Archive - 五月 14, 2007

微软和SanDisk联合开发新型电脑数据存储卡

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中小企业IT采购网   2007-05-14   张富凯  


当地时间周五,微软和SanDisk联合宣布,将合作开发高级电脑数据存储卡,让用户能轻松地将数据存储在体积很小的设备中。


 按照协议,微软负责开发该产品的软件,SanDisk负责开发存储卡的硬件。该产品的大小与一块口香糖差不多,能够存储电脑文件和应用程序,比如电子邮件程序等。这种存储卡还能插入电脑端口中使用。该产品不同于普通的闪存和其他存储卡,普通的存储卡只能够存储用户的数据,而该产品具有软件的支持,能够安装应用程序。

  据悉,新型存储卡将在2008年下半年推向市场。

满足超高速低迟延内存需求,亿能倾情打造超频内存模组

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电子工程专辑  2007年05月14 


奇梦达品牌亿能近日宣布推出全新的超频内存模组系列,该产品经过专门的设计,可满足苛刻用户对超高速低迟延的内存需求。全新的XTUNE超频系列由DDR2 1066MHz超频内存模组构成,可提供出众的系统性能,同时不降低系统运行的速度、稳定性和可靠性。


1066MHz双列直插式内存模组(DIMM)的工作电压为标准1.8DDR2电压。这可提升产品的可靠性和使用寿命。XTUNE内存模组支持增强性能配置(EPP)标准,简化超频功能的使用。该标准有助于轻松使用预先对模组进行超频设置的解决方案,且能被所有支持EPP标准的主板读取。如果EPP功能启用,该系统参数将自动被调整到该内存模块支持的超频参数。奇梦达亿能业务副总裁Carsten Gatzke指出,“结合功能强大的处理器和高端显卡使用,3D游戏发烧友就可充分利用全新高性能超频内存模组的各种功能。高系统性能结合对全新EPP标准的支持以及标准的1.8伏工作电压使其成为功能强大和可靠的即插即用解决方案。”


超频是颇受欢迎的提高PC系统性能利用率的技术。其方法是加快微处理器或内存的运行速度,超过产品本身指定和许可的速度。亿能提供的超频内存模块与其他相关标准内存相比,由于经过测试可在更高的频率上运行,因此克服了过热运行或不稳定运行等风险。

东南亚地区半导体投资魅力重现?

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电子工程专辑   2007年05月14     


在中国经历了大规模半导体投资热潮以后,虽然今年有Intel在大连的大手笔投资项目,但是近来我们却注意到TI在菲律宾新建半导体测试及封装厂、Osram追加在马来西投资的晶圆厂投资。其中,TI的项目还是在中国和菲律宾两个侯选国家中权衡后选定在菲律宾的,这些投资让我们注意到:东南亚地区的半导体投资有走热的趋势。


20世纪70年代以后,亚洲四小龙以及东南亚四国,即印度尼西亚、马来西亚、泰国、菲律宾的经济开始高速增长。一大批欧美半导体公司在东南亚投资设厂,2000年以后,随着中国进入WTO,这些公司的投资重点又转向了中国。现在,不到十年的时间,这些公司又将投资的目光重新锁定回东南亚地区,这其中的变化说明了什么?


有外电分析说导致TI投资菲律宾的一个原因是在中国,不仅沿海工业带的地价一路看涨,近几年来,当地员工的薪酬水平也达到了两位数增长,这使得他们的薪资水平与菲律宾等国娴熟工人的工资越来越接近,有的甚至还超过后者。不过还有其他因素导致了这个投资:德州仪器技术业务高级副总裁Kevin Ritchie日前表示,菲律宾受过教育、且会说英语的工人有很多,这促使公司最终选择了这里。


我曾经采访过一个在东南亚投资晶圆厂的欧美半导体公司的高管,他表示:“和中国的工人相比,东南亚的工人更听话,他们会严格遵守操作章程。”难道这也是一个原因吗?


Osram投资马来西亚槟榔屿的晶圆厂是1972年建的,是Osram公司在全球最大的生产基地。去年该公司已经投资5亿欧元扩大产能,这次又投资1亿多美元扩大产能,该厂主要生产供汽车和照明使用的高功率LED产品。这些产品的应用市场应该是在中国大陆。


有经济分析师预测,德州仪器在菲律宾建新厂的决定将带动其他制造企业纷至沓来,就如同英特尔计划在越南建厂之后,又有一系列新的投资项目陆续登陆该国。  


欧美企业这些新动向值得我们深思,但是好的一个方面是我们似乎终于可以摆脱以廉价劳动力获得竞争力的口实了,相信也能为本土的半导体企业创造出一些新的机遇!

半导体Top20排名:AMD退步下跌四位

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eNet  2007.05.14   太阳-小斯


著名市调机构IC Insight五月份McClean报告显示,07年第一季半导体厂商TOP20排名出现大换位情况,原因主要归于业界于第一季的投资调整。


                              


  SonyHynixToshiba于最新排名上各升两级,其中SonyPS3带起其内部的销售增长,使得Sony 晋身TOP10,位列第9位,Hynix由第7位升至第5位,而Toshiba则超越TIST,排名第3


  另一边,尽管在07年初DRAM价格疲弱,这仍阻挡不了Micron向上冲的气势,其以仅仅19百万之差位列于排名在第10位的NXP之后,排在第11位。而另外一家著名DRAM厂商Elpida也升势凌励,一口气爬升5个位置,由06年的第23位升上现在的第18位。


  其它著名厂商包括QimondaQualcomm在排名上也有所长进,各升两级,排名1315。不过,包括TISTTSMCFreescaleNECAMDIBMFujitsu在内,不少厂商在最新的排名上仍有所轻微下跌,当中AMD的变化较为显著,由06年的第13位跌至现时的第17位。


  由于市场预期未来八个月DRAMFlash内存的竞争将会持续激烈,加上业界的投资调整期需延至六月份,与及八月份开始出现的季节性需求,这些因素将令业界TOP20在整个07年持续出现强烈的变化。

800MHz低了 镁光推出1066MHz内存芯片

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PCPOP.COM   2007年05月14   吴愧


     以前,老的DIY玩家可能都知道“StarRam(星存)”这个内存品牌,其实“StarRam”是由美国知名半导体公司——Micron(镁光)在大陆地区推出的独立品牌。之前,镁光内存主要供货于OEM市场,在IBMCOMPAQHPDell等国际知名品牌都可以看到其内存颗粒的产品,在品质方面深受消费者认可,知名度颇高。


                           


                                           StarRam(星存)早期的镁光内存品牌


    而近期,全球著名的DRAM内存芯片制造商之一的美国镁光(micron)公司发布首款运行频率达到1066MHzDDR2内存芯片产品,这一系列的内存模组不仅仅只是用来供给普通内存模组生产制造之用,同时也意味着镁光这一系列的内存芯片颗粒更鼓励内存模组厂商推出特别设计的预超频内存模组产品。


                         


 


    镁光此次推出的内存芯片颗粒采用78纳米制程技术,容量1G bit,可以用来设计制造容量512MB1GB2GB容量的DDR2内存模组,电压设定满足标准DDR2内存的1.8v供电要求。先前不少内存模组厂商都选择镁光推出来的800MHz内存芯片颗粒,并预先超频到1066MHz,工作电压也提升到2.1v2.2v,用以提供给喜欢极致超频的玩家,并在设计方面更强调配合高端主板的稳定性表现力。


    镁光正式发布的1066MHz内存颗粒集成电路控制器芯片允许制造商将内存设定到配合标准电压的PC2-8500内存模组产品,同时,预超频的内存模组也将会拥有更高性能表现。目前Nvidia所提供的intel平台芯片组产品就可以正式的支持PC2-8500内存模组,另外包括VIASISAMD也都有支持到这一规格的芯片组产品,但是目前还并不清楚最具影响力的intel公司是不是也会支持这一标准。


    镁光公司提供的1G bit DDR2 1066MHz内存芯片现在已经可以提供测试样品给特定合作客户,预计量产阶段定为今年Q3。到底镁光此次推出的新内存芯片体质怎样呢?要超了才知道,相信超频玩家们都在跃跃欲试了。


 

台模块厂饱受NAND Flash缺货之苦 三星供货不足 东芝阵营低价抢市占 台厂压力倍增

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digitimes   2007/05/14  连于慧/台北


 相较于DRAM价格萎靡不振,近期韩国存储器大厂三星电子(Samsung Electronics)对于拉抬NAND型快闪存储器( Flash)市场不遗余力,然最令客户头痛的问题是,目前三星电子受限于产能问题,释出给台厂NAND Flash货源仍相当有限,各模块厂都饱受缺货之苦,而隶属于东芝(Toshiba)阵营的客户,尤其是存储器模块大厂金士顿(Kingston),由于东芝给予的成本较低,最近在大陆市场低价策略越来越积极,这让与三星电子站在同一阵营的台厂压力倍增。


近期三星电子不断释出NAND Flash缺货消息,对于拉抬2007年下半NAND Flash行情相当积极;三星电子认为,除原本数码相机及手机对于记忆卡需求都相当稳定,2007年下半MP3大厂对于NAND Flash需求量亦相当乐观,加上高容量新应用包括高阶音乐手机、多媒体影音播放器(PMP)、固态硬碟(SSD)等需求逐渐加温,均将进一步拉抬NAND Flash市场需求。


尽管三星电子对于NAND Flash行情喊得卖力,但看在大部分客户眼里却是高兴不起来,因为从3NAND Flash缺货至今,货源问题仍是持续蔓延,大部分三星电子客户都无法拿到充足的NAND Flash供应量,而对于非三星电子客户而言,寻找货源问题当然是更加严重。


三星电子客户更担忧的问题是,东芝在NAND Flash价格仍是低于三星电子,且目前只有特定几家下游厂可拿到东芝货原,因此,提供东芝阵营成员具有相当大的竞争优势,尤其近期金士顿NAND Flash产品在大陆地区杀价相当激烈,低价抢市占率策略极为明显,屡屡增添台厂的压力。


存储器业者指出,消费性电子产品市场现正处于传统淡季,事实上,若以终端需求来看,NAND Flash产品市场需求一般,并没有特别突出,仍是靠手机、数码相机等既有应用独撑大局,较正面之处在于近期NAND Flash价格持稳,大幅增强通路端客户补货意愿。


然在供给端上,主要还是因为三星电子、海力士(Hynix)NAND Flash大厂产能大幅减少,使得整体市场仍维持在供给不足状态,因此,近期市场缺货其实是供给端主导的局面,加上2007年下半苹果(Apple)针对iPodiPhoneNAND Flash需求相当大,届时供需恐再出现变化。


根据集邦科技(DRAMeXchange)报价目前主流8Gb容量NAND Flash平均价格为7.15美元,虽然之前现货价一度跌破7美元,但目前已守稳在7美元之上,而5月上旬合约价约在7~7.8美元范围,呈现持平开出,多空之间的拉锯战尚未分出胜负。


                           

AMD-ATI新款绘图芯片 导入65奈米

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工商时报 2007.05.14 邱诗文、涂志豪/台北报导


在市场千呼万唤下,去年成功收购绘图芯片大厂ATI的超微(AMD-ATI),总算在今(十四)日正式推出支持VistaDirectX10规格的新款R6xx系列绘图芯片,为了与竞争对手NVIDIA一较高下,AMD-ATI新款芯片将全数导入六五奈米制程。


此外,AMD-ATI为了由NVIDIA手中抢回市占率,决定在绘图卡售价上祭出低价策略,业内预期AMD-ATI对台积电、日月光、全懋、景硕等订单将在六月出现爆炸性成长。


NVIDIA去年第四季推出支持VistaDirectX10规格的G80绘图芯片后,今年四月中旬再度推出中低阶市场的G84G86绘图芯片,在DirectX10规格市场的所有产品线已经到齐。


反观其主要竞争对手AMD-ATI,预期将在今日才要正式推出新款支持DirectX10R600系列绘图芯片,主打中低阶的RV630RV610虽也同时上市,但量产时间却要等到第三季,因此AMD-ATI在绘图芯片市场上与NVIDIA间的差距,已经接长至三个季度以上。


当然为了在第三季传统旺季来临前打赢新世代绘图芯片大战,AMD-ATI跳过了八○奈米世代制程,已确定全数转入台积电六五奈米世代。据了解,AMD-ATI原本R600是采用台积电八○奈米,但因功率及散热问题无法超越NVIDIAG80产品,因此决定直接导入六五奈米,至于中低阶的RV630RV610也将直接采用六五奈米,成为绘图芯片市场中率先导入新制程的业者,也因此与NVIDIA拉开制程差距。


而为了弥补这三个季度的「缺席」问题,同时加快抢回市场占有率,AMD-ATI已决定在DirectX10世代的产品营销战中,在旺季之前就先祭出低价策略。根据绘图卡业者提供信息,高阶绘图卡订价三九九美元,约在NVIDIA价格区间的下缘,中阶订价一二九美元至一七九美元,低阶则订价六九美元至七九美元,较NVIDIA同等级产品便宜十至二十美元。绘图卡业者预期,AMD-ATI的低价策略一定会有效果,目前预约订单已超过原先预期的二成。


AMD-ATI的新款绘图芯片出炉,半导体代工厂自然受惠最多。AMD-ATI这回推出的R6xx系列绘图芯片全数在台积电投片,且全都采用六五奈米制程,台积电十二吋厂有机会在六月就达满载;至于后段封测主要代工厂为日月光,覆晶基板二大供货商则是全懋及景硕,封测厂及基板厂已表示,AMD-ATI的订单会在六月到位,且是高中低阶订单一次下齐,就量能来说极具爆炸性,有助于六月及第三季的营收及获利再上层楼。

DRAM第二季反弹 机会不大

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工商时报 2007.05.14李纯/新竹报导


虽然诸多DRAM厂商乐观预期,市况可望自五月中下旬触底反弹,惟基于第二季总产出与需求面至少有高达三成落差,加上OEM客户短期内缺乏采购力道,模块厂与通路端至今还是满手库存,因此在严重供给过剩,近来内存业界除已传出DDR2报价下看一.五美元之外,不少厂商也私下透露,第二季景气反弹恐怕无望。


依据三星、尔必达、奇梦达与台系多家内存厂商所公布第二季DRAM产出颗粒的成长数据,第二季全球DRAM总产出相较首季的成长幅度高达二成以上,反观需求面,在买气疲弱不振,模块大厂预估第二季需求较首季至少衰退一至二成,因此在供给面提升,但需求面却下滑,内存界估算,第二季供给过剩的幅度至少超过三成,第二季市场想要逆转,机会恐怕不大。


三星为保龙头宝座,除今年产出成长会比去年增加一倍外,第二季将比首季成长四成,考虑三星在全球拥有近三成的市占率,因此在其增加四成的季产出后,使第二季市场供给量大增。


另外,市占率极高的尔必达跟奇梦达,受惠于台系友厂产出的提高,加上至自家制程的精进,因第二季产出也会有明显的跃进。


另外,台系内存厂茂德与力晶第二季产出成长的力道多来自七○奈米制程的转换,茂德在七○奈米制程的投片量,第一季仅七千至八千片,但四月投片已经提高到一万六千片,南亚则在子公司华亚产能的贡献下,单季也将增加一二%的产能,华邦部分因仅增加数千片十二吋产出,因此成长幅度较小,但整体来说,市占率较低的台系DRAM厂,第二季总产出成长幅度也有一成以上。


但在需求面部份,根据模块厂透露,终端市场买气依旧没有起色,OEM大厂方面,因预期DRAM报价后续仍有下探空间,依旧没有大举采购的意愿,为此,第二季整体需求至今看来都相当疲弱,业界估计买气比首季衰退一成。


依照内存业者与模块厂统计,目前供需间至少有高达三成的落差,也因此在供给过剩的前提下,近期五一二MbDDR2颗粒报价最低下探到一.七美元,而报价也持续在至一.七美元到一.九美元间震荡,但近期市场已经传出,后续报价恐有下探到一.五美元的机会,因此在报价下跌压力沉重的情况下,五月要反弹并不容易。

争DDR2封测商机 硅品夺台系四 DRAM 厂订单

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工商时报 2007.05.14李纯君、涂志豪/台北报导


半导体封测厂日月光及力成在内存封测市场对战激烈,但据设备业者指出,另一家大厂硅品,现在已是三星在台唯一指定NAND快闪记忆卡封测代工厂,同时也争取到南亚科、力晶、茂德、华邦等台系四大厂DDR2封测订单。


配合硅品彰化新厂可望提前在八月量产,外资圈估算,年底硅品单月营收挑战六十五亿元,较四月四十八亿元,有大幅度的成长。


日本DRAM大厂尔必达(Elpida)总裁?本幸雄上周与日月光董事长张虔生会面,为内存封测市场战国时代揭开序幕;台面上,日月光及力成二家大厂对战激烈,但台面下低调布局的硅品,却已不断蚕食日月光及力成订单,反而成为台内封测厂客户订单最稳定、且最平均的业者。


去年下半年起,硅品开始进军DDR2封测市场,并成功取得南亚科、力晶订单,今年第一季,新客户茂德订单也已到位,至于为奇梦达代工的华邦电DDR2订单虽未下单硅品,但利基型内存订单也已委由硅品代工,等于硅品已拿下台系四大内存厂的后段订单。


DRAM外,硅品在NAND闪存封测市场也有斩获。设备业者指出,硅品原本就是全球最大记忆卡厂新帝(SanDisk)的记忆卡封测代工厂,今年再获三星电子订单,三星更已指定硅品是台湾唯一的记忆卡封测代工厂,硅品在上周台北国际半导体展,展示为三星代工的九颗NAND芯片堆栈式记忆卡封装产品,由于三星记忆卡出货量十分稳定,在第一季封测市场淡季时,亦是支撑硅品业绩不跌的重要原因。


硅品在内存封测市场布局亦步亦趋,占营收比重已达二成多,由于全球内存客户,下半年资本支出及位成长率十分惊人,市场预期,硅品下半年起的一年内,此市场将成业绩成长最大动力来源。


再者,硅品去年十二月斥资八亿兴建的彰化新厂,原预订今年底量产,但因进度十分顺利,预估八月就可提前量产,初期导入的导线架封测产能,将可直接对营收有所挹注。

茂德 毛利率维持高水平

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经济日报  2007.05.13  记者周志恒/台北报导


DRAM内存芯片制造商茂德中科三厂效益发酵,在首季DRAM大跌下,毛利率仍维持35.7%高水平,在本土同业中仅次于华亚科。近期DRAM价格大跌,茂德营运也受冲击,但对于市场发展,仍不悲观。


茂德第一季DRAM全球市占排行第八,虽然不如其它本土同业,但70奈米制程目前是台湾DRAM厂中进度最快的,3月起开始投片。茂德三厂4月底投片量已达5万片,其中1.6万片采70奈米制程投片,平均良率超过八成,成本大幅下降。年底时,三厂将以全产能6.5万片营运。


近期DRAM价格持续探底,合约价与现货价走势不振,512Mb颗粒合约价下探2美元,现货市场512Mb DDRII有效测试(eTT)颗粒更跌到1.5美元附近,创DDRII问世来新低,茂德营运也受影响,4月营收跌破50亿元大关,仅40.6亿元,较3月减少22%


不过,茂德预期,下半年Vista效应带动的DRAM备货库存回补需求可期,下半年512Mb DDRII颗粒价格回升至3.54美元的机会相当高。