Archive - 五月 23, 2007

经济日报  2007.05.23  陈盈羽台北 

美林证券大幅调降台湾和亚太地区内存类股的评等，认为在未来6到12个月，内存景气完全没有回升的迹象，且价格下降的同时，业者资本支出仍大幅成长，更不利景气复苏，目前不是投资半导体类股的好时机。

由于景气有疑虑，美林决定将韩国三星电子、海力士和力晶（5346）的评等调降至中立，并将南科（2408）、茂德（5387）的评等调降至「卖出」，并重申对华亚科（3473）的「卖出」评等。

美林提醒，DRAM景气循环尚未到达谷底，并强调大部分的芯片制造商，不只今年、甚至到明年，都将维持其资本支出的计划和金额，这与上一次民国85年、86年景气大幅下滑情形十分类似。当时的情况为芯片售价与变动成本相当，但是供货商的资本支出仍占营收50%以上。

美林强调，力晶、茂德、美光、奇梦达等目前股价净值比约一倍，看来合理，只是一旦发生亏损导致净值下滑，那么股价净值比可能很难维持在目前的水平。。

虽然DRAM的价格近期可望小幅反弹，但是美林认为，DRAM产能增加的情况并未减缓，所以价格不会大涨。另外，DRAM厂也不会降低产能利用率，因为DRAM目前的价格仍高于变动成本，供给量不减少，价格不易止跌。此外，在资产负债表仍健康、筹资容易的环境下，也未见到DRAM厂合并。

NAND制造商也不被美林看好，在DRAM疲弱的情形下，韩国厂可以轻易的增加NAND产能，现在全球DRAM产能是NAND的2.5倍，因此从DRAM转到NAND的潜在产能相当大，预估今年全球的NAND营收将下滑10%，后年再上扬8%。

工商时报  2007.05.23　涂志豪、邱诗文/台南报导

超微合并绘图芯片大厂ATI后成立视觉与媒体事业部门（AMD-ATI），虽然迟至本月初才正式宣布推出新款支持DirectX10的R6xx系列绘图芯片，但AMD-ATI与台积电昨（二十二）日共同宣布，新款芯片将全数导入六五奈米制程投片，且在不到十年时间，台积电总出货量合计已达二百万片约当八寸晶圆，为双方合作立下重要里程碑。此外，六月后NVIDIA及AMD-ATI扩大下单，高通、博通、德仪、Altera、飞思卡尔等大厂新订单陆续到位，设备业者透露，台积电十二寸厂产能利用率可望在七月达到一○○％满载。

NVIDIA去年底就推出DirectX10世代绘图芯片G80，四月中旬亦推出中低阶芯片G84及G86，但全数采用八○奈米制程。超微去年合并ATI后，迟至本月初才正式宣布推出新款支持DirectX10的绘图芯片，不过为了与NVIDIA对抗并抢回失去的市占率，AMD-ATI这回一口气推出R600、RV630、RV610等三款芯片，全数采台积电六五奈米制程。

由于第三季是传统绘图芯片销售旺季，AMD-ATI为了提高回击NVIDIA产品线能力，绘图卡端已传出，AMD-ATI将在第三季末推出更高阶的六五奈米芯片R650，同时年底前亦将推出采用六五奈米半制程五五奈米的R700。当然NVIDIA为了回应AMD-ATI的步步进逼，第三季亦将推出六五奈米制程的G80系列改版芯片。

虽然NVIDIA及AMD-ATI打的火热，但二家大厂的六五奈米订单均集中下在台积电，所以台积电第三季十二寸厂产能已传出不足消息。据设备业者指出，台积电第三季在六五奈米接单上的成长力道十分强劲，除了二大绘图芯片大厂订单外，内存大厂飞索半导体（Spansion）提高投片量，高通、博通、迈威尔（Marvell）、德仪、Altera、飞思卡尔、意法半导体等大厂，亦扩大对台积电十二寸厂的订单量，因此若订单如期到位，台积电十二吋厂产能利用率将在七月达到一○○％满载水位。

中央社 2007.05.23

DRAM 厂不再低价抛售，加上部份模块厂开始收货，DRAM现货价今天出现反弹走势，根据集邦科技调查，DDR2 512Mb ETT均价回升至1.39美元，涨幅约2.2%；业者表示，DRAM价格是否就此止跌回稳，仍待进一步观察。在市场供需依然失衡情况下，5 月DRAM价格持续破底，DDR2 512Mb ETT均价在跌破 2美元关卡后，近期进一步跌破1.5美元，下探1.3美元低水位。今天DDR2 512Mb ETT均价回升至1.39美元，涨幅约2.2%，另外DDR2 512Mb 667MHz均价也回升至1.71 美元，微幅上涨约0.58%。业者表示，由于目前DRAM价格已跌破DRAM厂变动成本，部份厂商不再低价抛售，另外，部分模块厂也开始趁低收货，带动今天DRAM现货价反弹；不过，DRAM价格是否就此落底，仍无法确定。集邦科技指出，面对供过于求的产业现况，部份DRAM厂商不堪亏损，近期已将部分DRAM产能转往生产其它产品，有助于舒缓下半年DRAM市场供需失衡现象。

巨亨网   2007 / 05 / 23

   在硅品 (2325-TW下单)今(23)日涨升突破上档所有反压，激励欣铨 (3264-TW)大涨，涨幅达4.5%以上，也带动邻居兼同业台曜电 (3265-TW)涨升于半根停板。因晶圆双雄频传获国际大厂订单，产能利用率快速提升，及进入消费性电子产品旺季，IC封测厂商业积及获利将直接受惠。  

在中场之后，硅格 (6257-TW)、华东 (8110-TW)陆续呼应急拉，涨幅达半根停板；日月光 (2311-TW)、京元电 (2449-TW)、超丰 (2441-TW)、泰林 (5446-TW)涨幅有超过2%。

今日台积电 (2330-TW)、联电 (2303-TW)均传出获得国际半导体大厂新订单，产能利用率将持续快速拉升，可望带动IC封测厂商后续业绩与获利。其中，台积电在众多大厂订单涌至，预计 7月产能利用率达到100%满载。联电则传接获美商赛灵思(Xilinx)新订单，第2季12寸厂产能利用率达 75%。

在晶圆双雄后续业绩抢抢滚，后段封测配合的封测厂商日子当然一天比一天好；其中，晶圆测试厂商欣铨、台曜电第 2季原预估回升幅度不大，但现在确定第 3季来自晶圆双雄等大厂订单需求强劲，今日同步大涨突破上档反压。

硅品第 1季营收及获利高于法人预期，也持续预期第2季营收将持续成长；其中，主要客户之一联发科(2454-TW) 为第 1季业绩成长主因之一，在联发科第 2季手机芯片及数字芯片出货维持畅旺，加上其它大厂订单、及开发出内存大厂订单，硅品预期营运逐季攀升。

在 DDRⅡ现货价大跌，股价连日盘挫的东华今日盘中急拉突破上档下压的月线反压，泰林则连续第 2天反弹，也克服上档压力；至于，已下跌整理多日的力成(6239-TW) 今日拉至平盘，但上档压力还有待努力。

法人表示，外资持续释出对于DRAM供过于求的负面消息，华东、泰林、力成短线走势仍有考验。不过，在封测双雄、力成等配合客户扩产增购内存设备，IC封测冷门股讯利电 (5455-TW)设备销售大好，今日也突破整理，早盘快速涨停。

巨亨网   2007 / 05 / 23   赵健君

   半导体产业龙头Intel Corp.(INTC-US)与STMicroelectronics NV (STM-FR；意法半导体)将切割闪存 (flash)部门，并在私募股权公司FranciscoPartners的协助下成立新公司，反映出此部门对公司业务造成的压力。

 闪存主要用于行动电话储存数据，但价格快速下跌，而且研发新产品所费不赀。两家公司表示，双方闪存单位合并，将可避免芯片研究工作重迭，并将制造业务整合为较少的工厂，营运效率也可提升。

 Intel 将取得新公司 45.1%股权，并出资4.32亿美元，意法半导体持有 48.6%股权，出资4.68亿美元。Francisco Partners则投资 1.5亿美元买下可转换特别股，持股比重6.3%。根据市场研究公司 iSuppli的报告， Intel和意法半导体是2006年全球第2、3大 NOR闪存制造商，合计营收将超过龙头Spansion(SPSN-US)。

 新公司也会接手意法半导体规模较小的NAND业务。两家公司高层表示，新公司将以手机用NAND芯片为业务重心，以减轻对 Intel另一合资公司IM FlashTechnologies LLC的潜在竞争压力。

 Intel 自1696年开始生产内存芯片，此协议是1980年代以来又一次鸣金收兵。近来，闪存成为公司沉重负担，去年营收虽有22亿美元，但营业亏损达6.38亿美元。

 这两家公司面临的问题是，南韩SamsungElectronics Co.(005930-KR；三星电子)已跨足 NOR市场。 Samsung有能力以12吋晶圆生产闪存，相较之下， Intel和意法半导体仍使用效率较低的 8寸晶圆。

 新公司将主要使用 Intel在以色列的工厂和意法半导体的新加坡厂，也许会在西西里岛的工厂装上生产12寸晶圆的设备。新厂总部设在瑞士，员工8000人。Intel表示可能会提列重整费用。

 Lehman Brothers 分析师Tim Luke表示，此协议可能减轻快闪记应体市场的杀价压力。

华强电子世界网    2007.05.23

记忆卡封装产业因小型记忆卡风行，自2006年中开始陷入一窝蜂投资的现象，众家封装产能持续开出。即使2006年经历控制IC或晶圆缺货的危机，但自2007年第2季起仍持续扩产。有业者认为，目前记忆卡封装产能已过度投资，预测下半年代工价格可能低至0.6美元，远低于2006年同期的1.5美元，此价格已让小厂出现亏损的情况，届时恐将会使小规模的封装厂面临淘汰的命运。

小型记忆卡封装厂第1~2季末出现缺料危机，部分业者如华泰电子、台湾典范半导体出现客户拿不到Flash的情况，使出货数量锐减，客户下单量和原先预估订单之间的落差达50%。另外，也有业者如硕达科技因拿不到控制IC，而使3月亦出货不顺。不过，缺料情况已于5月逐渐好转，封装厂预期市场需求可望回温。

台湾记忆卡封测厂看好小型记忆卡商机，2006~2007年记忆卡封测产能大举增加，既有封测厂如矽品、华泰、力成、典范、硕达等增加成卡封测的产能，而新公司如群丰科技、坤远科技也陆续成立，另有华东、菱生、福懋科于2007年亦宣称将进入成卡封测市场。以现今初步所得的月产能粗估，各家厂商在第2季普遍有扩充产能的计划，包括力成、坤远、群丰、硕达和华东等，合计到年中台湾封测业月产能达4,500万颗。

记忆卡封装代工费用自最早的2美元，在2006年中滑落自1.5美元，如今已落至0.8~0.9美元。2007年第2季又有新产能开出，部分业者指出，现有过度投资的情况，已有小型厂商因亏损不堪而倒闭，预测下半年代工费用可能会出现0.6美元的价位，届时将会有更多的小厂将面临淘汰的命运。依照成本结构推估，代工费用约0.8美元，其中材料成本约0.4美元，加计其它人事、租金费用等等，毛利约0.2~0.3美元，倘若代工价格降至0.6美元，扣除材料等其它成本，毫无获利空间可言，届时小厂因无法达到经济规模，生产成本降不下来，势必提高生存难度。

惟部分业者对产业依旧十分乐观，认为最快2008年才会出现产能供过于求，届时将依规模、质量和良率，决定哪些厂商才能生存。而典范表示，记忆卡封装产业自2006年中才开始盛行，市场还在成长，下半年产能应不致于供过于求。

巨亨网    2007 / 05 / 23   记者：叶文义／台北

  联电 (2303-TW下单)第 2季接单好转，12寸厂产能利用率提升，董事长胡国强预期第 2季12寸产能利用率可达75%，第3季将快速上升。同时联电45奈米制程传出捷报，已接获美商赛灵思(Xilinx)订单。在利多簇拥之下，联电股价今(23)日开高走高，涨幅一度逾4%，盘中突破20元大关，创下今年3月来新高。

联电12寸厂第 1季产能利用率不到 60%，但第 2季起陆续接获德仪、绘图芯片恩威迪亚、超微的中低阶订单，产能利用率快速爬升。

南科12寸厂 (Fab 12A)原预估本季底月产能 3.2万片，因订单回流速度加快，目前决定在季底前扩增至3.5 万片，下半年再扩增至4万片。

此外，联电先进制程45奈米亦传出捷报，美商赛灵思(Xilinx)已开始下单联电南科12寸厂，成为联电首家采用45奈米制程的客户。赛灵思目前在联电的45奈米仍在试产阶段，旦据了解，投片过程十分顺利，明年中旬后应可正式量产投片。

联电今日在利多簇拥下，股价大涨，带动台积电(2330-TW)、世界先进(5347-TW)走势。世界先进第 2季产能利用率满载，淡季不淡下，走势最强，盘中逼近涨停，股价并创下2005年 8月以来近20个月新高。

IT168.com    2007.05.23

合约市场方面，在合约价不断下滑的走势下， DRAM厂早已经是处于亏损状态中，面对PC OEM厂商不断提出的低价需求，DRAM在产出持续增加的状态下， 为了去化产能而接受越来越低的价格，而此迹象在DDR2 512MB U-DIMM 667MHz来到了17美元之后，于五月下旬有逐渐止稳的迹象， 五月下旬合约价可望跌幅缩小。甚至部份厂商五月份上旬已经先反应跌幅，因此下旬价格与上旬持平，在面对供过于求的产业现况，部份DRAM厂商不堪亏损下近期已经将一些DRAM产能转往生产其它产品，将有助于舒缓6月以后供需失衡状况。

技术在线  2007/05/23  

　  国际半导体设备暨材料协会(SEMI）公布的调查结果显示，在2007年半导体厂商的总投资额中，实际有85％是面向300mm晶圆生产设备（英文发布资料）。半导体生产能力2007年按200mm晶圆换算增加了约2300万枚。比上年增加了16％。内存生产能力比2006年增加33％，300mm晶圆工厂整体的生产能力预计提高了50％以上。

　　2006年的设备投资增长率约为25％，而SEMI预测2007年将减速至约3％。2007年工厂建设投资额的增长率预测约为4～5％。不过，2008年与设备和工厂建设相关的投资均将强力恢复。2007年，将有30个以上的大规模工厂建设项目以80亿美元的投资动工。2007年建设的工厂大部分预定2008年开始生产，建设投资额截至2008年预计将达到100亿美元。此外还将有30个工厂于2007年开始量产，而且还有16个工厂预定在2008年第3季度之前开始量产。

　　从不同地区来看，在2007年的设备投资中，日本和台湾各占20％。美国和韩国的投资额各占约18％。亚太地区（不包括日本）占全球总投资额的53％，预计投资额达到200亿美元以上。面向东南亚地区的投资仍然较少，不过面向工厂建设的投资趋于增加。拉动该地区投资的企业包括美国IM Flash Technologies、新加坡特许半导体制造、新加坡TECH半导体、德国奇梦达等，均在新加坡设有开发点或者公司。这些厂商在新加坡的设备投资额预计将从2007年的18亿美元增至2008年的30亿美元。

工商时报  2007.05.23    张志荣/台北报导

五月下旬512Mb DDR2合约价再跌6.7％、今年以来跌幅已达70％的消息，昨（二十二）日被外资圈喻为「开始进入烧钱（burn cash）阶段」，对DRAM产业前景转趋疑虑的美商美林证券更是全面性调降全球DRAM族群投资评等，评估部分厂商未来六至十二个月也难有转机。

若从1.81美元的合约价来进行成本效益分析，美商高盛证券半导体分析师蔡笛韵以2.2与1.8美元作为90与70奈米加计折旧后的die成本指出，十二寸厂单月四万五千片产能还能以70奈米制程达到损益两平，但90奈米制程恐将出现1400万美元的亏损。

花旗环球证券南韩半导体分析师Jay Choi就指出，现在DRAM产业已正式进入「烧钱阶段」，「烧钱」的定义为：DRAM业者已无法从营运阶段产生正的现金流量（EBITDA），也就是说，从营运端所挣得的营收将无法大于变动成本，因此，DRAM业者在烧钱阶段若还不知削减资本支出，最终结果就是会步向财务恶化的境地。

既然已进入「烧钱阶段」，各大厂比的就是谁的本钱粗，Jay Choi指出，以忍受（endure）期间来看，三星电子可撑最久、约为12季，其余DRAM业者平均只能撑2.56季，其中美光为3.6季、力晶与南科则分别为2.3与2.1季，茂德最短，只能撑1.3季。

Jay Choi还是看好DRAM产业前景，但他认为可选择的标的已不多；看法更悲观的美林证券南韩半导体分析师禹东济则是全面性调降全球DRAM产业投资评等，体质较佳的三星电子、海力士、力晶调降为「中立」，而南科、茂德、华亚科则列为「卖出」。