Archive - 五月 2007

联合新闻网     记者徐睦钧∕台北报导

南科 (2408)目前股息殖利率在DRAM股中最高，随本季营运可望于6月落底，产品合约价将止跌回稳，产业景气逐步复苏，除本业有落底的好消息外，转投资华亚科本月营收持续走升，第二季获利可望还是DRAM最佳，也母以子贵，带动南科第二季的业绩，随下半年Vista效应，南科的出货量增加，今年有机会符合公司预期，仍较去年成长的预估。DRAM合约价6月可望落底回稳，南科也因为OEM客户订单回流，业绩将逐步升温

新浪网  2007年05月31日　　

市场研究机构DRAMeXchange称，因为目前价格已经低于内存制造商的成本价，所以未来不会再降价了。

　　低于成本价也就意味着在6月份有可能DDR2 DRAM价格要回升了，尽管DRAM厂商们还有一些库存问题，但是内存继续降下去更是他们不愿意看到的，Hynix已经转移一些产能给NAND Flash了，到7月份DDR2的产出预计更将下降10%~20%。上周受价格刺激现货市场交易量大涨，使得DDR2 ett颗粒涨价12.5%，各品牌DDR2内存略微上浮2.3%。

　　DRAMeXchange认为，5、6月终端市场需求尚未明显复苏、5月份PC出货量在淡季影响下表现并不如预期，加上PC OEM及现货市场主要买方及模块厂的DRAM库存仍在一个月以上，导致DRAM价格在6月之前，单靠市场买方逢低买进的买气支撑，反弹力道虽有限，但合约价已有望止跌。

中国时报   2007.05.31　 张瀞文/台北报导

由于国际手机大厂包括诺基亚、摩托罗拉以及索尼爱立信第三季都将推出主打下半年旺季的新机种，手机芯片厂德仪（TI）以及高通（Qualcomm）近期都陆续有急单涌入台积电（2330），不仅使得台积电十二寸产能满载，封测厂的日月光（2311）、矽品（2325）以及通讯比重高的IC基板厂景硕（3189）近期业绩都翻扬上来。

虽然摩托罗拉去年推出采用德仪单芯片LoCosto的低价机种Motofone出师不利，不过诺基亚、索爱以及三星在LoCosto的耕耘却是相当有成果，业者表示，目前低阶机种几乎都已经是德仪LoCosto芯片的天下，其中诺基亚的E系列、索爱的T系列以及三星的C系列等下半年旺季即将主推的大量机种都是采用LoCosto芯片。

由于这几款新机种上市时间都是集中在第三季，所以近期德仪开始对台积电下急单，而且订单数量可说是「又多又急」。

除了德仪以外，业者表示，由于下半年也将近入3G手机的大量出货期，所以高通下的单子也不小。

在德仪及高通的急单陆续涌入下，法人表示，目前台积电十二寸产能已经出现满载，产能利用率也回到了90％以上，从利用率回升的速度来看，台积电五月营收将确定可以回升，而且回升的速度很快，初估五月营收成长幅度将有机会达到10％。

在台积电通讯部分订单陆续回笼下，封测厂日月光、矽品以及通讯比重高的IC基板厂景硕近期也已经都被告知备妥产能准备因应急单。

其中，景硕在昨（三十）日股东会上就表示，第二季以来确实感受到来自通讯相关产品应用基板需求的持续成长，因此四月营收9.65亿元，创下今年新高，五月营收仍将会比四月还要好，六月状况也相当不错，初估第二季营收季成长大约15％。

科技新闻    2007.05.31

三星电子开发出搭载4GB手机用高容量记忆卡的movi MCP复合芯片三星电子曰前表示，已开发出搭载4GB手机用高容量记忆卡的movi MCP复合芯片，并已于本月初起供货给主要手机业者。该芯片主要分为两大部分，一是手机使用者可储存各种影像、照片、音乐档案的高容量4GB记忆卡，一是支持高速影像处理及通讯功能之行动CPU的内存MCP芯片。

据了解，在4GB记忆卡部分，乃是由2颗今年4月起导入量产的50奈米制程16Gb Nand Flash的嵌入式多媒体卡 (embedded Multi Media Card, eMMC)所构成。eMMC是JEDEC(国际半导体标准协会)所认可的产品标准，已在Nand Flash内建记忆卡用控制IC，因此手机业者不需再依SLC(Single Level Cell) 及 MLC(Multi Level Cell)等Nand Flash型态的不同，额外再去开发接口软件。而在内存MCP芯片部分，2Gb的Nand Flash为数据储椠内存，储存了相关软件，而1Gb的Mobile DRAM则具有处理及传达行动CPU的功能。

根据iSuppli的预估，4GB moviMCP产品最大的应用领域为3G手机市场，今年的市场规模可达3亿9200支，未来4年间，每年将维持40%的成长率。

路透社    2007.05.31

路透东京电---世界半导体贸易统计组织(WSTS)周三表示,全球半导体芯片大厂已调降2007年全球芯片市场的销售成长预估,因第一季表现较预期疲软,但仍看好2008年有稳健成长.

由全球主要半导体厂商组成的WSTS指出,目前预估全球半导体市场2007年料成长2.3%至2,535.1亿美元.WSTS去年10月时预估的成长率为8.6%.

WSTS亦调降2008年成长预估,由先前的成长12.1%降至10.2%.WSTS在每年两次的市场预测中指出,预估2009年成长5.2%.

计算机内存厂商1-3月当季受到价格大跌的打击,市场的期望已经转移到微电脑的景气复苏.

"几乎所有产品2007年第一季营收都低于预期,"WSTS新闻稿指出.

但WSTS表示,2007年下半年预料将有温和复苏.产业人士正在期待开学返校的微处理器需求及年终需求回升.

WSTS指出,2008及2009年半导体需求将继续受到消费者对电子产品的需求推动,例如个人计算机、数码消费电子产品及手机.

亚太地区仍然是成长最快的地区,目前主要是受到国内需求成长带动.先前亚太地区的成长,主要是芯片厂商移至亚洲生产,以享受薪资较低优势,以及电子产品组装公司增加等因素影响.

联合晚报     2007.05.31    记者徐睦钧/台北报导

DRAM价格可望落底。512Mb DDR2现货价截至中午，全面走扬，其中以eTT上涨2.02%最大，累计从上周至今已涨近20%，逐步脱离谷底，受此消息鼓舞，DRAM股今由外资本周力捧、本月营收将持续成长的华亚科(3474)发动攻势，南科(2408)、茂德(5387)及力晶(534 6)全场也表现抗跌。专业内存研究机构集邦科技也认为，6月的DRAM合约价止跌机会大。

DRAM现货价上午走扬，512Mb DDR2 eTT涨幅最大，达2.02%，每颗报价已升高至1.61美元，距离今年最低点的1.35美元，短短一周内，涨幅已逼近20%，已逐步脱离谷底，512Mb DDR2的667MHz与533MHz则分别涨至1.77美元、1.74美元，都有缓步走升现象。

受DRAM现货价一周来持续走升，类股今表现相对抗跌，其中华亚科传出5月营收不退反升，自周一起外资连续买超，昨投信法人也加入买超行列，颇有为这波DRAM反弹走势布局味道。

华亚科指出，虽然DRAM今年以来价格大跌，但该公司因为产出逐月增加，月营收自2月落底后，已连续走升，主要就是整体出货量持续。本周外资即传出华亚科本月营收仍将比4 月的38亿元成长，营运表现目前能见度相对较高。

原本市场仍持续看淡DRAM今年后市，但根据集邦科技最新的周报指出，DRAM制造厂6月分已不愿再降价求售，使得下月合约价有可能出现止跌，且持平机会颇高的情势。由于这是集邦今年以来所仅见的翻转评论，现也引起市场的关注，DRAM价格落底的时机可望来临。

集邦表示，上周DRAM现货价跌破制造成本后，主要DRAM厂商均表示不愿意再砍价出清库存，市场解读为DRAM价格底部浮现，使得现货市场的交易量明显放大，尤其是DDR2 ett颗粒大涨12.5%，带动DDR2品牌价格微幅上扬2.3%。

在价格跌破成本的压力下，韩系大厂海力士已将部份DRAM产能转至NAND Flash，集邦评估，海力士6月底的产出即会小幅下降，而7月DDR2的产出预估更将下降10%~20%，使得市场对DDR2在第三季的价格反弹有了比较乐观的期待。在合约市场方面，也由于DRAM厂商开始抵制OEM厂商所要求的超低价格，加上现货价格开始反弹，使得于6月合约价格有望止跌，而持平机会颇大。

经济日报     2007.05.31      记者周志恒、何易霖／台北报导

DRAM价格涨势再起，512Mb DDRII有效测试（eTT）颗粒昨（30）日飙涨逾8%，再度激励市场对价格反弹信心，先前恐受DRAM价格暴跌，导致将有大笔库存跌价损失威胁的威刚（3260）、创见（2451）、劲永（6145）等内存模块业者，营运压力大减。

根据集邦科技（DRAMeXchange）昨晚报价，512Mb DDRII有效测试颗粒单日劲扬8.6%，均价为1.72美元，创短期新高，一周来涨幅逼近15%。同规格现货市场品牌颗粒报价同步走扬，涨幅都在1.3%以上，最高价格站稳2美元大关。

模块业者指出，先前内存市况呈现「NAND Flash稳定，但DRAM疲软」的状况，尤其DRAM价格一路狂跌，先前以较高价格购入的颗粒造成成本垫高，单靠NAND Flash业务很难补平DRAM跌价损失，如今DRAM价格回弹，对于成本压力将有正面纾解效果。

不过，DRAM芯片制造商仍对第二季营运持保守看法，包括力晶（5346）、南科（2408）都认为，「第二季要赚钱是很大的挑战」；茂德（5387）则已透露，第二季获利的可能性很小。

经济日报   2007.05.31    记者何易霖／台北报导

旺宏董监改选之争日期逼近，负责主导力晶势力董监名单的力晶副董事长蔡国智，昨（30）日打出「柔情牌」，强调若力晶在这次旺宏董监改选上取得优势，「不会撤换副总及其以下职务的员工」。

至于委托书征求状况，蔡国智说：「一切还在努力，对于胜算多少也没还有概念」。不过，他强调：「力晶不可能连一席董事席次都拿不到」。

蔡国智不讳言，力晶与旺宏董事长兼总经理吴敏求在事件认知上「确实有落差」，才会导致单纯的董监改选风波不断。他透露，原本旺宏与力晶已达成协议，但却又不欢而散，「令人遗憾」；「而整件事发展至今，也只有吴敏求一个人在拒绝我们（力晶）！」。

对于吴敏求指力晶的代工营运模式是「靠天吃饭」，蔡国智说，今年DRAM市况确实不好，力晶营运相对平淡一些。他说，一家公司经营绩效好外应以五年、十年的长期轨迹来看，过去五年来，力晶赚了550亿元、旺宏则亏损250亿元，谁好谁坏，「数字会说话」。

蔡国智强调，力晶介入旺宏董监改选，是希望与旺宏有「深度的策略联盟」；旺宏长期营运需要12寸晶圆产能支持，力晶可以提供最佳服务，也可在8寸厂经营上互相协助。

而旺宏将与德国奇梦达（Qi-monda）进行新世代NAND Flash合作，蔡国智说，若旺宏董监改选后，力晶取得优势席次，往后力晶可能结合旺宏、奇梦达，在NAND Flash与三星、海力士等一线大厂一较长短。

力晶现已与日商瑞萨（Rene-sas）在NAND领域有合作，若旺宏、奇梦达也加入，将成为NAND业界少数「多国联军」的合作模式；加上奇梦达与南科关系友好，南科也有意投入相关领域，是否也会顺势加入，使得整个势力成为五家业者「大联机」，市场关注。

不过，力晶、奇梦达及南科在DRAM上是竞争者，三家如何在竞合之间取得平衡点，将是合作能否成行的关键。

蔡国智认为，同业之间原本就是存在微妙的竞合关系，三家公司在DRAM上竞争，不代表不能在NAND Flash这个新领域上合作，「一切都可以谈」。

技术在线  DATE 2007/05/31   记者：加纳 征子

美国英特尔宣布了使采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜与金属栅极的45nm级处理器“Hi-k”产品群实现完全无铅化的方针。45nm级的Hi-k产品群中包括新一代的“Core 2 Duo”、“Core 2 Quad”、“Xeon”产品群。该公司计划2007年下半年开始生产无铅的45nm级Hi-k产品。

　　铅（Pb）目前应用于将芯片连接到封装底板的部分等，但该公司45nm级Hi-k产品中完全没有使用铅。此外，计划08年使65nm级的芯片组也实现完全无铅化。作为目前所使用的Sn（锌）-Pb共晶焊锡的替代品，将使用Sn-Ag（银）-Cu（铜）类无铅焊锡。

　　该公司技术与制造事业部副总裁兼封装测试技术发展总监Nasser Grayeli表示，“本公司针对铅的禁用、产品能源效率的提高、温室气体排量的降低、水与原材料的再利用等环境问题正在积极采取措施”。

　　作为实现无铅化的措施之一，英特尔于02年首次开始生产无铅的闪存产品。于04年开始供应铅使用量比此前的微处理器以及芯片组封装降低95％的产品。