Archive - 五月 30, 2007

巨亨网　　2007.05.30    赵健君／综合外电

市场研究公司 iSuppli发表报告指出，随着客户趁低价开始建立库存，DRAM制造商每况愈下的获利可能在6月底、7月初触底。

iSuppli 执行长 Derek Lidow表示：“DRAM厂扩充产能，市场也随之成长，这也迫使DRAM厂大幅削减价格，才能卖出产品。DRAM价格已跌到许多制造商的生产成本之下。”

Lidow 说，过度供给造成价格大跌，DRAM制造商本季营业利益率将出现两位数的负值。

他认为，DRAM厂的营收成长率在3 月到顶，目前处于成长率减缓期，预期将持续到2008年 3月。

全球最大内存芯片制造商 Samsung ElectronicsCo.(005930-KR；三星电子)上个月公布第 1季财报，净利创下 4年来最低，而且预测第 2季业务艰困。今年底Samsung 中国厂每月DDR2产量可望达到7000万颗。

Lidow 表示，DRAM价格已跌到极低点，个人计算机制造商开始屯积库存，为将来的旺季预做准备。他说，DRAM客户了解，DRAM厂不会长期亏本出售芯片。

另外， Lidow也谈到，南韩目前产量领先的地位，可能在 3年内拱手让给大中华区。他说：“南韩制造商正在降低产能，台湾和中国大陆的厂商则反向增产，也许会在2010年超越南韩对手。 ”

他预估2007年南韩公司的DRAM产量占全球比重为47% ，台湾和中国则合计为 31%，其它为 22%。明年差距会缩小，南韩降至 46%，台湾和中国升至 35%。

科技新闻    2007.05.30

根据Gartner发布的报告，该公司预测今(2007)年度半导体代工市场的规模将比去年成长5.1%；第一季代工市场的表现可说颇为疲软，该公司并且因而调降今年度半导体市场的成长率至6.4%，2008年度的成长率至8.2%。今年第一季代工市场的产值，比前一季缩减12.5%，这个市场出现价格压力与存货过多的现象。该季代工市场最受冲击的部分是比较先进的制程技术，元月份大部分十二寸晶圆厂的产能利用率下跌到60%上下。第一季代工产值为47亿美元，相较于去年第四季的54亿美元；晶圆出货量减少3.8%，平均售价下跌9%。

Gartner预测代工市场产值在第二季以后将有比较理想的表现，需求将有广泛的复苏；第二季可望比第一季成长11.9%。第二季晶圆的出货量预测将成长9.1%，达到600万个相当于八寸之晶圆，代工业的产能利用率可望提高到84.4%。Gartner分析家指出，来自于通讯领域需求的成长，将会高于PC领域，消费性领域在某种程度上也是如此。

中关村在线   上方文Q    07年05月30日　

对于即将到来的Windows vista，人们关注的一个焦点是现有的配置是否可以满足新系统的胃口，其中的关键之一是内存容量。Vista对内存的建议是512MB，推荐1GB，但问题显然不会是这么简单的两个数字。

来自Intel、ATi和nVIDIA的集成显卡占据着相当的市场，而集成的显示核心需要共享一部分系统内存，ATi和nVIDIA的部分低端显卡也采用了这种设计。显然，整合系统如果要顺利使用Windows Vista，512MB的内存会成为瓶颈之一。

再来看看Windows Vista带来的Superfetch功能。Windows XP中已经具备了Prefetch功能，而Superfetch则是对其的进一步升级，是一种可以预先向内存或页面文件中载入文件以实现系统和程序启动提速的动态服务。

Superfetch的实现可以分为两步：一是分析用户常用程序并将结果存入页面文件和系统内存，二是尽量将硬盘上的页面文件转移到NAND、DRAM等固态存储设备中。显然，电脑使用情况复杂的用户将会把不少内存分给Superfetch。

在刚刚过去的IDF上，Intel内存营销主管Tom Trill曾表示，系统集成商花在内存上的费用通常在6-8％左右。DDR2-667的零售价在数月之前已经低于80美元，而系统集成商为之付出的价格一般低于60美元。另一方面，AMD和Intel也都在准备新的处理器，可以在今年下半年普遍提供对DDR2-800规格的良好支持。

而根据三星对韩国国内内存容量发展情况的调查，2005年SI、OEM、组装等PC系统的平均内存容量是871MB，相比2004年的620MB增加了41％。

回顾历史，每次重大操作系统发布的时候都会带动内存业的大幅度发展，Windows 95、98、XP无不如此。而随着内存容量的提高，价格则会逐渐下降，系统集成商也可以在6-8％的预算范围内使用更大的内存。

　由此保守估计，系统集成商在系统内使用1GB容量的DDR2-667内存将在年底成为普遍现象，2GB成为标准配置也不会让人感到意外。

科技新闻    2007.05.30 

市场研究机构iSuppli日前表示，台湾与中国合计的DRAM产量，将可望于2010年以前超越韩国。该公司指出，台湾、中国DRAM厂商众多，今后也可望持续扩充产量；而韩国则仅有三星、Hynix等两家厂商，再加上两者今后可能将部份DRAM产能转移至NAND型闪存，因此2010年前产量将被台湾、中国超越。

若依产值统计，2006年韩国在整体市场中的占有比重达45％，台湾、中国则仅及17％。不过根据iSuppli的预测，2008年韩国占有比重预估为46％，而台湾、中国则可望攀升至35％，差距迅速缩减。而在2010年以前，台湾、中国在产量方面便可望正式超越韩国。此一地区产量统计，将代工生产部份也列入计算。换言之，台湾厂商接受Elpida或德国Qimonda AG委托、代工生产的部份，也计入台湾生产量当中。

iSuppli表示，台湾、中国产量之所以可望迅速攀升，还有一项原因是在DRAM价格下跌的情况下，三星与Hynix可能将部份DRAM产能转为生产NAND型闪存。根据iSuppli的预测，主要半导体厂商的DRAM产品获利，可望于2007年6～7月打底；而NAND型闪存的价格，则已于同年1～3月触底，目前已开始出现反弹。

电子产品世界    2007-05-30

IBM和其联合开发联盟伙伴英飞凌和飞思卡尔半导体以及Common Platform技术伙伴特许半导体和三星电子，签署了一系列半导体工艺开发和制造协议，以期在未来继续保持技术领先地位。

上述公司签署的联合开发协议包括32纳米CMOS（互补性氧化金属半导体）工艺技术及支持该技术的工艺设计套件（PDK）。在之前90纳米、65纳米和45纳米工艺联合开发和制造协议大获成功的基础上，联盟伙伴将能够生产出高性能、低功耗的32纳米芯片。

联盟伙伴计划将各自的专业技术汇聚起来，在设计、开发和制造技术方面进行协作，协作将一直持续到2010年。这些技术作为广泛系统的领先平台——从下一代手持设备到世界上性能最强的超级计算机，可被五家联盟伙伴和其他公司用来解决诸如医药、通讯、交通和安全等领域的现实问题。

协作创新是保持领先的关键所在

“IBM仍然相信，不管是现在还是未来，在一个开放的合作伙伴体系中开展协作创新，是保持技术领先地位的关键所在，”IBM全球工程解决方案部半导体解决方案总经理Michael Cadigan说，“今天发布的新闻验证了满足客户领先技术要求的战略。随着我们的协议扩展至32纳米技术——包括我们对已开展逾十年之久的联合开发模式进行补充的研究和制造，IBM正与其联盟伙伴密切合作，推出能显著改变我们生活、工作和娱乐方式的前沿技术。”

“英飞凌继续奉行与联盟伙伴联手开发和投产最先进技术的成功战略，”英飞凌基础技术和服务部门高级副总裁Franz Neppl博士说，“联合开发的技术，加上英飞凌的应用和产品设计能力，将使得英飞凌能够为其通信和汽车/工业领域的核心客户提供经济合算的硅芯片解决方案和制造能力。”

“32纳米技术将遭遇材料和器件结构方面新的重大挑战，”三星电子系统LSI部ASIC/晶圆业务执行副总裁KP Suh说，“我们期望和拥有业内众多领先技术的伙伴一起努力，推出突破性技术。”

作为Common Platform技术制造厂商的IBM、特许半导体和三星将能够利用联合开发出的32纳米工艺技术和设计套件，使它们的制造工厂保持同步。这有助于它们在为各自的高产OEM客户灵活生产几近相同的芯片，这些OEM客户要求采用多方外包模式并希望尽早获得工艺技术。

五家公司在联手推出业内领先的、用于高性能低待机功耗产品的技术时，将：

在保持出色性能的同时，专注于降低成本和复杂性；在后端工序（BEOL）应用新材料，如高介电常数金属栅极(high-k/metal gate)、先进的应力工程材料，以及超低介电常数薄膜；应用尖端的浸没式光刻技术，使密度和芯片尺寸具有竞争力；致力于为数字通信市场提供优秀的模拟产品；为RF CMOS和嵌入式DRAM等衍生技术提供平台。

此外，通过在制造平台伙伴采用共同的制造电气规格，有助于技术在各伙伴的工厂之间轻松转移。

“业界已经认识到协作模式在提供高性能及高性价比产品解决方案方面的价值和重要性，”特许半导体技术开发部门高级副总裁Liang-Choo Hsia说，“在合作模式的第四阶段，每个公司将提供独有的能力和专长，开发以客户为中心的产品。我们之间的协作已经成为为客户提供世界级的灵活外包解决方案的平台。”

与之前联合开发行动一样，32纳米工艺合作将包括联合开发一个套件（enablement package）。这个套件可支持大多数通用设计工具，从而允许客户在具体产品上应用32纳米技术时，能够发挥该先进技术的全部潜力。

与前几个阶段一样，32纳米工艺开发活动将在IBM设在纽约州East Fishkill的300毫米尖端晶圆厂进行。飞思卡尔半导体于1月23日宣布加入联盟。

电子工程专辑   2007.05.30

根据市场研究机构iSuppli所发表的最新报告指出，由于整体闪存市场形势低迷，NAND闪存控制器芯片价格快速下滑，导致2007年整体NAND闪存控制器市场销售额出现预期之中的下降。

iSuppli预计2007年全球NAND闪存控制器芯片市场，比2006年的4.36亿美元下降11%，至3.86亿美元。这主要是因为此类控制器的平均销售价格(ASP)下跌所致，预计2007年ASP将下降30%至0.49美元。这些控制器芯片用于可插拔式快闪记忆卡、USB闪存随身碟和固态硬盘(solid-state drives)。

由于供应过剩，NAND闪存本身的价格也一直处于下跌之中。这个市场营收下降的原因在于有一个闪存控制器自制市场(captive market)，也就是说这个阵营里的公司是为他们自有的闪存产品如快闪记忆卡而生产控制器。这些公司包括SanDisk和东芝(Toshiba)，这个自制NAND闪存控制器市场规模会在2007年缩减到1.54亿美元，比2006年的2.35亿美元下滑了34%。

反之，闪存控制器外购市场(merchant market)──即是由第三方供货商提供产品的市场，2007年的营收成长到2.32亿美元，相较2006年的2.01亿美元成长了15%。自制市场注重提供高度整合的嵌入式控制器系统芯片(SoC)，同时，非自制市场的供货商们则注重以分离控制器来抢攻市场占有率。

自制市场供货商SanDisk是2006年NAND闪存卡控制器的领导者，营收达到8,430万美元，拥有24.3%的市场占有率。排名第二则为非自制市场供货商慧荣科技(Silicon Motion Technology)，其营收达到7,350万美元，获得21.2%的市场占有率。上述两家公司连手主宰该市场，囊括全球市场近一半的营收。

综观整个NAND闪存卡控制器市场，包括SanDisk和松下(Panasonic)在内的自制市场供货商占据了主要的销售比例。慧荣科技则占据了2006年非自制市场45%的比例，其它同类供货商如擎泰(Skymedi)(擎泰)、亮发(InComm)和群联(Phison)的市场占有率也在2006年有大幅度提升。

至于USB闪存随身碟控制器，则是以外购市场供货商为主导；其中群联以31.8%的市场占有率蝉联第一名厂商宝座。群联最近推出一款双芯片控制器，同时支持SLC (Single Level Cell)与MLC (Multilevel Cell)产品。此领域排名第二与第三的厂商依次为东芝与慧荣。

                                                                                      2006年闪存卡控制器排名

                                                            2006年USB闪存随身碟控制器供货商排名

电子工程专辑   2007年05月30日  

英特尔与意法半导体将组建一家合资企业，把各自的NOR闪存业务合并在一起。此举早就在预料之中了。但财务细节可能揭示一个原因，为何此举比人们预期的来得晚了一些。

是“严爱”还是“遗弃”？

其中一个重要事实是，该合资企业承担了大量债务，以便它能够分别向英特尔和意法半导体偿付大笔资金，并在成立后能维持下去。根据双方的协议，合资企业将承担13亿美元的定期贷款和2.5亿美元的循环信贷安排。更重要的事实是，这些债务都不依赖英特尔或意法半导体偿还。这两家公司都没有计划在合资企业中投入任何更多的资金。这是严爱(tough love)，还是遗弃？

实际上，英特尔和意法半导体还坚持凭其在合资企业中的权益获得大量现金。因此，私募股权投资公司Francisco Partners LP也参与了他们的交易。Francisco Partners将投入1.5亿美元现金，换取代表6.3%权益的可转换优先股，根据某些条件该比例可能进行调整。什么情况会引发变化，仍然有待观察。

但结果是，英特尔和意法半导体实际上将不用对其合资企业的大约8000名员工和36亿美元左右的年营业额负任何责任，除了它们将在合资企业中分别持有45.1%和48.6%的少数权益。

英特尔高级副总裁兼Intel Capital总裁Arvind Sodhani在一次电话会议上对金融分析师表示，英特尔和意法半导体都没打算向合资企业提供任何资助，母公司希望该合资企业能够自立并取得成功。

但分析师立即质疑，背负债务的合资企业是否有能力与其它闪存企业进行竞争，这些闪存企业都有巨额资本支出计划。具有讽刺意味的是，英特尔大约40年前就注意到了相变内存，后来由于没有为市场做好准备而放弃了该技术。新一代英特尔工程师和经理在最近10年再度从事相变内存。而英特尔现在又一次抽身而退，把它甩给了上述合资企业。

是严爱还是遗弃？当然，两家母公司的做法可能不尽相同。一家可能乐于摆脱困难的NOR闪存业务，而另一家则表现出“严爱”，感觉需要这种爱，以给予合资公司最佳的成功机会。

股权资本：ST比重稍大，Intel表示满意

意法半导体(ST)和英特尔联手打造最大的非易失性(NOR)闪存制造商，这让意法半导体似乎在这笔交易中感觉稍佳。据来自Objective Analysis的一份研究文件称,虽然英特尔有更大的业务量，ST却设法将超过英特尔8%的股票和现金补偿收入囊中。

ST的NAND和NOR收入在去年增加到了15.7亿美元,而英特尔在NOR的销量则约为20亿美元。但是，英特尔在新公司中得到45.1%的股权资本，即4.32亿美元。 ST则应得48.6 %的股权资本，即4.68亿美元。

“当被问及这一点时，该公司强调说这是一次经过磋商的交易，并且交易双方对结果均感到满意，”该市场调查公司的首席分析师Jim Handy指出，“各公司频繁地提到他们组合了一揽子的专利，其中，有2,500项已经批准的专利和1,000项正在申请的专利。这可能是确定此次估价的一个重要因素，据称这些专利约值30亿美元。”

该公司没有怎么提及300mm的晶圆生产，但ST关闭了在卡塔尼亚M6厂，该厂是封装的一个部分，并且可能是这样一个先进的代工厂的总部。ST和英特尔指出，如果新的闪存业务在2008年的第一季度开始赢利，那么，部分资金可能会集中投向建立300mm的产能。“我们只能猜测这一新成立公司的赢利能力，可能要通过在近期把他们的产品从90纳米升级到目前的65纳米级工艺，然后再升级到45纳米级才能获得，” Handy说。

由于英特尔的合资企业都销售NAND闪存，为避免混淆，英特尔与ST的合资企业能够把NAND作为堆栈封装的一个部分，如NAND/NOR或NAND/DRAM，销售到手机市场或其它嵌入式应用中，Handy表示。英特尔与Micron成立的合资企业—IM Flash—将能够把NAND销售到商品市场中。

纵观竞争格局：外部压力依然巨大

以下是Handy对此次交易对这一行业有何意义的一个扼要报告：Spansion赶超英特尔占据了1Q06 NOR市场的领先位置。这个位置将不得不拱手让给新成立的公司。Spansion计划借助向45纳米和其新的SP1 300mm晶圆厂的转移来实现赢利，该厂已经开始加工晶圆，并预计在今年下半年开始向客户提供可赢利的产品。300mm的晶圆厂通常比200mm的晶圆厂要节约30%的成本。因此，尽管Spansion可能会失去排名第一的NOR制造商和最大的纯闪存制造商的地位，该公司极有可能是开始有赢利能力的第一家NOR制造商。这将使Spansion更早地进行投资，并有可能超过新的公司。这将是一场拭目以待的有趣竞赛。

三星公司也已设定目标，到2009或2010年将成为NOR收入第一的公司。假使让ST和项特尔仍然保持独立的实体，这可能会变得更容易—两家公司在去年的销售额在15-20亿美元的范围之间，而Spansion 的NOR收入则为26亿美元。 新的公司已经处在36亿美元的销售收入水平(大部分是NOR)，三星需要再增加10亿美元的销售收入才能实现其争第一的目标。

Hynix从单独与ST的合作到现有与ST、英特尔和SanDisk建立了合资企业，一切都发生在几个月之内，实在处于一个令人羡慕的位置。Hynix将管理无锡的工厂和其它关联的生产工厂，以非常大的量帮助该公司获得规模经济的效益。

英特尔和ST将能使它们自身避开过去两家公司在NOR业务上所遭遇的困难，他们却能从更大规模的运营和专注的业务中获得赢利。一旦新的公司开始赢利，这两家公司将选择出售股权来获得资本的增值。

对于英特尔和ST两年前推出的产品，根据在两家公司对彼此的NOR芯片达成第二个来源所达成的协议，OEM目前也没有了第二个来源。这是一个将成为本次交易受害者的一个战略行动。其它公司可能利用这一点尝试把英特尔/ST的设计转换为采用他们自己的产品。新公司认为，通过在提供完整解决方案中的配合，将克服在缺乏替代货源情况下OEM所看到的任何不利情况。

巨亨网    2007.05.30   记者叶文义／台北    

上周DRAM现货价跌破制造成本后，主要DRAM厂商均表示不愿意再砍价出清库存，市场解读为DRAM价格底部浮现，使得现货市场的交易量明显放大，尤其是DDR2ett颗粒大涨12.5%，带动DDR2品牌价格微幅上扬2.3%。

内存市调机构集邦科技(DRAMeXchange)指出,5、6月终端市场需求尚未明显复苏、5月份PC出货量在淡季影响下表现并不如预期，加上PC OEM及现货市场主要买方及模块厂的DRAM库存仍在1个月以上，导致DRAM价格在6月之前，单靠市场买方逢低买进的买气支撑，反弹力道有限。

此外，集邦指出，在DRAM价格跌破厂商制造成本的压力下，韩系大厂海力士(Hynix)已将部份DRAM产能转至NAND Flash，预计Hynix 6 月底的产出即会小幅下降，而7月DDR2的产出预估更将下降10%~20%，使得市场对DDR2在第 3季的价格反弹有了比较乐观的期待。在合约市场方面，集邦指出，由于DRAM厂商开始抵制OEM厂商所要求的超低价格，加上现货价格开始反弹，使得于 6月合约价格有望止跌，而持平机会颇大。

集邦指出，DRAM主流颗粒DDR2价格自2007年1月以来，即呈现持续下跌的走势，根据数据显示，DDR2第1季均价季跌幅达20% ，而第2季均价跌幅更高达50%。上周在DRAM价格跌破厂商制造成本，似乎仍无止跌的迹象后，尽管面对5月底的出货压力，主要的DRAM厂商均表示不愿意再砍价以出清库存，被市场解读为DDR2价格底部即将呈现，进而带动市场另一波买气，通路商开始拉高库存水位，为第 3季旺季的需求做准备，导致现货市场交易量明显放大。

根据集邦报价，上周DDR2 eTT大幅上涨12.5%，最高来到1.65美元，并于5月23日当日涨幅达10%。而DDR2