Archive - 四月 7, 2007

来源:半导体信息网

        韩国存储器大厂海力士（Hynix）虽于2004年出售非存储器部门，然往后发展重点将不仅止于存储器，该公司于3月30日正式上任的新执行长Kim Jong-kap日前即表示，可能将于2008年再度进入存储器以外事业领域，同时他亦表示，2007年第一季度存储器市况较预期更为艰困。

        据道琼斯（Dow Jones）报道，Kim Jong-kap指出，随着海力士2008年解除禁令后，正在考虑再次发展存储器以外的半导体事业，目标将在2010年成为以销售额为计第三大的企业；海力士于2004年出售非存储器事业、交由花旗创投基金（Citigroup Venture Capital；CVC）接手经营，条件为3年内不得生产任何非存储器芯片。

       此外Kim Jong-kap亦表示，海力士计划在2010年以前建造4座新晶圆厂，不过报道中未透露计划内容。

       海力士指出，正在准备生产相变化存储器（Phase Change Memory；PCM），以扩展产品线；PCM为一种新研发的非挥发性存储器，目前尚处于研究阶段，部分业者认为PCM有机会取代Flash应用在手机、数码相机等装置。

       路透社（Reuters）亦引述Kim Jong

-kap说法指出，第一季度营运较2006年底预估的更为艰难，部分芯片业者预期营收和净利表现面临低潮期；海力士曾于1月预估2007年DRAM价格将下滑三成，而NAND型Flash在第一季度恐会跌价34％～35％。

       另据彭博资讯（Bloomberg）报道，由于海力士债权银行未来可能出售股权，Kim Jong-kap对此表示，由韩国国内投资人或企业来接手股权将更为可行，不过这仍旧取决于债权人决定出售股权的方式和规模而定；Kim Jong-kap认为，由于公司价值已大幅增加，要轻易寻找潜在买家并不容易。

      海力士债权银行原本持有约50.3％股份，于2006年6月释股之后，目前合计仍握有海力士约36％的股权，并同意在2007年底以前不会出售剩余持股。

联合晚报

 

DRAM股第一季因为市场需求不佳，产品价格大跌逾50%，不过，第二季在低价所带动的需求，以及下半年进入旺季的效应来临，预估5月之后，价格可止跌回稳，由于DRAM四雄南科(2408)、华亚科(3474)、茂德(5387)及力晶(5346)，第一季都维持获利状态，预料只要价格回升，今年在产能扩增效益下，营运将一季比一季好。

DRAM股3月营收已可感受产品价格冲击，已公布业绩的力晶单月甚至较2月减少13%，茂德也与2月打平而已，累计第一季的营收，大约都比去年第四季历史高峰衰退15%以上，尽管如此，由于今年元月及2月的DRAM价格跌幅还不大，使得第一季大部分业者都可以稳守获利。

法人预估，当前看来，第一季的每股获利华亚科约1.2元，南科约1元，力晶约0.8元，茂德则逾0.6元，其中平均毛利率四家都可维持在3成以上，守住获利，预估第二季在市场回补库存需求增加后，营运会比第一季更为看好。

对于4月DRAM价格走势，集邦科技分析师表示，当前合约市场价格仍低于现货市场，因此4月份合约市场需求将为DRAM价格是否落底的关键。

根据该机构调查，3月底4月初现货市场短暂的需求浮现，造成DDR2 eTT价格跌深反弹，引发各通路商与模块厂商拼命追价，但是短暂反弹后并没有新的需求浮现，价格波动渐趋平缓，DDR2 eTT价格反弹至2.75美元左右。而DDR2 eTT反弹也带动品牌颗粒价格上涨，DDR2 512Mb 667MHz颗粒价格上涨至2.96美元，现货市场继续破底危机暂时解除。

 

然而当前合约市场DDR2 512MB普遍成交价格仍在25美元以下，因此换算成颗粒价格约2.5-2.7美元左右，合约与现货价格仍有落差。现阶段观察重点为合约市场的需求，虽然4月为部分美系PC OEM厂商的季底结帐，估计对合约市场的采购量将会受限，但是当前合约市场价格已经逼近甚至低于DRAM厂商工本，估计DRAM价格下跌空间也相对有限。

 

巨亨网

    

   第1季DRAM价格无论现货价或合约价跌幅都高达50% ，不过台湾DRAM厂商获利预期仍佳，法人预估力晶 (5346-TW下单)、华亚科(3474-TW)及南科(2408-TW)EPS仍有 1元以上水平，茂德应有0.7元实力。法人认为，第 2季为电子业淡季，DRAM市场仍处供过于求景况，DRAM价格下跌趋势将会延续，厂商成本下降能力将为第 2季盈亏关键。

 

今年第1季DRAM价格虽然急跌，不过大部分厂商1、 2月营收及获利表现都不差，也奠定第1季获利基础。 3 月工作天数虽较 2月增加，不过受到DRAM价格单月急跌超过20%影响，除茂德单月营收与2月持平外，南科以及华亚科反减9.66%、6.06%，力晶跌幅更达13%。

从DRAM厂第 1季营收表现来看，相较去年同期，茂德以175亿元、年成长率达 121%表现最佳﹔力晶年成长率也达95.98%，单季营收289.63亿元，营收表现居DRAM 厂之冠﹔南科及华亚科单季营收各为171.15亿元、 122.7亿元，年成长率分别为15.13%及43.69%。

4月以来 DRAM现货价格已有反弹迹象，再加上闪存价格劲升，缓解产能过剩疑虑，尽管第 2季为信息电子市场的传统淡季，部分DRAM业者仍对后续的营运展望仍审慎乐观。

法人指出，部分DRAM厂商 3月生产DRAM出现亏损， 4月份报价仍有些许压力，不过可能已经进入未跌段，只要厂商提高代工比重或者其它产品项目，单月仍能小赚。

部分DRAM模块厂认为，目前DRAM价格已经逼近成本区，预期若 3美元位置不保，有可能使部分成本结构较差的DRAM厂开始在第 2季出现亏损。因此，部分DRAM模块厂预期，4月底DRAM价格或许就能够见底止跌。

2300科技投资网

 

敦南(5305)公布3月份合并营收自结数为11.11亿元，年增率14.1%、月增13.5%，如预期的改写月营收历史新高纪录；整体而言，敦南今年Q1合并营收为31.2亿元，较去年同期成长14.1%，季增率则有4.8%、呈现淡季不淡。

就各事业部销货结构而言，敦南半导体事业群3月份合并营收共占总营收53%，其中分离式组件及模拟事业营收4.4亿元，月增21%、年增20.5%，同时分离式组件及模拟事业Q1合并营收则为12.12亿元，年增率为18%、季增2.5%；另在晶圆代工事业方面，3月份合并营收则有1.46亿元，月增1%、年增14.1%，累计Q1晶圆代工合并营收为4.38亿元，年增率30.8%、季减5%。

敦南指出，据市调机构iSupply今年元月份的报告显示，半导体产业景气可于07年Q1落底反转，并自Q2起逐步走扬，且整体接单出货比率的回升，已可反应出全球半导体超额库存去化将可望于07年上半年告一段落，故看好半导体事业已确定于Q1摆脱营运谷底。

另在影像业群方面，敦南则表示，3月份影像事业合并营收为5.25亿元、占总营收47%，月增率约12%、年增率为13.3%，累计Q1影像产品营收为14.7亿元，年增7%、季成长亦有10.2%，这部份主要成长动能系来自于手机照相模块(CCM)本季出现近2倍的业绩增幅

台湾经济日报

    储存型快闪记忆体（NAND Flash）农历年后价格回涨，记忆体模组厂首当其冲受惠，3月营收大步向前冲，威刚（3260）单月营收再度回到50亿元之上，较2月大增逾五成，远优于市场预期；创见（2451）也乐观预期，3月营收将向历史新高迈进。

    受惠苹果电脑开始大量回补NAND Flash芯片需求，以及MP3厂商于近期开始积极地向各NAND Flash供应商下订单备料，NAND Flash近月来涨声不断，幅度约在两成左右，在上游的供给量已经逐渐调降的情况下，NAND Flash供给更加吃紧，前市供给缺口超过三成，业者普遍预期，这波缺货潮将延续到4月底、5月初，短期价格欲跌不易。

    威刚2月一度因工作天数减少，以及年初NAND Flash价格大跌影响，单月营收掉到33.96亿元的近八个月来新低，3月在NAND Flash价格劲扬带动下，营收较2月大增53.27%，达52.07亿元，远高出市场预期的40亿元水准，并较去年同期倍增。

    威刚指出，3月产品组合上，快闪记忆体占38%、DRAM比重则为62%，第一季营收为123.24 亿元，年增率为67.88%。

    在威刚营收表现强势回升之际，创见也乐观预期，3月营收将创下单月历史新高。大华投顾预估，创见3月营收将挑战35亿元以上，出货量首度达500万片。其中NAND Flash卡加随身碟占400万片，DRAM模组占100万片。

    创见、威刚受惠记忆体价格快速反弹，带动营收走强外，今年前两季均可望有极为可观的存货跌价利益回冲，其中创见先前大举扫进NAND Flash货源，近期相关芯片价格飙涨，回冲利益最为可期。

    美林证券认为，目前DRAM利润仍高于NAND Flash，预期南韩厂商不会再度将产能转回NAND Flash，NAND Flash目前市况乐观。业界分析，今年第一季应该是景气谷底，第二季将呈现淡季不淡。

联合晚报

 

DRAM股第一季因为市场需求不佳，产品价格大跌逾50%，不过，第二季在低价所带动的需求，以及下半年进入旺季的效应来临，预估5月之后，价格可止跌回稳，由于DRAM四雄南科(2408)、华亚科(3474)、茂德(5387)及力晶(5346)，第一季都维持获利状态，预料只要价格回升，今年在产能扩增效益下，营运将一季比一季好。

DRAM股3月营收已可感受产品价格冲击，已公布业绩的力晶单月甚至较2月减少13%，茂德也与2月打平而已，累计第一季的营收，大约都比去年第四季历史高峰衰退15%以上，尽管如此，由于今年元月及2月的DRAM价格跌幅还不大，使得第一季大部分业者都可以稳守获利。

法人预估，当前看来，第一季的每股获利华亚科约1.2元，南科约1元，力晶约0.8元，茂德则逾0.6元，其中平均毛利率四家都可维持在3成以上，守住获利，预估第二季在市场回补库存需求增加后，营运会比第一季更为看好。

对于4月DRAM价格走势，集邦科技分析师表示，当前合约市场价格仍低于现货市场，因此4月份合约市场需求将为DRAM价格是否落底的关键。

根据该机构调查，3月底4月初现货市场短暂的需求浮现，造成DDR2 eTT价格跌深反弹，引发各通路商与模块厂商拼命追价，但是短暂反弹后并没有新的需求浮现，价格波动渐趋平缓，DDR2 eTT价格反弹至2.75美元左右。而DDR2 eTT反弹也带动品牌颗粒价格上涨，DDR2 512Mb 667MHz颗粒价格上涨至2.96美元，现货市场继续破底危机暂时解除。

然而当前合约市场DDR2 512MB普遍成交价格仍在25美元以下，因此换算成颗粒价格约2.5-2.7美元左右，合约与现货价格仍有落差。现阶段观察重点为合约市场的需求，虽然4月为部分美系PC OEM厂商的季底结帐，估计对合约市场的采购量将会受限，但是当前合约市场价格已经逼近甚至低于DRAM厂商工本，估计DRAM价格下跌空间也相对有限.

工商时报 2007.04.07

   

由大陆成都市政府主导投资、由中芯国际代管的四川成都八吋晶圆厂成芯半导体（Cension），在顺利接手日本尔必达及中芯的旧八吋厂设备后，已展开大动作的扩产。据外电报导，成芯半导体目前月产能已达二万片，今年要再投资四亿美元以上资金，预估月产能在年底要达七万片，投入利基型DRAM、CMOS影像传感器、LCD驱动IC等代工市场。

    中芯去年资本支出约十亿美元，今年因考虑到产能利用率恐怕无法满载，已放缓了投资动作，今年资本支出规模将低于去年水平，并将资源集中扩充九○奈米及六五奈米制程技术，及增加十二吋厂产能。中芯投资脚步放缓，但中芯主控管理、大陆各地方政府投资的晶圆厂，扩产动作却十分积极，其中动作最大的成芯半导体，已决定今年将扩产逾三倍规模。

    成芯第一阶段投入了二亿七千万美元资金，二月时接手了尔必达旧八吋厂设备，同时也取得中芯旧八吋厂设备，目前月产能已达二万片，四月起开始试产，预计六月后就会量产投片，今年营收规模应可达一亿二千九百万美元。同时，成芯也将启动第二阶段约四亿一千三百万美元的投资计划，新产能预计九月会到位，总月产能在年底就可达到七万片规模。

    此外，同样由中芯代管、大陆地方政府投资的中芯武汉十二吋厂武汉新芯集成电路制造公司，十二吋厂的厂房兴建已进入收尾阶段，若一切顺利进行，预计本季就会陆续移入机台，下半年就会开始投片量产。该厂预估明年的月产能达一万二千五百片，至○九年月产能就会扩充至二万片至二万五千片规模。

工商时报

     继台积电通过晶圆厂○．一八微米西进，茂德也脚步积极的跟进，投审会预计最快本月底委员会审议该投资案，应可顺利通过。

    经济部去年底开放○．一八微米制程西进后，台积电抢头香提出申请，并于上月顺利通过投审会审查，茂德去年申请○．二五微米西进通过政策面审查，因此仅申请更改制程至○．一八微米，此案相关单位意见经由投审会委员会同意即可，最快本月将可通过。

    根据投审会官员估计，西进投资案个案审查时间约二至三个月，但对于金额较高或技术偏向敏感的企业申请西进，在审查过程中，往往需耗费超过三个月时间，从茂德去年申请西进以来，迄今已有四个月时间，主因投审会为合议制，须将相关意见呈至其它单位，无法控制投资案审查时程。

   台湾封测大厂硅品、超丰、华东等公司，均于去年底前纷纷提出赴大陆投资申请，但迄今相关意见尚未回复，投审会还无法将投资案呈报给经济部长，请求召开政策面审查。

凯雷申请成立子公司并购日月光一案，金管会日前曾明确指出，最快四月回复给投审会，截至目前，投审会尚未收到回函，因此，还无法得知金管会是否赞成该案通过。

 

中时电子报

 

敦南(5305)公布3月份合并营收自结数为11.11亿元，年增率14.1%、月增13.5%，如预期的改写月营收历史新高纪录；整体而言，敦南今年Q1合并营收为31.2亿元，较去年同期成长14.1%，季增率则有4.8%、呈现淡季不淡。

就各事业部销货结构而言，敦南半导体事业群3月份合并营收共占总营收53%，其中分离式组件及模拟事业营收4.4亿元，月增21%、年增20.5%，同时分离式组件及模拟事业Q1合并营收则为12.12亿元，年增率为18%、季增2.5%；另在晶圆代工事业方面，3月份合并营收则有1.46亿元，月增1%、年增14.1%，累计Q1晶圆代工合并营收为4.38亿元，年增率30.8%、季减5%。

敦南指出，据市调机构iSupply今年元月份的报告显示，半导体产业景气可于07年Q1落底反转，并自Q2起逐步走扬，且整体接单出货比率的回升，已可反应出全球半导体超额库存去化将可望于07年上半年告一段落，故看好半导体事业已确定于Q1摆脱营运谷底。

另在影像业群方面，敦南则表示，3月份影像事业合并营收为5.25亿元、占总营收47%，月增率约12%、年增率为13.3%，累计Q1影像产品营收为14.7亿元，年增7%、季成长亦有10.2%，这部份主要成长动能系来自于手机照相模块(CCM)本季出现近2倍的业绩增幅

来源:半导体信息网

     全球第二大半导体制造商三星电子（Samsung Electronics）今年有望开始在中国苏州生产其最先进的 MCP（multi-chip package，多芯片封装）芯片。

     MCP技术通过将多个不同类型的内存裸片封装在一起，在不显著增加芯片尺寸的同时有效地提高了集成度和存储容量，因此可广泛用于3G手机、PDA、笔记本电脑等集成度较高的移动设备。三星是MCP芯片市场的领头羊，预计该公司此举将改变全球MCP芯片市场的格局。

     三星的高级副总裁、三星半导体（苏州）的董事长兼总裁方正浩（Bang Jeong Ho）日前在接受媒体采访的时候表示公司“目前正考虑不久的将来在（苏州）这边生产MCP芯片”。他说：“我们正在考虑这一计划的商业可行性。一旦我们做出这一决定，我们将很快开始产出MCP产品。”

    

     方正浩拒绝进一步给出在中国生产MCP芯片具体的时间表，但据一位三星内部人士透露，公司当前已就该问题得出结论。 “我

们已经通过了一项计划。我们将于今年晚些时候开始在苏州工厂生产MCP产品。” 这位不愿具名的消息人士称，“为此我们还需在苏州建立相关的生产设施，但这不会花费我们太多的时间。我们觉得有必要使我们全球各生产基地的产品多样化。”

     迄今为止，三星仅在韩国本土距首尔90公里的Onyang（温阳）的生产线上制造MCP产品。此番在中国生产这一产品的计划引起了部分担忧，因为MCP芯片是三星在本土生产的最具技术含量的产品。

     随着该公司不断推出其前沿产品，三星如今已领先其竞争对手一年以上。2003年，三星开发出了6芯片堆叠技术，此后又在2004年、2005年和2006年相继推出了8芯片、10芯片和16芯片堆叠技术。去年推出的16芯片MCP具有16GB的超大容量，足以存储数千首MP3歌曲。