Archive - 五月 17, 2007

中关村在线   2007.05.17

近期主要NAND Flash大厂对2H07的市场看法都表达了较乐观的看法，除了东芝预期自2Q07起NAND Flash价格将趋稳外，三星也对NAND Flash今年第二季和下半年的市场供需状况以及其在NAND Flash制程和产出方面都表达正面的看法。有见于在各NAND Flash应用产品的储存容量持续上升，且NAND Flash供货商的产能并未相对增加的情况下，三星电子预期今年下半年NAND Flash市场将会出现缺货的情形。

对于今年第二季的市场状况，三星认为这个时间点手机和数字相机市场对记忆卡的需求仍呈现稳定的状态，而标准记忆卡的市场主流容量目前已增加到2GB（主要是因市场价格已在20美元左右）。另外，有MP3  Player厂商看好下半年的市场需求，已于今年第一季开始进行NAND Flash的备料动作。在产业供给部分，三星认为整体NAND Flash供给端的产能有下降的情形出现，晶圆的产出增加率从去年第四季的4%已下降到今年第二季的1%。

三星也计划使用50奈米生产的NAND Flash的产出比重会从第二季的10%增加到年底的30%；而8Gb NAND Flash颗粒的产出比重将从第一季的60%增加到第二季的75%。

DRAMeXchange认为今年NAND Flash市场的需求是处在比较正常稳定的状态，各种主要的应用产品对NAND Flash的单位需求量都还在持续往上，而主要供货商目前暂时仍未有将其部份DRAM的产能转回生产NAND Flash的计划。因此，今年NAND Flash市场的供需和价格会有较为平稳的发展，对整体产业的上中下游业者来说这样的情况是大家所乐见的。

最后，DRAMeXchange将5/7和5/14的NAND Flash现货收盘价做一比较：1Gb的价位从2.06美元下滑到2.02美元，跌幅为1.9%；2Gb从2.3上涨至2.33美元，涨幅1.3%；4Gb从4.27微幅上涨至4.29美元，涨幅0.5%；8Gb则从7.40上涨至7.52美元，涨幅为1.6%；16Gb从15.86上涨至

走进中关村   2007.05.17

力晶茂德本月营收可能分别跌破60亿与40亿

DRAM主流规格512Mb DDRⅡ现货价继15日跌破1.5美元的心理关卡后，引发交易商恐慌性卖压出笼，512Mb DDRⅡ现货价昨（16）日再度重挫4.53%，来到1.35美元的历史新低价位，目前市场传出个人电脑（PC）大厂平均库存超过一个月，现货价格恐有朝1美元的低点测试，DRAM厂5月营收将较4月再度下滑，第二季亏损几已成定局。

交易商私下表示，全球PC大厂目前库存去化状况不甚理想，包括宏碁（Acer）、惠普（HP）、戴尔（DELL）等大厂，目前平均库存均超个一个月，市场买气严重缩手，将导致下周DRAM价格持续盘跌，目前市场甚至有人预期会跌到1美元的低点。

不过，国内DRAM大厂南科（2408）发言人白培霖昨日表示，现货价下探1美元虽然不合理，但目前看来不是不可能，如果后势真的跌到1美元，将跌破所有厂商的变动成本。目前惠普等PC大厂的库存应该不到一个月，且一个月的库存水位本来就属合理。

茂德（5387）发言曾邦助指出，目前DRAM价格看来确实“不太妙”。当初市场均预期不致跌破1.5美元，如今跌到1.35美元，后势是否下探1美元，目前已不敢打包票了。

曾邦助说，目前杀至现货市场的货应该不是DRAM厂家，而以交易商（trader）的可能性最大，至于PC大厂目前库存水位也难以判断，毕竟PC大厂希望原料取得成本愈低愈好，不可能将实际库存水位透露出来。

曾邦助表示，当初预期4月营收将触底、5月开始小幅回温回弹，但目前看来不太乐观，如果下半月，价格还是没有反弹，5月营收应该会较4月再下跌。

力晶（5346）、茂德4月营收受DRAM价格大幅走低影响，均创将近一年来的单月新低记录，且同步较3月下滑逾二成，南科4月营收亦较3月下滑逾14%，仅华亚科（3474）受惠于新产能的开出，营收逆势较3月成长不到4%。目前DRAM价格持续破底，力晶5月营收恐面临60亿元整数关卡失守，茂德也有可能跌破40亿元大关。

DRAM价格破底，厂商第二季面临亏损危机，恐牵动股价下探之虞。南科昨日股价下跌0.2 元、收27.7元，力晶股价平盘作收、收20.05元，茂德股价小涨0.05元、收13.1元，华亚科股价亦持平收场、收37.9元。

存储时代  2007.05.17  

德国奇梦达（Qimonda AG）公布了2007财年第2季度（07年1～3月）结算。第2季度的销售额比上年同期增长了6.0％，为9亿8400万欧元；税前利润（EBIT）超过了上年同期的4倍，达到8500万欧元；纯利润为5700万欧元，由上年同期900万欧元的亏损变为盈利。奇梦达是将德国英飞凌（Infineon Technologies AG）的内存业务独立出来于06年5月成立的。

奇梦达07财年上半年的销售额比上年同期增长了34.3％，达到21亿5700万欧元；EBIT为3亿3500万欧元；纯利润为2亿3400万欧元；EBIT和纯利润分别由上年同期的1亿200万欧元、1亿3600万欧元的亏损转为盈利。

在价格竞争激烈的市场背景下，销售额与利润双双实现增长，主要得益于产品种类齐全。生产线方面，目前正逐渐向90nm工艺以下过渡，开工率则提高到了60％以上。与其他公司的合作也为压缩生产成本做出了贡献。

第二季度销售额增加，主要是因为总供货bit数比上年同期增长了30％。非个人电脑领域的供货占同期总供货bit数的50％。各地区的销售额比例为：北美36％、欧洲22％、日本11％、亚太31％。

07财年第三季度方面，由于美国里士满的300mm生产线产能提高、与台湾南亚科技公司（Nanya Technology）的合资公司——台湾华亚半导体公司（Inotera Memories）的投产，再加上80nm工艺以下生产线产能增强带动的开工率提高，预计总bit数将增长8～12％。非个人电脑领域的供货，按供货bit数计算预计将超过50％。

07财年全年业绩方面，寄希望于民用、通信领域持续坚挺的需求和个人电脑方面Windows Vista机型的换购需求。07年市场规模按bit数换算预计将扩大60～70％，为此该公司将扩大生产规模。非个人电脑领域的供货比例预计07财年全年也将超过总供货bit数的50％。

同时，奇梦达近日宣布，作为首批DRAM供应商之一，已开始向重要的主板厂商和超频内存模组制造商提供全新的DDR3组件和模组。奇梦达新一代DDR3 DRAM产品已通过英特尔平台的认证。

奇梦达目前可提供512 MB DDR3 SDRAM组件和具备512MB和1GB存储密度的DDR3非缓冲DIMM。当前提供的这些器件支持800MHz、1066MHz和1333MHz的工作速度，甚至可超频到1600MHz及以上，使它们成为迄今为止行业速度最快的器件。全新高速DDR3组件和模组巩固了奇梦达领先的技术优势，旨在满足个人系统的全部需求，其中包括台式机、笔记本电脑和能够处理视频编辑和高端游戏等数据密集型应用的工作站。

 “2007年，奇梦达DDR3内存技术将使英特尔台式机平台获得更高的性能，更低的功率和更高的存储容量。”英特尔公司高级研究员Pete MacWilliams指出，“我希望DDR3成为未来几年的关键架构。”

 “我们的DDR3-1333器件可提供出众的性能和带宽，而且该模组还具备非凡的超频功能。”奇梦达计算类业务部副总裁Michael Buckermann表示，“DDR3标准组件和模组再次通过英特尔的认证，充分表明我们技术的领先优势，同时也表明奇梦达已做好服务于该新兴市场的准备。”

奇梦达的发展规划是集中精力支持最重要的主流部件，率先推出存储密度为512Mb和1Gb的产品，接下来再推出具备更高存储容量的组件。奇梦达的512MB DDR3组件采用PG-TFBGA-78封装，现已开始供货，并且即将向客户发货。计划2007年下半年实现量产。具备512MB 和 1GB存储密度的非缓冲DIMM（基于512MB组件）现已供订购。目前，奇梦达正与合作伙伴南亚携手开发第一代DDR3 组件。

工商时报   2007.05.17　  涂志豪/台北报导

在华泰电子董事长杜俊元的力邀下，内存模块大厂美国金士顿科技昨日表示，决定以每股新台币九．二元参与华泰二千万股私募，总投资金额约新台币一亿八千四百万元，占私募总额的八％。金士顿强调，华泰及力成的产品线没有重迭或竞争关系，金士顿也不会由力成抽单转至华泰，二家公司将分工合作，未来都将是金士顿在台生产链中重要的一环。

华泰四月底时宣布，将以发行二亿五千万普通股方式进行私募案，私募价格为九．二元，共要筹募二十三亿元资金进行扩产，日前市场传出金士顿将参与私募案，不过华泰一直不予证实，不过金士顿昨日则表示，在华泰电子极力邀请下，最后决定参与二千万股的私募。

金士顿表示，投资华泰主要是「友情赞助」，华泰现为金士顿的USB随身碟及小型记忆卡的封测组装代工厂，但产品线与力成没有重迭或竞争，所以金士顿不会从力成抽单转下华泰。金士顿的经营模式是透过策略联盟方式，建立稳定且牢不可破的供应炼，虽然目前DRAM正面临二千年相同的难题，但金士顿对盟友的承诺不会改变，也会继续支持力成，不会做出对力成公司、股东、客户不负责任的行为。

华泰昨日则表示，对金士顿参与私募一事乐观其成，虽然今年有董监改选，但金士顿没有表达要参与的意愿，华泰现在也未正式邀请金士顿参与董事会。

巨亨网     2007.05.17  记者陈美玲／台北

  随着微软Vista系统发烧热卖以及扩大LED应用领域，散热模块厂第2季可望淡季不淡。超众(6230-TW下单)表示，目前整体接单状况不错， 5月在 Intel(US-INTC；英特尔) Santa Rosa新平台推出后，接单可望持续加温。

散热模块相关个股今(17)日一开盘就呈现以红盘作多，奇鋐( 3017-TW)、双鸿( 3324-TW)、超众、业强(6124-TW)皆在平盘之上游走。

超众表示，由于3月客户提货因超过出货量，因此4月出货将趋缓，不过，5月在NB大厂进行IntelSanta Rosa新平台转换后、新机种陆续出炉，因此接单状况将在5月改善。

在新平台Santa Rosa及微软 Vista双重效应下，散热模块厂业绩可望提前1季发酵，第2季将淡季不淡。

业者认为，散热模块产业在上半年呈现淡季不淡的情况，下半年开始业绩会大幅成长。

DIGITIMES   2007.05.17   连于慧／台北

近期DRAM价格异常疲弱，所谓的「五穷六绝」传统淡季效应发挥的淋漓尽致，512Mb的DDRII eTT颗粒价格再度大跌，目前已接近1.5美元关卡，主要是个人计算机(PC)的市场买气相当疲弱所致，虽然有部分业者仍在期待Vista效应，但似乎也慢慢失效，更多业者担心，若是DRAM价格跌跌不休，目前价格稳定的 NAND 型闪存(Flash)压力也不小，毕竟DRAM和NAND Flash目前已是内存产能中的跷跷板2端，若有一方过于失常，都会影响到另一方的供需平衡。

三星电子(Samsung Electronics)日前表示，自2007年3月开始，终端市场对1GB容量的DRAM模块，其需求量已超过512MB模块，且现在的DRAM芯片价格，对于鼓励消费者升级至2GB模块是相当有吸引力的。

然即使是如此，目前正处于「五穷六绝」传统淡季时期，整体大环境的DRAM需求其实仍是相当萎靡不振，虽然DRAM模块的主流容量已是1GB，但要再鼓励消费者升级至1.5GB或是2GB的模块容量，似乎要再多一点诱因才行，也就是说，DRAM要再便宜一点才行。

2007年下半还会不会有Vista效应，目前各界的看法是从满怀希望，逐渐已变成不抱希望，2006年底就是因为对整体PC 产业的Vista效应怀抱太大希望，不少PC大厂不断囤积库存，到了2007年初，DRAM市场陷入供过于求，芯片价格一路下滑，自此都没有反弹过，现在512Mb的DDRII eTT颗粒价格更是再探1.5美元关卡，需求相当疲弱。

然值得注意的是，虽然目前NAND Flash价格相当稳定，主要是上游大厂的供给量不足，使得整个NAND Flash市场在传统淡季期间，价格还得以维持，然大家也相当担心，NAND Flash和DRAM毕竟是生命共同体，双方共享同样的内存大厂产能，若是DRAM景气再恶化下去，下半年恐拖垮NAND Flash的景气。

DRAM和NAND Flash是分属于不同的应用领域，DRAM市场荣枯主要是紧系PC 产业的需求，而NAND Flash则是偏向消费端的应用，包括数字相机、随身碟、手机等领域，都是牵动NAND Flash供需的关键，但这2项产品线都是目前内存大厂产能分配的主力，因此DRAM和NAND Flash可说是跷跷板的两端，任何一方的供需情况，都会影响另一方。

DRAM和NAND Flash同时大好当然是最佳状况，但事实上，这两项产品很少同时缺货，像是2005年因为iPod nano热卖之故，导致NAND Flash呈现大缺货，价格大幅上扬，但DRAM市场的景气则是相当惨淡；大家最不愿见到的情况是，然DRAM和NAND Flash 2者的景气同时沈沦，虽然此机率或许不高，但眼前不断往下的DRAM价格，已让不少人开始忧心。

依目前情况分析，市场对2007年下半NAND Flash景气预期佳，不过这是基于苹果在下半年推出iPod nano和iPhone将造成热卖的预期，连带创造对NAND Flash的需求，也因此三星电子、海力士(Hynix)等预定的NAND Flash产能，都是超乎内存大厂的预期需求量。

相对的，市场对于NAND Flash新应用上，尤其是固态硬盘，态度可能就比较保守，因为市场普遍认为目前的NAND Flash价格尚不足以取代硬盘，因此要到2008年之后，固态硬盘的效应才会显现。

整体而言，若是苹果iPod nano和iPhone销售状况如预期，能消耗这么多的NAND Flash，那整个市场的供需就不需要如此担心了，然若是苹果销售量低于预期，且DRAM市场的需求继续的萎靡不振，那届时NAND Flash产业景气恐怕要开始令人担心了。

工商时报   2007.05.17

【范中兴╱台北报导】英特尔在官方网站上公布的最新资料，目前DDR3 800/1066MHz DRAM已获得认证的内存芯片厂商包括尔必达（Elpida）、海力士（Hynix）、美光（Micron）、奇梦达（Qimonda）、南科（2408）及三星（Samsung）。DDR3预期明年下半年开始大量使用在计算机上，2009年成为DRAM主流。

制程转换明年量产

目前获英特尔认证的产品，尔必达、奇梦达以及南科的DDR3均为512Mb；海力士与美光的DDR3均为1Gb；三星电子则同时包括512Mb与1Gb。

三星也宣布，该公司计划在本季稍后开始量产DDR3芯片，DDR3的频宽比目前最高速DDR2的2倍，数据传输速度最高可达1.6GHz。

南科在去年就展出DDR3，不过目前还没有量产计划，由于DDR3的电压只有1.5伏特，须使用70奈米制程生产，良率才能达到理想水平。

南科年底转换制程到70奈米，因此DDR3量产时间会在明年，但真正大量生产要到2009年。

工商时报2007.05.17  涂志豪

五月初合约价定价之后，现货市场虽然买气清淡，但价格至少没有太大变化，原厂颗粒还能维持在二美元以上价格，不过韩国大厂海力士这两天突然大量释出DRAM货源，导致价格大跌达二五％，许多国内模块厂都表示，这次的DRAM价格崩跌现象，与二○○一年当时的市场氛围十分相似，上游DRAM厂及下游模块厂，都已做好了亏损的打算。

海力士割喉战一石二鸟

只不过对海力士来说，当年其进行非理性的杀价，虽然逼迫东芝、三菱等日本DRAM厂退出市场，但自身也受创严重，差一点就被包裹卖给了美国DRAM大厂美光。而今年海力士又开始动手进行价格割喉战，其中却隐含了一石二鸟的策略在内，因为海力士现在有本钱可以杀价，也想利用杀价方式，逼迫不断兴建十二吋厂的台湾厂商退出市场。

海力士现在的产能规划中，有一半产出是用来投产NAND闪存，另外一半虽生产DRAM，但标准型DRAM只占了约三成比重，其余二成产能是生产高价的绘图卡用GDDR3及游戏机用利基型DRAM。在产能及毛利率的配置中，海力士拿占产能三成的货源杀价，虽会导致本身亏损，但其余七成产能取得的获利，却足以让海力士的财报不会太难看，就算亏损也不致于撼动根本。

台湾业者亏损压力大

但对八成以上产能都在标准型DRAM的台湾业者来说，现在面临的亏损压力已是愈来愈大，因在十二吋厂中以九○奈米投产五一二Mb DDR2，有效测试颗粒成本再低也只能压缩到一．六美元至一．七美元，现在市场报价却已跌至一．三五美元新低，卖一颗DDR2就要赔○．三美元（约新台币十元），若月产能拉高七万片，约产出六千万颗五一二Mb约当颗粒，等于这个月就得赔掉六亿元。

由于台湾DRAM厂今年资本支出都超过十亿美元，包括力晶、瑞晶、南亚科、华亚科、华邦、茂德等，都有兴建新十二吋厂计划在进行，但若由DRAM厂的现金水位及折旧摊提来看，各家业者下半年都得再进行一至二次的筹资，是故只要海力士将价格压低在一．五美元以下超过三个月�