Archive - 五月 24, 2007

联合新闻网   2007-05-24   严雅芳∕台北

DRAM测试颗粒大涨9%，激励以内存为主的通路商至上(8112)、友尚(2403)连袂大涨表态。两大通路商皆代理三星半导体零组件，包括DRAM、Nand Flash、Driver IC等，受惠内存价格回升，股价表现激情。至上午盘在大单推升下，一举冲上涨停，并爆出8000余张大量，股价站上20元关卡; 友尚今日也爆出逾万张大量，盘中一度涨停，股价挑战前波高点。由于市场预期，DRAM价格反弹将激励下游厂商拉获转趋积极，加上旺季需求将至，有利通路商出货增温。

至上表示，DRAM报价因跌跌不休，近来整体DRAM需求几乎呈现窒息量，即便DRAM价格反弹，但仍需视5月最后一周拉货情形，以及原厂来得及供货，惟预期5月营收成长空间不大，若DRAM价格持续反弹，将较乐观看待6月业绩表现。至上3月份以来虽受惠Flash价格反弹，惟DRAM价格频频破底，造成市场需求急冻，也抑制营运成长动能，一但DRAM价格走出谷底，至上营运也可望再创佳绩。

友尚台湾母公司以代理内存相关产品为主，大陆子公司则是以非内存为主，法人看好友尚大陆区获利第二季成长可观，加上DRAM报价反弹，而第二季虽为Nand Flash淡季，但报价平稳市况优于预期，有利台湾区营运，以友尚4月每股税前盈余0.34元，第二季单季有机会达到每股1元的获利水平。

理财周刊   2007 / 05 / 24   李培昕

微软新操作系统Vista带动的DRAM需求有限，台湾、韩国两大12寸DRAM厂新增产能大量开出，市场供过于求的状况无解，DRAM产业今年能否触底反弹引发各界关注。

亚洲动态随机存取内存(DRAM)现货市场颗粒价格跌破1.5美元，不仅比多数DRAM厂的成本价格低，还引发一场到底是谁在倒货的争议。然而，微软新操作系统Vista带动的DRAM需求有限，台湾、韩国两大12寸DRAM厂新增产能大量开出，让市场供过于求的状况无解，才是DRAM产业今年能否触底反弹的关键。

南韩海力士半导体第1季财报显示，由于中国无锡晶圆厂的销售大增，该公司第1季净利大幅成长45％，更因为与意法半导体策略结盟奏效，海力士的市场占有率比起龙头厂三星只剩下一个百分点的差距，让三星将内存的资本支出策略，又从快速成长的Flash转回到DRAM，短期内全球DRAM厂产能竞赛的战火难以熄灭。

新增产能大过市场需求

根据集邦科技最新统计数据显示，第1季全球DRAM产出增加18％，但DRAM平均售价较去年第4季大跌25％，因此第1季全球DRAM品牌厂商总营收跌破百亿美元大关，较去年第4季衰退11％，这也是自2005年第2季以来，首见衰退，显示市场需求已不足以支撑近年陆续新增的12寸DRAM产能。

第1季全球DRAM品牌厂商中，单季营收逆势成长者仅有海力士 与华邦两家，其中以海力士表现最佳，单季营收也与三星差距不到5％，全球市占率更提高到22.7％，并拉开与奇梦达间的差距。

奇梦达（Qimonda）在公布会计年度第2季（今年首季）财报的同时，宣布将在新加坡兴建12寸厂，新厂在今年底就会动土兴建，预计2009年开始投产，产能满载开出时将可增加6万片月产能。并与闪存大厂美商新帝（SanDisk）合资新公司，投入手机用多芯片内存模块（MCP）产品开发。

奇梦达总裁罗建华说，在新加坡投资建厂可扩展亚洲市场版图，同时有效降低生产成本，与新帝的MCP产品合作案，则可让奇梦达拥有完整的产品组合，因应手机等可携式消费性电子产品对内存的需求。他也说，在现在景气低迷的市场环境中，标准DRAM产品的价位受到严重侵蚀，奇梦达分散DRAM至利基型市场，抵销部分价格压力对营收所产生的负面效果，所以未来仍将以此为发展方向。

通路盛传海力士大量倒货

海力士80奈米与大陆无锡厂产能不断开出，市占率已到22.7％，确实让三星感到威胁，为此，三星规画今年在DRAM产出上较去年会有100％的成长，希望藉此保住龙头地位。

知名市调机构Gartner对于三星后续庞大扩产的幅度感到忧虑，指出这样不计获利以抢攻市占率的模式，会让DRAM厂受害，更认为此举会替DRAM产业埋下长期供给过剩的危机。

Gartner言犹在耳，DRAM市场马上出现一阵骚动，就在5月中旬合约报价出炉以后，以亚洲，尤其是台湾、大陆为主的DRAM现货市场几乎出现崩盘的景况，短短两天，现货价跌幅就超过两成，主流的512Mb DDR2颗粒现货价出现令人惊心的1.33美元最低价，通路上更盛传是海力士在大量倒货。

DRAM现货市场原本就一个调节水库，由于占整个DRAM销售还不到3成，因此有几家大厂大量供货的时候，价格就容易出现剧烈变化。业界人士指出，过去合约市场需求畅旺，主要的DRAM厂都是经营合约市场，但今年产能增加实在太快了，DRAM莫不积极寻找可以销货的管道，任何一家DRAM厂都可能影响现货价格涨跌。

尤其，今年DRAM的巨幅资本支出是不争的事实，根据外资券商太平洋尖峰证券（ Pacific Crest）统计，今年全球半导体资本支出达558亿美元，较去年略增2％至3％左右。

不过若由产品别来看，今年内存资本支出占了55％，支出年增率最多的业者就是力晶、茂德、南亚科等台湾DRAM厂，显示内存市况不佳，并没有影响到业者投资扩产动作，资本支出前三大厂依序为三星、英特尔、海力士等，与去年排名相同。

以资本支出年增率最多的业者来看，则以台湾三大DRAM厂为首。南亚科今年要兴建自有12寸厂，资本支出放大至18亿美元，较去年大增13倍；力晶本身资本支出与去年相若，但其与尔必达合资的瑞晶今年仍要投入约20亿美元扩建两座12寸厂所以若合并计算力晶及瑞晶的资本支出，已跃居全球第四大厂；茂德同样扩建中科12寸厂，今年资本支出逾18亿美元，较去年增加一倍以上。

台湾业者 还是很有信心

主攻NAND闪存及利基型DRAM的三星、东芝、奇梦达等业者，今年资本支出也有高年增率，如三星本身资本支出较去年减少17％，但美国奥斯汀厂（Austin）资本支出约达12亿美元，等于三星今年集团资本支出其实已上看70亿美元；奇梦达因决定在新加坡兴建12寸厂，今年资本支出也较去年增加42％。

巨幅的资本支出，代表了新供给也将快速成长，但需求却没有那么乐观。尽管微软Vista一上市就销售数百万套，但硬件人士指出，试用版与家用版对内存的需求不同，多数初次体验Vista的计算机使用者，内存容量的扩充相当有限。

至于英特尔Santa Rosa的推出，也不能让消费者提高DRAM搭载率，只有真正家用版、完整版的Vista能够让搭载率拉高至2GB，然因第一版Vista问题不少，消费者都在等待第二版出来后，才会升级改用Vista操作系统，因此第3季就算新硬件平台刺激计算机销售量，但恐怕对DRAM价格仅具有止跌效果。

不过，台湾业者还是很有信心。茂德就指出，今年PC的年成长率约一成，加上单一PC内建内存容量将从去年的800Mb，提高到1G，甚至1.5GG，光是P C内建内存容量的年成长率至少就高达65％到100％。

至于供给端的部分，除了三星成长100％外，其余厂商的扩充幅度都没有那么大，就像茂德今年产出成长虽超过8成，但有部分产能是要跟海力士均分的，因此供需状况没有想象中那么恐怖。

不论如何，现货市场几近崩盘的跌势已现，而且是在大陆五一黄金周以后，照道理是厂商开始要回补库存的时候，选在此时让现货价格大跌，显然有刺激买气的策略思考。但通路与模块厂商已经大受伤害，手中的库存跌价严重，5月的亏损恐怕是难以避免的了。

科技投资网  2007/5/24

纬创(3231)4月份由于新旧机种转换，因此单月出货量仅70万台，而原本预计在5月开始出货的宏碁(2353)新机种将递延到6月才出货，法人预估纬创5月NB出货量为75 万台，6月在宏碁订单开始出货后，预估出货量将达95万台，下半年在宏碁和Dell的新机种NB出货加持下，第四季单月出货量可望挑战150万台。

纬创第一季NB出货213万台为全年谷底，第二季因新旧机种转换，故预计只微幅成长至240万台，法人预估纬创第二季营收为553.15 亿元，在毛利率方面，由于目前DELL 订单还是以空机为主，因此毛利率仍大致维持在第一季水平变化不大，税后EPS预估为1.04元。

纬创下半年的NB出货中，除了HP、宏碁及联想订单之外，去年接到的小量机种DELL订单，将于第三季开始出货，另外由同业转来的DELL的300万台订单，也将于第四季小量出货，预计第四季单月出货量可望挑战150 万台。

在非NB 代工订单方面， LCD TV 日系大厂订单将在下半年开始大量出货，预估纬创全年LCD TV 出货量将达100 万台，工业用PDA及GPS预估今年出货量，分别为40至60万台及100万台的水平，法人估纬创第三季和第四季的营收，分别为793.43亿元及1025.05亿元，税后EPS各为1.42元与1.79元。

玉山证券预估，纬创今年NB出货量，将由去年的1,000万台增加到今年的1,200 万台左右，加上LCD TV 及手持式产品订单也大幅成长，下半年营收和获利将大幅提升，全年营运将逐季成长，预估纬创今年营收可成长32％达2887.6 亿元，税后净利65.02亿元，税后EPS为5.11 元。

巨亨网   2007 / 05 / 24    赵健君／综合外电

美国内存制造商Micron Technology (MU-US；美光科技) 表示，数字相机和 MP3音乐播放机普遍使用的固态闪存 (flash)，成为硬盘的替代性产品，只是时间早晚的问题而已。

全球最大网络设备展Interlop本周在拉斯韦加斯举行，Micron在会场上促销新的内存标准RLDRAM(reduced latency DRAM；低延迟DRAM)，此产品可更快存取数据，并进行数字影像处理，用于网络、家用及企业的各类硬件。

硬盘较耗电，会产生较多热能、存取数据也较慢。Micron市场研发营销副总Dean Klein在谈到闪存取代硬盘的可能性时表示：「我们认为，NAND可用在各类的储存市场。」

新创公司和一些大型数据中心 (data center)正尝试使用闪存，做为企业储存数据用。他坦承，数据中心使用NAND flash，基础设施要做一些改变。

目前大型储存系统将许多硬盘机连结，都有特定规格的控制器和线路互连(interconnect)技术，如果改用闪存，为了发挥最大效能，就必须重新设计。此外，闪存价格也需跌至较合理水平，让企业觉得高成本有其效益。

Klein预测，此一世代交替，将由网络网碟(network-attached storage)装置制造商开始，这些公司将提供另一种选择给需要提高储存容量的企业。

不过，Micron并未与任何硬件公司合作研发此类产品。 Klein说：「我们只是低价生产NAND，并教育人们如何使用。」

但改用闪存为储存装置已默默展开，最先出现在高阶的笔记型计算机(NB)和行动装置。根据市场研究公司iSuppli估计，目前使用flash来储存数据的NB虽寥寥可数，但 2年内将急增至 50%以上。 Samsung就在 3月推出64GB的固态快闪记忆磁盘。

Klein 指出，数据中心使用的硬盘不会被淘汰。未来数量可能减少，主要做为较少存取的长期储存装置使用。

哈尔滨IT网  2007.05.24

业界消息指出，为了挽回内存产品不停大幅降价带来的损失，DRAM厂商已经开始削减DRAM芯片的产量。

DRAM厂商同时希望这能有助于DRAM芯片在第三季度回到供需平衡的状态，价格也趋于稳定，甚至抬升。

在经过了半年的持续降价后，DRAM内存芯片的价格目前已经趋于稳定，但厂商的损失仍然不轻。

目前DRAM芯片的平均价格在1.10美元左右，逼近90nm工艺、12英寸晶圆厂的生产成本。如果再降低0.2-0.3美元，DRAM厂商将宁可停产，也不愿意继续赔钱。

电子工程专辑  2007年05月24日   

PCPOP.COM   2007年05月24日   吴愧

 市调机构DRAMeXchange指出，5月下旬仍未见到DRAM现货市场有明显的需求，令DRAM现货价格持续下调，再度出现10%以上跌幅。其中DDR2 512Mb (64M×8) 667MHz eTT颗粒的最低价为1.32美元，相较上周在1.35～1.50美元之间盘桓跌势明显，而DDR2 512Mb (64M×8) 667MHz最低曾报1.50美元水平。相较之下，DDR则呈现缓步下跌的状态，DDR 256Mb/512MB 400MHz跌幅只有3.5%。至于SDRAM，在供给与需求皆稳定的状态下，价格持平。

 据了解，由于合约价不断下滑， DRAM厂早已处于亏损状态，在面对PC OEM厂商不断提出的低价需求，DRAM产出又持续增加的情况下，为了去化产能只好接受越来越低的价格，才会造成过去半季的连串跌价。这种现象在DDR2 512MB U-DIMM 667MHz来到了17.00美元之后，五月下旬的合约价有逐渐回稳的趋势，跌幅也缩小。甚至部份厂商在五月份上旬已经先反应跌幅，因此下旬价格与上旬持平。面对供过于求的产业现况，部份DRAM厂商在不堪亏损的情况下，近期已将一些DRAM产能转往生产其它产品，此举将有助于舒缓6月以后的供需失衡现象。

技术在线   2007/05/24  

瑞萨科技已开始着手开发面向新一代高性能CISC型微控制器的新架构CPU。开发产品为16位和32位的CPU。计划在2008年早些时候公布新CPU的规格。设想用于PC/OA/网络设备、民用产品、产业设备及汽车等。

目前该公司面向CISC微控制器的产品包括16位CPU“M16C”和“H8S”以及32位CPU“R32C”和“H8SX”。其中，原三菱电机的M16C和R32C，其优势在于代码效率高，而原日立制作所的H8S和H8SX则以高速数据处理性能为卖点。

图1：新CPU的定位

图2：保持与现有CPU的兼容性

图3：新CPU的应用计划

此次开发的CPU，在兼顾上述现有CPU的高代码效率和高速数据处理性能的同时，还进一步降低了耗电量。具体来说，与现有的CPU相比，代码大小约降至2/3、最大工作频率增至5倍、运行性能（MIPS/MHz）增至2倍、消耗电流（mA/MHz）降至1/2。比如，工作频率支持20MHz～200MHz。

新开发的CPU与上述4款现行CPU内核具有兼容性。也就是说，可沿用面向现有CPU的软件资产和周边电路。软件资产方面，可对现有的C语言描述用源程序和汇编程序进行再利用。同时，还可沿用设备驱动程序的现有API。在基于新CPU的产品的开发环境方面，在该公司标准开发环境“High-performance Embedded Workshop”下，可实现现有微控制器的软件资产的转移、新开发以及调试等。

配备新CPU的微控制器采用90nm以下的半导体技术进行制造。首先，将于09年第2季度投产90nm工艺的配备新CPU的闪存内置型微控制器。通过采用90nm工艺等，内置闪存的容量最大可增至原来的4倍。“将逐步在65nm和45nm工艺中采用新CPU”（该公司微控制器统括本部 微控制器产品技术统括部统括部长川下智惠）。

关于现有的CISC型CPU——M16C、H8S、R32C、H8SX，该公司将继续扩充产品、提供技术支持、进行生产。老式CPU将按照工艺技术的不同与新型CPU区分使用。“在定位方面，新型CPU应用于90nm以下的工艺，而现有的4款CPU则面向130nm以上的工艺”（瑞萨的川下智惠）。

DIGITIMES  2007.05.24  连于慧／台北

新帝(SanDisk)近期在NAND型闪存( Flash)产业策略联盟动作频频，不断授权最先进的x4(4-bit-per-cell)技术给海力士(Hynix)，为未来的NAND Flash市场布局，更与奇梦达(Qimonda)针对DRAM合作方面合作，并共同开发MCP芯片，进一步地布局手机市场，日前再度与微软(Microsoft)合作针对PC中记忆卡和随身碟的标准规格，所有的动作都是为了未来的NAND Flash市场做准备。

新帝虽然是全球最大的快闪记忆卡供货商，这几年受惠记忆卡应用兴起，在全球知名度大大增加，然新帝其最赚钱、利润最高之处，在于NAND Flash的专利和技术，还有快闪记忆卡上的规格所有权，记忆卡、随身碟、MP3播放器的销售，只是NAND Flash专利和技术的应用而已。   近2年来因为NAND Flash价格大幅往下修正，各厂之间杀价竞争激烈，加上产品成熟化，因此记忆卡的销售利润越来越薄，尤其是2007年初NAND Flash价格大跌，更是让新帝财报亏损，且预估的全年毛利率大幅缩水，新帝已渐渐将布局重心放在NAND Flash技术和专利规格上。

首先，是与海力士官司的化解，并且直接与海力士签订下世代内存x4的技术。一直以来，新帝在MLC(Multi-Level Cell)技术上处于领先地位，自己内部也研发3-bit-per-cell的技术，2006年底购并msystems后，更是顺利获得x4，这将是未来NAND Flash产业最重要的技术，对于产品的成本结构相当有帮助。

再者，新帝也与奇梦达合作手机内存MCP芯片的开发，采用新帝的NAND Flash和奇梦达的DRAM产品，共同组成手机MCP芯片，这是新帝布局手机内嵌式内存相当重要的一环，未来新帝的方向是外接式记忆卡和内嵌式内存双管齐下发展。

日前新帝再与微软合作未来PC中记忆卡和随身碟的标准规格，由软件巨擘微软来提供软件的平台，新帝负责硬件制造和NAND Flash技术的研发。

这样的标准规格算是新帝在U3平台技术的延伸，未来若是搭上Windows平台来推广，将会相当容易普及，未来随身碟和记忆卡的标准规格都将是由微软和新帝掌握，若是仿效U3模式，或是SD卡方式来收取权利金，对新帝而言，将是另一项成功主导规格的案例。

2007年新帝的营运虽然看起来有段艰辛的路，然未来新帝最成功之处，将是目前耕耘的各种规格技术。试想，现在每卖1张SD记忆卡，就会被新帝主导的SD协会收取6%权利金，若是与微软主导的规格成功，等于是每卖1张记忆卡或是1支随身碟，可能会被再收取1次权利金，新帝光是这些权利金的收入，即相当可观。

新帝最惯用的技巧，就是将研发出的各主规格送进标准协会中，让此规格成为全球产品的标准，并以广泛策略联盟的方式，吸引大家来共同合作，过去SD规格如此，现在新帝在做的布局，何尝不也是如此？

经济日报     2007.05.24    记者曹正芬／台北报导

联发科3G WCDMA手机芯片进度可望提前，德意志证券昨（23）日表示，联发科3G WCDMA芯片已对大陆客户进行场域测试（field testing）和小量送样，明年上半年应可出货，随后推出大陆3G手机芯片（TD-SCD-MA），完成在3G和3.5G市场布局，可望是2009年营收与获利成长动力。

联发科短线涨幅逾三成，本周来出现回档，昨天股价下跌7元，以486元作收。但德意志证券和法银巴黎证券昨天同步针对联发科发布研究报告，维持买进（buy）评等，并认为联发科在业绩面和海外存托凭证（DR）带动下，本益比持续拉高，巴黎证券一口气调升联发科目标价调高至700元，居外资圈之冠。

德意志表示，联发科3GWCD-MA芯片进度较预期提前半年，至于进攻大陆市场的TD-SCDMA芯片可望于明年下半年出货，进度较部分对手落后，恐影响未来在大陆市场表现。联发科今年推出整合蓝芽、电源管理IC等手机芯片、再搭配GPS芯片，明年下半年将GPS功能整合到手机芯片中，在手机芯片市场发挥整合的优势。

联发科表示，3G WCDMA手机芯片目前进入场域测试阶段，要出货可能还需时间，目前仍照进度走。联发科目前成为大陆最大的中低阶手机芯片供货商，3G成为联发科的新挑战，联发科目前从WCDMA和WiMAX无线远距通讯双管齐下。德意志证券维持联发科买进评等，但也表示，联发科的TD-SCDMA芯片明年下半年才会推出，进度落后主要竞争对手。

法银巴黎证券认为，联发科来自全球手机和电视芯片成长动力仍强，2006年到2009年年复合成长率约25%，联发科董事会通过发行海外存托凭证（DR），基本面和筹码面均有助拉高联发科本益比。

法银巴黎证券表示，联发科3G芯片预估后年量产，联发科未来推出整合GPS的手机芯片，有助提高产品竞争力，因此提高联发科今、明年手机芯片出货量至1.06亿、1.56亿颗，比去年6,600万颗大幅成长，联发科今、明年营收年成长率分别为33%和25%。