Archive - 四月 3, 2007

巨亨网  2007 / 04 / 03   星记者叶文义／台北‧

内存市调机构集邦科技(DRAMeXchange)表示，在部分DRAM厂库存去化顺利下，现货市场DDR2 eTT近日价格跌深反弹，并带动品牌颗粒价格上涨，现货市场继续破底危机暂时解除。集邦科技分析师表示，目前合约市场价格仍低于现货市场，因此 4月份合约市场需求将为 DRAM价格是否落底的关键。

根据集邦科技调查，现货市场短暂的需求浮现， DDR2 eTT价格跌深反弹，造成各通路商与模块厂商拼命追价，但是短暂反弹后并没有新的需求浮现，价格波动渐趋平缓，DDR2 eTT价格反弹至2.75美元左右。而DDR2 eTT反弹也带动品牌颗粒价格上涨，DDR2 512Mb 667MHz 颗粒价格上涨至2.96美元，现货市场继续破底危机暂时解除。

集邦科技分析师指出，现货价格反弹主要原因在于 3月价格大幅下跌，使得部份PC OEM厂商以及模块厂出手收购低价的库存，因此部分DRAM厂商 3月底库存压力减轻状况下，继续杀低的卖压获得控制。而部分库存较低的模块厂与通路商回补库存才造成价格跌深反弹。

然而目前合约市场DDR2 512MB普遍成交价格仍在25 元以下，因此换算成颗粒价格约 2.5-2.7美元左右，合约与现货价格仍有落差。因此在合约市场价格未止跌之前现货价格反弹未必代表DRAM价格已经见底。而现阶段观察重点为合约市场的需求。

集邦科技指出，由于4月份为部份美系 PC OEM厂商的季底结帐，因此估计对于DRAM合约市场的采购量将会受限。但是目前合约市场价格已经逼近甚至低于DRAM厂商成本，估计DRAM价格下跌空间也相对有限。

联合晚报  2007.04.03  记者徐睦钧/台北报导

 DRAM股上月营收受现货及合约价走跌影响，即使工作天数比2月多出3天，但表现不如预期，龙头力晶(5346)自结较2月的92亿元小幅衰退；茂德(5387)、华亚科(3474)仅较2月小幅成长。总计DRAM厂第一季在2、3月表现不佳影响下，预估单季获利也将低于市场预期。

力晶预计今公布上月营收，受到DRAM现货价走跌冲击，上月自结较2月衰退，写下今年来最低，该公司表示，主要是市场需求不佳，加上价格跌势增大所致，尽管近期现货价已反弹回温，惟仍需观察市场需求变化，第二季的产业走势还有待观察。

不过，第一季价格跌深，已加速因产业淡季效应而落底情况，力晶表示，展望未来现货市场将呈现底部盘整后稳健走扬的趋势，随着Windows Vista操作系统带动内存产品价格的上升，再加上该公司新增产能与先进制程的效益将于第二季发酵，对于后续的营运仍抱持乐观的期待。

茂德概估上月营收与2月相当，即使衰退，也可维持在50亿元以上，累计第一季营收逾170亿元，单季预估仍可获利，每股税前纯益逾0.6元。

华亚科上月营收较2月成长，惟公司表示，成长幅度有限，由于2、3月营收走低，粗估第一季季报仍将受影响。原本市场法人预估，华亚科第一季每股税前纯益有1.2元，力晶有1.1元的实力，随第一季营收不如预期，已分别向下修正为1元、0.8元。

台视新浪网  2007-04-03张建中新竹

DRAM 现货价近日跌深反弹，暂时化解持续破底危机，不过集邦科技今天表示，由于目前合约价仍低于现货价，因此4月份合约价能否顺利止跌，将是DRAM价格是否真正落底的观察指标。集邦科技指出，近期DRAM厂库存压力减轻，现货价出现跌深反弹走势，其中DDR2 eTT价格反弹至2.75美元左右，DDR2 512Mb 667MHz颗粒价格也上涨至2.96美元；虽然后续新的需求并未浮现，价格再度趋于平缓，不过DRAM现货价继续破底危机暂时解除。集邦科技表示，目前合约市场DDR2 512MB成交价普遍仍在25元以下，换算成颗粒价格约2.5至2.7美元左右，距离现货价仍有相当的落差；因此在合约市场价格未止跌之前，现货价格反弹未必代表DRAM价格已经见底。集邦科技指出，现阶段观察重点为合约市场的需求；由于4月份为部份美系PC OEM厂商的季底结帐，因此估计对于DRAM合约市场的采购量将会受限，不过目前合约市场价格已经逼近甚至低于DRAM厂商成本，DRAM价格下跌空间也将相当有限。

DigiTimes  2007/04/03   记者吴宗翰／台北 

目前标准型DRAM仍以90奈米制程为主，就算开始转进采用70奈米制程，真正大量生产的时间点大约在下半年，不过受到未来手机市场庞大商机影响，手机用存储器目前采用制程则是越来越先进，其中，尔必达（Elpida）自5月起将开始大量采用70奈米制程投产手机用存储器，据了解，这款手机用存储器为低耗电存储器产品，业界人士认为，尔必达专注于消费性电子产品用存储器方向依然没有改变，而这对于其策略伙伴力晶（5346）将是一大利多，原因在于尔必达在标准型DRAM部分将更倚赖力晶。

尔必达预计5月中起，采70奈米制程512Mb手机用低耗电DRAM开始出货，而未来手机对于存储器需求量将与日俱增，除目前512Mb外，尔必达也计划进一步生产1Gb手机用低耗电DRAM。

事实上，尔必达已在2006年12月对外表示，将首开业界先例开始在广岛12寸晶圆厂采用70奈米制程技术量产1Gb和512Mb的SDRAM，预计首批出货时间在2007年第一季左右。当时尔必达对外表示，1Gb和512Mb的SDRAM产品将可应用于高阶服务器、高画质数码电视和数码单眼相机等须具备强大影像处理功能的消费性电子产品上，而目前也已将这款产品应用于手机内部。

就未来整体手机市场用量来看，成长幅度将远超过PC市场，对于尔必达来说，不可能轻易放过此一高成长市场，再者，尔必达原本建厂时便已明白指出，未来将专注在消费性电子产品用存储器为主，而标准型DRAM商品则将交由其策略合作伙伴，以及与力晶共同成立的瑞晶为主。

DRAM业内人士指出，如就尔必达此次采用70奈米制程技术投片手机用存储器来看，其制程技术与标准型DRAM相较可说一点也不逊色，就目前标准型DRAM制程技术来看，力晶、茂德（5387）、华亚科（3474）、海力士（Hynix）、美光（Micron）等大厂均仍以90奈米制程技术为主，真正转进70奈米制程技术仍有待下半年才较有机会，由此可看出DRAM厂在手机用存储器上用心程度，绝对不输给标准型DRAM。

国际电子商情  2007年04月03日 

为了巩固在全球手机和消费电子芯片市场的领先位置，三星电子日前推出一系列移动内存芯片解决方案。

在日前举行的三星移动方案论坛上，三星半导体业务部总裁Hwang Chang-Gyu表示，手持设备和消费电子将推动下一波增长。

目前，全球每年手机和数字消费电子出货量达到20亿。Chang-Gyu表示这个市场“比现在个人电脑市场要大十倍”，而每年PC销售量是2亿台。同时，他预测增长趋势将维持到2010年。

为了满足手机和数字消费电子间日益增长的数据转移需要，三星希望推出像内存芯片一样的创新数据存储解决方案。

例如，手机、MP3播放器、数码相机甚至视频播放器都开始配置越来越多数据存储设备，以便为复杂功能提供支持。手机中的内存容量已从10 Kb跳升到几百万字节。

三星最新推出的Flex-OneNAND芯片，在一个硅底板上提供单层和多层单元解决方案。

Flex-OneNAND是三星推出的第三代多功能熔合半导体芯片，前身是第二代OneNAND嵌入芯片。它结合自己的专有软件程序，可以在单层单元(SLC)和多层单元(MLC)闪存技术之间灵活转换。

当该芯片被用作专用SLC NAND闪存时，其存储密度为2Gb。

在更多数据为中心的设计中，该芯片可用作专门的MLC NAND闪存芯片。在那种情况下，其存储密度为4Gb。

三星表示，为了在设计时节省板上空间，设计人员可以使用单芯片替代原有的SLC类型NAND闪存和MLC闪存。

例如，通常手机具有一个SLC NAND闪存芯片和一个MLC内存。SLC芯片作为存储中心操作或者应用软件程序。MLC芯片用于数据存储，或者采用扩展槽插入一张MLC NAND闪存卡。

Flex-OneNAND芯片将在2007年4月开始批量生产，三星预期该芯片销售额达到1亿美元，到2012年达到10亿美元。

三星也发布了一个移动开发平台套件，结合其独家应用处理器芯片和专有的OneDRAM芯片。

这个移动开发平台瞄准第三代3.5G高速下行或者WiMax智能手机。手机设计人员可以让应用处理器与基带调制解调器芯片使用共享内存系统，代替各种原有的独立内存系统。

在2006年12月推出的OneDRAM芯片，单个硅底板上熔合SRAM和DRAM内存系统。这样，手机设计人员可以在使用SRAM高速数据访问的特性下，同时获得DRAM的高密度存储能力。

该应用处理器集成667MHz ARM1176内核，支持接收高清晰视频流文件。

此外，三星也推出了1.8英寸64GB容量固态存储器(SSD)，据称与之前推出的30GB容量SSD相比，在读写速度上分别提高20%和40%。批量生产将在2007年第2季度开始。

三星也面向高端移动设备推出了840万像素CMOS图像传感器和2.1英寸LCD面板，该面板具备QVGA解像度，配有根据环境亮度调整的传感器。

中国时报   2007.04.03   王宗彤

因DRAM现货价止跌反弹，近2日涨幅逾1成，带动DRAM类股股价同步止稳走扬，而南科(2408)以合约价市场为主，还有高配息诱因下，股价一直在高档震荡，持续向前波高点28.45元挺进，昨收盘上涨0.35元以27.95元作收，成交量30,064张。

DRAM价格近期快速大幅滑落修正后，目前产品价格已逼近DRAM厂成本区，刺激市场需求逐步回温；3月底在贸易商趁低档收购DRAM厂库存后，带动DRAM现货价连日反弹。

法人认为，近期市场传出英特尔及超微CPU将于4月底降价，配合返校需求备货将提前至5月底至6月展开，因此DRAM价格可望提前于5月反弹。

工商时报  2007.04.03　萧丽君/综合外电报导

在上周被任命接掌南韩半导体大厂海力士(Hynix)执行长的金钟甲(Kim Jong-kap)表示，内存芯片第一季市况比预期更为艰难，但不致让他们修正今年度的获利目标。

此外为突破该芯片市场的低迷景气重围，他们将考虑在明年扩展内存芯片以外的产品。

在接任Hynix掌舵手前，曾是南韩产业资源部副部长的金钟甲在记者会上宣称，数家芯片业者都在获利与营收上遭遇到困难。

他坦承，「今年第一季市况比我们去年预测更为艰难」，不过他补充「至今我们的年度目标并没有任何改变」。

根据路透社调查显示，分析师预测海力士在二○○七年的净利将为一．九四兆韩元，较去年的二．○一兆韩元微幅下跌。至于营收可望达到八．九三兆韩元，高出去年的七．五七兆韩元。

在今年一月份，海力士曾预估今年DRAM芯片价格将下跌三○％，至于用于数字相机与音乐播放器的NAND，光是第一季的跌幅也将深达三四到三五％。

高占海力士销售四分之三的DRAM芯片，一直面临使用微软Vista系统的计算机需求比预期缓慢，加上业者先前从NAND转换到生产DRAM，导致库存高居不下的窘境。

为了突破难关，金钟甲指出他们正考虑「一旦限制移除，将再度生产非内存芯片」。

经济日报  2007.04.03   记者周志恒／台北报导

 高容量规格的NAND Flash现货价昨（2）日傍晚再度飙涨逾8.4%，近两周涨幅超过四成，另外，DRAM现货价继上周五单日飙涨逾9%后，昨日价格持稳，Flash、DRAM两项内存产品近期涨势不断，创见（2451）、威刚（3260）、劲永（6145）、品安（8088）模块厂成为最大受惠者，不仅3月营收成长可期，第二季营运、获利更具成长潜力。

受惠市场需求转求及内存价格大涨，创见3月营收预测将创下单月历史新高。大华投顾预估，创见3月营收将挑战35亿元以上，出货量首度达500万片。其中NAND Flash卡加随身碟占400万片，DRAMModule占100万片，威刚3月营收市场估计上看40亿元。

创见、威刚受惠内存价格快速反弹，带动营收走强外，首季、第二季均可望有极为可观的存货跌价利益回冲，其中创见先前大举扫进Flash货源，本波Flash飙涨，回冲利益最为可期。创见昨（2）日股价上涨1元、收在126元；威刚股价上涨5元、以142元收盘。

集邦科技网站昨晚最新Flash现货报价，再度全面走扬，其中16G MLC规格涨幅从6.74%至8.43%不等，8G MLC涨幅则有1.54%至3.63%的水平，4G平均涨幅则落在3.5%左右，双双创下近期反弹来波段新高。

在苹果公司（Apple）大举建立Flash库存下，目前市场Flash供给缺口超过三成，业者普遍预期，这波Flash缺货潮将延续到4月底、5月初。

美林证券在最新研究报告中指出，三星电子、海力士目前的合约价格仍维持在5到6美元左右，但预期到了4月合约价即可望调高至少5%到10%。美林认为，目前DRAM利润仍高于NAND Flash，预期南韩厂商不会再度将产能转回NAND Flash，NAND Flash目前市况乐观。

DRAM现货价上周也出现触底反弹走势，昨日DDRⅡ512Mb有效测试规划价格虽回跌3%左右，但颗粒价格仍继续上扬1.71%。据了解，香港地区即将进入长假，厂商先行补充DRAM货源以备不时之需，而原厂DRAM颗粒会出现较为明显的涨势，最主要原因还是在于补涨效应。

近期NAND Flash现货市场开始缺货，价格屡屡飙涨，南韩三星、海力士调拨DRAM产能、转为生产Flash可能性大增，相对增加下半年DRAM后续行情的乐观度。

 2300科技网  2007/4/3

根据Semiconductor Industry Association发布的报告，今(2007)年二月份全球半导体销售为200亿9000万美元，比元月份的214亿8000万美元减少6.5%，比去年同期的192亿8000万美元增加4.2%。PC与消费性电子产品这些应用目前大约占有半导体销售的60%。如果与元月份比较，二月份欧洲与日本地区的表现比较优异，下跌的幅度比较小；美洲市场下挫的幅度最大。日本为36亿7000万美元，比元月份减少3.3%；欧洲下跌4.4%至33亿美元；美洲地区缩减8.3%至34亿美元，亚太地区缩减7.7%至96亿9000万美元。如果与去年同期比较，则欧洲地区成长了7.2%，是表现比较优异的地区，美洲的情况还是最恶劣，缩减了8.6%；亚太地区成长10.1%。

SIA指出，二月份全球半导体产品的平均售价有广泛的下跌，反映出市场高度竞争的态势；其中只有某些类别平均售价的下挫能为出货量的提高所弥补，许多产品无法弥补，因此销售金额下跌。例如，微处理器与数字讯号处理芯片在二月份的销售量与平均售价均告下跌，而NAND闪存的销售量虽颇有成长，但销售金额却有双位数的下跌，反映出这个市场白热化的竞争

2300科技网  2007/4/3

Elpida Memory发布讯息指出，线幅70奈米行动电话用DRAM将于5月开始出货。对Elpida而言，70奈米行动电话用DRAM为继服务器、PC用容量1Gb、512Mb DRAM之后，出货的第三号产品。由于70奈米制程的量产相当顺利，而将90奈米产品转换至70奈米，以期快速达到降低成本的效益。

Elpida 的广岛工厂在去年12月底领先业界，率先导入70奈米制程，生产DRAM。服务器、PC用1Gb产品甫于3月上旬，512Mb产品亦于3月下旬开始出货。硅晶圆投片之初至开始出货，通常需要2个月的时间。行动电话、可携式电子产品用低耗电量DRAM之512Mb产品，将于5月中旬开始出货。行动电话用1Gb产品亦计划即早投入量产。

线幅由90奈米减少至70奈米，半导体芯片面积缩小，一片晶圆可切割的芯片颗数将增加60%。在韩国、台湾厂商持续扩产，导致DRAM价格下滑状况下，Elpida企图藉由制程细微化，降低成本并增加产能。相较90奈米产品，70奈米产品之动作电流削减40%，消费电力、发热量降低之下，功能亦向上提升。Elpida领先韩国三星电子等竞争对手，投入功能提升与成本降低之研发，以期在行动电话用DRAM市场维持高占有率。