路透社 2007.05.29
路透首尔电---美国研究机构iSuppli周二表示,动态随机存取内存(DRAM)制造商的获利料将在6月底或7月初触底,而第二季则将面临巨幅亏损.
受产能增加影响,包括韩国三星电子<005930>及海力士半导体<000660>在内的DRAM供货商今年均为价格惨跌所苦.
iSuppli总裁兼执行长Derek Lidow在首尔数码论坛场边的记者会上表示,"整体产业本季将会出现两位数的亏损率."
但他指出,"好消息是底部已近."
Lidow表示,韩国DRAM厂商料将把DRAM产能转移至NAND型闪存(闪存),而NAND型的产能已经在第一季达到低点.
他说,如此一来韩国业者将有可能在三年内将产量领先的地位拱手让给台湾及中国的竞争对手.
存储时代
借助于三星（SAMSUNG）和海力士（Hynix）的出众表现，韩国在全球DRAM市场供应中的角色举足轻重，不过iSuppli的总裁兼首席执行官Derek Lidow表示，在未来的三年里，韩国在这一领域的领导地位将受到越来越大的威胁。
在近日于首尔举行的“首尔数字论坛”（Seoul Digital Forum）上，Lidow认为韩国的DRAM生产商目前保持着全球领域的领导地位。韩国的两大DRAM厂商——三星与海力士在2006年控制着46%的DRAM市场，而中国（含台湾地区）厂商则占有17%的市场份额，差距明显。
但是，Lidow指出虽然韩国厂商在2007年仍然会保持47%的市场占有率，但中国厂商的份额将提升至31%，而日本/美国/欧洲等其他地区厂商的份额将降至22%。而到2008年，中国厂商相对于韩国厂商的差距将进一步缩小，前者将提升至35%，而韩国厂商则保持在46%。
“韩国厂商一直在扩充DRAM的生产能力，但结果就是在今年将使内存的价格进一步崩溃，”Lidow指出，“DRAM价格的下跌将促使韩国厂商减少下一年的产出，而与此同时，中国厂商将会增大产出，并有可能在2010年最终超过韩国厂商而成为全球第一大DRAM供应地区。”
“DRAM市场的成长是因为厂商们的产能扩充，但伴随而来的是厂商们为了争夺订单以保证出货而产生的激烈价格战，”Lidow说到，“现在不少供应商提供的价格已经低于他们的生产成本，在今年3月份DRAM的年度营收达到了顶峰，但在2008年3月之前都将是一路下坡。”
iSuppli分析之为，DRAM厂商已经预感到事态的不妙，而整个产业预计在第二季度将会遭遇两位数的营业利润下滑，收益率将在6月底或是7月初触底。
由于现在的DRAM价格已经处在极低的水平，PC OEM厂商开始囤货，不过对于韩国厂商来讲，幸运的一点是他们所经营的另一个主业——NAND闪存已经在第一季度触底，并在近期开始反弹，收益率也开始恢复。
不过，在品牌领导方面，韩国厂商导不用担心他们的地位，因为很多中国厂商大多是为其他人生产，打上其他厂商的Logo，比如奇梦达（Qimonda）和尔必达（ELPIDA）等。
“真正的挑战来自于韩国的战略生产地位，因为很多中国厂商都比韩国的厂商在这一领域舍得花更多的钱，”Lidow表示，“韩国的生产商以及投资的基础是高度集中的，而一个国家保持长久的投资领导地位将对于DRAM市场非常重要，而不管你是否拥有更好的技术和管理水平，这对于韩国厂商是一个重大的挑战。”
韩国厂商在DRAM和NAND领域的统治地位将保持，但无疑将在这两个市场中受到越来越严峻的挑战。随着中国厂商的销售增长，更多的内存厂商将会联合起来与韩国厂商进行对抗。
赛迪网 2007.05.29
美国研究机构iSuppli表示，到2008年3月以前，全球DRAM销售将减缓，出货增长将压低价格。
iSuppli今天在南韩首尔的科技会议上发表声明指出，全球DRAM到明年3月以前将持续减缓。
iSuppli指出，2010年全球DRAM销售将由去年的339亿美元增至457亿美元。
赛迪网 2007.05.29 阴逆旅
封测厂看衰DRAM制造业后市的情况比较明显，联测科技总经理蔡宗哲表示，DRAM供过于求的情景将会延续到2008年底，而Flash产业则因高容量存储器需求攀升，预期产能供过于求的情况到2007年第4季就会改善。另外，美国研究机构iSuppli今天也表示，到2008年3月以前，全球DRAM销售将减缓。
据悉，DRAM产从3月起就开始低落，价格直线下降，目前512Mb DRAM每颗现货价落到1.3美元。以
由此看来，每家DRAM厂都将面临着亏损，因此部分存储器大厂如三星和海力士采取调整产能策略，三星将新产能转做Flash，海士力则将10%的DRAM产能改为生产Flash。
DIGITIMES 2007.05.29 李洵颖／台北
尽管近期存储器市况疲软，但国际存储器大厂考量未来新产能开出后，恐缺乏后段产能支持，纷寻求后段外包策略伙伴，业界便传出海力士(Hynix)因转移DRAM产能至NAND型快闪存储器(Flash)，有意首度释出后段测试订单，并正寻求台厂在韩国建立产能，其中，包括南茂集团旗下泰林、力成、联测和京元电等，均是海力士可能洽询对象；另外，2007年初宣布在苏州大举扩建封测厂的奇梦达(Qimonda)，亦有意与DRAM后段测试厂建立策略伙伴关系，其中，新加坡联合科技、日月鸿和意大利测试厂等，均为奇梦达首要选择。
台封测业者指出，海力士将10% DRAM产能转移至NAND Flash，势必得增加委外比重，虽然海力士以TSOP(Thin Small Outline Package)为主的自有封装产能足够，但后段测试产能就显得捉襟见肘，尚欠百余台测试机台，因而寻求台系专业测试厂委外代工。其中，NAND Flash用5375型机台以泰林、力成、联测和京元电最多，因此，应会以这4家厂商为优先考量对象。
然存储器测试厂透露，海力士内部希望合作伙伴能够在韩国建立产能，但一旦韩国当地业者测试产能开出，则不排除减少下单给台厂，因此，订单不确定性是台厂最主要考量，这亦造成截至目前海力士寻求后段外包对象始终不明确。
事实上，海力士2006年亦曾寻求大陆地区DRAM后段测试策略联盟伙伴，但因合资条件不佳，存储器测试厂兴趣缺缺，该案后来便沈寂下来，如今海力士再与台厂谈新建产能外包，除非条件好，否则仍会面临无疾而终的命运。
此外，奇梦达甫于3月初宣布扩建位于苏州后段封测厂，预计动用2.5亿欧元建置第2座厂房及后续所需设备，使其产能扩增1倍。在此同时，奇梦达亦有意在台寻求后段产能，期望能以合资方式拉近合作关系。据业者透露，原本与奇梦达具有合作关系的联合科技，为首先征询名单，奇梦达亦探询日月鸿和意大利封测厂，目前仍在洽谈中。
CNET科技资讯网
韩国首尔当地时间本周一，三星电子宣布，将投资9388亿韩元（合10.1亿美元）对其内存芯片生产线进行技术改造。
在向韩国证监会递交的一份文件中，三星表示，将在2007年利用这笔投资对内存芯片生产工艺进行升级，提高产量。三星没有提供其它详细资料。
三星是全球最大的内存芯片厂商。
科技新闻 2007.05.29
虽然近来内存需求疲弱，不过由于全球内存大厂考虑未来新产能持续开出后，自有封装产能虽能因应需求，不过后段测试产能恐将造成供应上的缺口，因此积极寻求后段委外代工伙伴，近期即传出全球第三大NAND FLASH大厂海力士(Hynix)，有意释出后段测试订单，并来台寻求产能，市场因此预期，包括力成(6239)、京元电(2449)、泰林(5466)等均有机会分到一杯羹。 由于海力士将10％的DRAM产能转移至NAND Flash，虽然海力士自有封装产能仍足够，不过后段测试产能就可能需要寻求策略伙伴供应，因此，台湾具有NAND Flash用的5375型机台封测厂，包括力成、京元电、泰林等最为充足，因此，市场预期这些公司将成为Hynix优先考虑的合作释单对象。
路透社 2007.05.29
路透首尔电---全球最大内存芯片厂商--三星电子<005930>周一表示,将投资9,388亿韩圜(10.1亿美元),进行内存芯片生产线设备升级.
三星在提交给韩国证交所的文件中表示,公司将在2007年动用该笔支出,用以提升内存芯片制程技术,并改善生产力.
科技新闻 2007.05.29
旺宏(2337)表示，将与奇梦达 (Qimonda：QI.US)在非挥发性内存(Non-Volatile Memory)产品上进行更密切的技术合作开发，双方目前正针对合作的细节进行协调讨论中，并将于正式合约签订后再行公告。
旺宏表示，与奇梦达长期以来在非挥发性内存领域已多有合作，由于旺宏在非挥发性内存的研发及成果向来备受国际瞩目与肯定，近来，更因旺宏的技术论文获得IEDM评选为2006年重要论文的国际殊荣，因而加深双方更进一步合作的契机。
旺宏董事长吴敏求表示，奇梦达为全球内存产品领导供货商，结合旺宏在非挥发性内存领域长达十七年的先进产品开发成果，相信将能提供契合市场需求且具竞争力的内存解决方案。
由于奇梦达与旺宏在非挥发性内存的领域各有所长，故本合作计划将使双方在非挥发性内存的技术及产品研发上加速成长，也有助于两家公司之获利及长期发展。
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