模式上,可以选择标准、摇滚、古典、流行….19种不同音场,同时提供12国语系操作接口,在内建内存方面,则提供1GB2GB两款供用户选择。现场备有实体机提供参观者亲身感受JoyTone所带来的音乐魅力。

台积电公开挺E-Beam! 孙元成:EUV只能撑1~2世代 台积电规划2009年底推出32奈米制程技术

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digitimes   2007/06/01   宋丁仪/新竹


面临摩尔定律进入22奈米制程,浸润式显影曝光技术已达极限。台积电首次公开表示,不论浸润式显影导入双重曝光或深紫外光(EUV)技术,未来顶多只能再维持1~2个制程世代,多重电子束(Multiple E-beam Direct Write)将是不可或缺解决方案,且能彻底解决光罩问题,这是台积电技术论坛首次公开点出E-Beam未来性将比EUV强。台积电研发副总孙元成表示,台积电共计200多人研发团队正全力冲刺32奈米制程世代,预计2009年第3季推出,同时22奈米制程也正进行前瞻研究。


浸润式显影双重曝光已被半导体设备业者视为延续193i生命的重要过度性技术,接下来进入22奈米制程,深紫外光则是目前台面上设备商力拱的解决方案。不过,由于EUV的光源电能等问题让其生产力很难提升至每小时100片晶圆,包括先前的支持者英特尔(Intel)近期也对EUV效能表达忧心。台积电在31日年度技术论坛中,更首次明白投下E-Beam一票,认为EUV顶多只能撑1~2个世代,未来需要更强大的替代方案。


孙元成表示,EUV生产力要提升至每小时100片晶圆才能达到生产效益,但难度太高,即使EUV最后开发成功也只能再将摩尔定律延续1~2个世代。他认为,45奈米制程之后E-Beam解决方案是不可或缺的。孙元成分析,E-beam虽然处于起步的阶段,但1小时生产力已可达30片晶圆,能透过多重写入电子束方式解决生产效率问题,且根本不需光罩。目前台积电正与设备商共同研发中。这是台积电首次在EUVE-Beam之间,公开表态选边站。


孙元成表示,过去5~6年间台积电在45奈米制程浸润式显影与设备业者合作奠定了许多技术基础,共计拥有25项专利,研发部门有200多人全力投注32奈米制程开发,同时进行22奈米制程前瞻研究。根据台积电技术蓝图,32奈米制程世代最快2009年第4季推出。而台积电2007945奈米制程技术便进入量产,同时规划45奈米GS制程于20085月试产,并拟推出半世代40奈米制程技术。


孙元成说,过去台积电90奈米制程完整光谱约历时2年,到了65奈米制程世代,缩短为1~1.5年,45奈米制程却在短短半年内便相继推出嵌入式存储器(embeded memory)及射频制程(RF)等制程方案,台积电制程速度及效率愈走愈快。孙元成举65奈米制程为例,已推出针对手机单芯片市场的65奈米低功耗RF制程,以及针对绘图芯片市场的65奈米低功耗eDRAM制程,其半世代55奈米制程良率也与65奈米制程不相上下。

台积AAA计划启动 缩短芯片设计时程

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工商时报   2007.06.01    涂志豪/新竹报导


晶圆代工大厂台积电昨(三一)日举行技术论坛,正式宣布启动AAA计划(Active Accuracy Assurance Program),协助客户缩短芯片设计前置时间。台积电设计暨技术平台副总经理许夫杰表示,AAA计划的目的是对独立矽智财供货商(third party IP vendor)提供的IP先进行验证,减少客户在采用IP时对质量及制造上的疑虑,以缩短芯片设计前置时间,让芯片推出的时间能跟上应用产品的生命周期。


由于制程微缩至九○奈米以下后,芯片设计时间拉长,设计成本及光罩成本也大幅上升,台积电为了协助客户缩短芯片设计时间及成本,在昨日举行的技术论坛中,特别以「导向成功的验证途径(The Proven Path to Success)」为主题,宣布启动AAA计划。该计划过去在台积电内被称为IP-9000,主要目的就是对独立EDA工具、IP等供货商的产品进行验证,并纳入台积电的经投片验证IP清单中,减少芯片由设计端到制造端可能发生问题。


许夫杰表示,制程现在微缩至九○奈米或六五奈米,芯片设计的复杂度愈来愈高,所以台积电才会启动AAA计划,去对台积电本身开发的IP,及其它独立供货商的IP等进行验证,让客户有更多重的选择,以最快最便宜的方式设计及制造芯片。


虽然台积电AAA计划出发点是正确的,但仍引起独立IP供货商的质疑,许夫杰则表示,台积电的本业仍然在晶圆代工上,不会跟独立IP供货商抢生意,台积电过去十数年来已累积了不少IP,但主要是提供基础型(FoundationIP,所以不会跟提供软IP或硬IP核心的客户抢生意。许夫杰强调,台积电是要整合业界的资源,在可应用的IP经过验证后,台积电会提供多种组合给客户选择,这样才可以让芯片设计更快、成本更低,「大家做事可以少一点,但仍可达到成功目的」。