Archive - 五月 12, 2007

发表时间：2007-05-11 16:05:46  作者：焦琳  阅读次数：112

随着闪存技术的日渐提升和价格的不断走抵，传统硬盘市场受到了前所未有的冲击，业界甚至质疑硬盘的生命周期，日前硬盘巨头希捷主动回应了业界的质疑，并表示明年将推出容量为2TB（2O48GB）的硬盘。

   据悉，希捷这一举动被视为地闪存的反击。众所周知，闪存依靠娇小的体积，快速的存取速度，以及极小的耗电量占领市场，目前闪存的容量已经达到了两位数，对硬盘市场的确是个不小的冲击。去年，三星曾推出了容量达16GB的闪存，而该公司半导体总裁黄昌圭也表示，硬盘时代将逐渐被闪存替代。

   另一方面，靠着娇小的体积，快速的存取速度，以及极小的耗电量，闪存已经出现和硬盘争夺笔记本市场的局面。据了解，目前包括索尼在内的多家厂商已经推出了用闪存替代硬盘的笔记本电脑。

2007-05-12 00:00  作者： Magic  来源： eNet硅谷动力

    据国外媒体最新报道，AMD公司执行副总裁亨利·理察德（Henri Richard）星期五表示，尽管公司在收购ATI之后的目标之一就是推出CPU/GPU二合一产品“Fusion”平台，但是公司目前仍然处于合并后初级阶段，现在两种产品的整合还存在许多变数。

　　亨利·理察德在接受国外媒体采访时表示：“我认为，‘Fusion’是一种进化过程，与其认为‘Fusion’是一种产品，还不如说‘Fusion’是一种愿景。根据这种愿景，我们可以在同一块硅晶上安装多目的计算核，其中一个核用来计算x86指令，而另外一个核则用来处理图形，你能明白我的意思。”

　　2006年10月份，AMD在完成对ATI的收购之后宣布，公司将会积极利用ATI成熟的图形处理器技术来发展AMD多核处理器技术。如果想大幅提高多核处理器的性能，芯片必须拥有在各核之间分配任务或线程的能力。如果希望更大幅度提高处理器性能，那么就必须提前编辑软件，然后程序将会进入一个多核系统之内，这种想法同英特尔第一次发布其Itanium架框时提出的想法类似。

　　尽管如此，亨利·理察德还是认为，根据现在目前的情况，‘Fusion’在2009年之前不会带来太多变化。理察德表示，由于‘Fusion’计划需要软件制造商同处理器厂商之间加强合作，因此现在说2009年实现目标还为时过早，他认为2009年之后这个目标才有可能会实现。

　　亨利·理察德表示，第一代‘Fusion’很可能会是把ATI的GPU整合到带有AMD芯片集的AMD主板中，然后再考试如何来提高两部分之间的能信以及降低能耗。第二代‘Fusion’则将会将GPU和CPU真正地整合在一起，那里将会真正解决供电、接口等实质性技术难题。目前，AMD的研究工作主要是针对第一代‘Fusion’。

　　亨利·理察德还进一步解释说，‘Fusion’并不是产品，而是一种跨越性观点、一种架框、一种思考。

2007-05-11 00:00  作者：   来源： eNet硅谷动力

    今年初，索尼突然杀入了传统的Compactflash卡领域，而其首款CF卡产品如今终于亮相，本月即会上市。

　　索尼品牌的CF卡将分为两个系列，均为CF Type I型，其一传输速度66x，容量1/2/4GB，其二传输速度133x，容量2/4GB。索尼CF卡主要供应自家的Alpha系列数码单反，比如去年夏天推出的首款数码单反DSLR Alpha 100。

    这些索尼CF卡均享受五年质保，但索尼没有透露具体价格，当然，很可能会比其它品牌的更贵一些，133x的也要比66x的贵不少，不过索尼称还会为高端版本额外赠送自己的图像恢复服务。

2007-05-11 00:00  作者： 王刚  来源： 中关村在线

    Micron（镁光）近日宣布，已经开始78nm工艺新一代DDR2内存芯片采样工作，零售版产品将在今年第三季度上市。

    Micron表示，这种新DDR2内存专为AMD K10平台设计，频率达到1066MHz，在相同电压下频率比普通DDR2型号高33％，默认电压1.8V，支持绝大多数主流主板产品。

　　Micron新内存将分为512MB至2GB不同容量上市，具体售价尚未确定。

2007-05-12  作者： Magic  来源： eNet硅谷动力  

五一黄金周刚过，温馨与感动的母亲节接踵而来，送给母亲的礼物你准备好了吗？你是否还在为买礼物、送康乃馨而煞费苦心呢？其实不然，今年你不妨考虑送她一份时代感十足的礼物——电脑，一束康乃馨和一台精心为她组装的电脑，相信一定会博得她的“欢心”。

　　众所周知，内存作为电脑重要配件之一，对电脑整机性能的发挥起着重要的作用，其一直是众DIY玩家选购的重头戏。近日，笔者从市场得知：海盗船旗下的一款1GB DDR2-667内存正以315元进行促销，凸显高性价比，推荐给近期为母亲装机的朋友参考选购。

    海盗船（Corsair）DDRII667/1G内存采用常见的透明塑料防静电包装盒，产品采用全英文包装，产品包装右上角标注了“CORSAIR”海盗船商标，另外还标注了“1GB DDR2 Memory Module（模组）”和“VALUE SELECT（超值选择系列）”字样。

    海盗船（Corsair）DDRII667/1G内存采用双面16内存颗粒规格设计，SPD芯片位于条子的中央位置。规整清晰的PCB布线工艺相当成熟，大量采用145°边角处理以及蛇形布线，并尽量缩短引线的长度以减小信号的延迟，提高数据传输速率。颗粒顶端的VERF电容非常饱满。

    海盗船（Corsair）DDRII667/1G内存正面左侧位置粘贴了产品规格标签，产品属于海盗船（Corsair）Value Select系列，产品型号为VS1GB667D2，编号为0631071-0 -325630，规格为DDR2-667，容量为1G。

    颗粒方面，采用的是标识有“CORSAIR”（海盗船）字样的FBGA封装的顶级颗粒，采用双面16×64MB颗粒的封装形式，由于内存颗粒表面已经打磨成海盗船的LOGO，因此关于内存颗粒的生产厂商以及运行时序，只有上机后通过软件才能获取。同时，海盗船（Corsair）内存还享有终生质保的金牌服务，为您解除了购买后的后顾之忧。

    海盗船（Corsair）DDRII667/1G内存，不仅做工出色，其性能表现也十分强悍，加之目前仅售315元，是您顶级内存超值之选。感兴趣的朋友可以去各大电子市场看一下。如有任何疑问可以拨打总代理仕（VST）：010-82350814和010-82350834询问详情。 

2007.05.10 09:40:52    新浪IT    编辑：Ivy

[ChinaDram.com网讯]:微软的windowsVista操作系统新近上市，国内计算机的各上下游厂商已纷纷瞄准了其中的商机随之而动。最新的迹象表明，这股风潮已刮到了闪存盘等闪存应用领域。闪存盘的领头羊深圳朗科公司昨天表示，朗科新近推出的“系统加速型U85”闪存盘就完全匹配windowsVista。

WindowsVista最为神奇的功能之一便是ReadyBoost，这也是闪存盘厂商瞄准的商机所在。据朗科公司技术人员介绍，所谓ReadyBoost，即指通过闪存盘等USB接口的外部设备有效提升系统功能。在ReadyBoost功能下，通过USB闪存盘即可实现加速WindowsVista的性能，具体机制便是使用USB闪存盘的存储来扩充系统内存，从而帮助内存不足的PC以相当简便的方式提高系统的整体性能。

　　“ReadyBoost”给闪存盘等闪存应用产品带来了新的市场蛋糕。分析人士指出，目前国内的台式电脑保有量达到7000万以上、笔记本电脑保有量达700万台以上。这个数字还正在以年20%以上的速度在高速增长，“即便以最保守的眼光去估计，伴随着Vista操作系统的更新换代，支持ReadyBoost功能的闪存盘就将有不低于100亿的市场蛋糕。”

华强电子网2007-5-11

　　大陆五一长假期间DRAM模块销售状况远不如预期，假期结束后应出现的DRAM颗粒回补需求亦不复见，五一二Mb DDR2原厂颗粒现货价及合约价已全面跌到二美元以下。DDR2价格跌不停，测试成本占售价比重已拉高至二五％至三○％左右，在DRAM厂庞大的压力下，DDR2测试价格五月起已确定调降五％至七％，封装价格亦调降○．一美元。

　　由于Vista上市后并未大量刺激出DRAM市场需求，加上国内外DRAM大厂第二季仍持续扩大DRAM产能，导致DRAM市场已出现严重供给过剩问题。根据DRAM业者估算，目前通路商及模块厂端的DRAM库存天数，已由第一季的二十天拉长至二十五天，DRAM原厂端的库存天数更由二十天拉长至三十天，市场供给量超过需求量幅度约二成，所以价格下跌趋势短期间仍然不会改变。

　　由于DDR2原厂颗粒昨日现货成交价已跌破二美元，有效测试（eTT）颗粒价格更跌至一．七美元，在此价位下已没有任何DRAM厂可维持获利，所以DRAM厂近日已对后段封测厂发出通知，要求调降封测价格至少一成幅度，否则将大幅减少下单量。当然目前毛利率还维持在三○％以上的封测厂，面对已经亏损的客户要求降价，自然没有拒绝的理由，只好调降测试价五％至七％、封装价格○．一美元，整个封测代工价降幅正好一成。

　　DRAM厂商指出，现在价格跌至二美元以下，测试成本比重则拉高至二五％至三○％，所以要降低DRAM成本及亏损幅度，砍封测价格当然是最快方法。

中国IC交易网 2007-5-12

力晶宣布下半年1Gb的标准128MbX8颗粒的产出将会达到出货的50%以上，等同于宣告下半年DRAM颗粒将会加速进入1Gb时代，模组也将会进入2GB时代。

这就意味着，随着DRAM厂家的竞争加剧，DRAM厂家在512Mb即64MbX8颗粒的竞争没有分出胜负的情况下，鉴于成交价格即将跌破90nm制程的变动成本，DRAM厂家开始加速导入更具竞争效益的70nm制程，产品也以更具成本效应的1Gb（128MbX8）颗粒为主，512Mb（64MbX8）年底前将会开始逐步淡出市场。

据公开资料显示，1Gb（128MbX8）颗粒的70nm 12寸厂的变动成本约在2美金附近，换算成1GB模组可能的最低成本价格约不到150元。

中国IC交易网 2007-5-11

DRAM价格走势出现乌云，昨（11）日最新现货市场512Mb DDRII有效测试颗粒（eTT）报价再度大跌逾4%，下探1.5美元附近，创DDRII问世以来新低，价格几乎跌破业者成本，DRAM厂力晶（5346）、南科（2408）、茂德（5387）等，将首当其冲。

DRAM价格年初以来一路下跌，业者原预期4月底陆续反弹的市况，并未如预期发生，日前开出的5月上旬合约价平均跌幅约8.82%，均价为1.93美元；现货价格走势则更加无力，昨天开出的512Mb DDRII有效测试颗粒下跌4.04%，均价1.57美元，一周来价格跌幅逾16%，同规格品牌颗粒现货报价也重挫逾5%，价格落在2美元附近。

分析师表示，5月上旬合约价格因电脑OEM大厂刚结束季报结算，重新建立库存，拉货意愿转强，使得价格跌幅由前期的两位数百分比降至个位数百分比之内，但现货价格持续走跌，对5月下旬的合约价走势相当不利，由于目前价格几乎与DRAM晶片制造业者成本相当，甚至低于部分业者成本，将对DRAM厂营运形成严峻考验。

通路业者指出，目前模组厂手中库存激增，即使价格已处于相对低点，补货意愿仍不强，是造成现货价持续大跌的原因。预期DRAM价格已在低档，将逐步有所支撑，但要有显著上扬，应该要第三季才会看得到，预估届时可回升至2.5美元至3.5美元的区间价位，最终落在2.7美元至3美元之间的机率很大。

力晶坦言，这两个月营运会比较辛苦，不过随着晶片价格压低，目前1GB模组已逐渐成为主流，搭配的颗粒也由512Mb 逐步转成1Gb晶片，8寸厂或90奈米制程在1Gb晶片上，已不具竞争优势，唯有12寸厂、70奈米技术才能生存，未来业界在制程微缩以及从512Mb晶片制造转进1Gb都是关卡，不能在第一时间克服的厂商将会很辛苦。

半导体门户网 2007-5-12

为了追求业务多元化，台湾地区晶圆代工厂联华电子准备在它的65和45纳米技术节点上从事CPU和NAND闪存生产。该公司表示，正在就一项CPU生产协议进行谈判，但它对于将如何打入大批量闪存市场态度谨慎。

联华电子首席执行官胡国强表示，联电不能忽视快速增长的消费类闪存市场。他计划促使联电在NAND、NOR和SRAM方面寻求生意，而不是在DRAM方面。胡国强对于细节守口如瓶，但暗示消费类闪存市场竞争激烈，联电不打算过深地卷入这个波动剧烈的市场。

“NAND和NOR价格波动很大，因此我们必须三思而行。”他表示。“显然，高端、高密度领域挑战性非常大，需要大笔投资，而且这项技术发展较快。”

他承认，商品类NOR市场中的机会可能有限。这可能促使联电在嵌入NOR领域扩展业务，类似于它在3月与赛普拉斯达成的交易。赛普拉斯计划把0.13微米S8嵌入闪存技术和未来两代嵌入闪存技术转让给联电。联电亦将为赛普拉斯生产高级SRAM，首款产品将在今年稍晚的时候以65纳米工艺生产。

在CPU方面，似乎联电也将采取步步为营的策略，避免生产领先CPU所需的大量资源投资。“说实话，如果你想瞄准面向台式电脑的高端绝缘硅(SOI)，该目标可能过于遥远。”他说。“因此我们将生产bulk CMOS，这会自动过渡到低功率处理器。”

联电目前正在开发一种SOI工艺，预计在今年稍晚的时候在65纳米节点上推出。胡国强表示：“我们相信，未来可能达到32纳米节点，SOI将变得更加重要，因此从技术开发角度来看，我们需要获得这些技术与经验。”

胡国强表示，同向130纳米节点的过渡一样，由于采用了新材料和新设备，向45纳米的转变也将充满挑战。

尽管对联合工艺开发的参与程度提高，但联电将继续单独行动。他说：“合作开发有其自身的局限性，因为每家公司都有自己的重点。”

此外，胡国强还谈到了晶圆代产业中的整合问题，称迫切需要进行整合。

胡国强表示，联电希望扩大在中国大陆的业务，请求台湾当局允许它与苏州和舰科技进行更密切的合作。联电在和舰科技中持有15%的股权。

但胡国强对于能否尽快获得台湾当局的批准，并不抱乐观看法。但他表示，一旦获得正式批准，联电可能考虑收购和舰。