Archive - 四月 25, 2007

巨亨网 2007/04/25   编译赵健君／综合外电．

日本最大内存制造商Elpida Memory Inc.(6665-JP) 周二公布2006年度财报，合并营业获利达529 亿日元，但表示 1-3月获利仅有前一季的一半。欧洲半导体大厂STMicroelectronics Inc.(STM-FR；意法半导体) 第 1季获利则衰退 44%。

 Elpida 2006 年度转亏为盈，净利 529亿日元，去年同期亏损47亿日元。营业获利激增至 684亿日元，远高于去年同期的 1亿日元。营收倍增至4900亿日元。

但值得注意的是获利有逐季递减的现象。Elpida1-3 月营业获利较前 3季衰退 45%至 149亿日元，尽管第 1季是半导体产业的传统淡季，但衰退幅度仍然太大。

Elpida业绩欠佳的最大原因是安装 Vista新版操作系统的个人计算机销售不振。由于芯片制造商看好 Vista效应而提高DRAM产量，造成供应过剩及价格下滑。

Elpida社长坂本幸雄表示，为因应低迷市况，将会提高成本较低的高阶产品比重。他说，本年度日本国内将有的 70% DRAM产量由90奈米升级至70奈米制程。

与台湾厂商成立的合资公司会在今夏增产，他希望将其全球DRAM市占率由 15%提高到 20%。

欧洲半导体霸主STMicroelectronics第 1季营收减少3.7%，由24亿美元降至23亿。净利降至7400万美元或每股 8美分，去年同期获利1.32亿美元或每股14美分。

总裁兼执行长 Carlo Bozotti表示：「产业连续几季进行修正，比我们和分析师预期要严重。特别是，无线和消费用产品销售衰退，加上整体整体价格环境严峻、及无线产品组合不佳，对第 1季的营收和营业获利有负面影响。」

他表示，产业前景仍混沌不明，预期第 2季营收可较第 1季成长 4-10%。

Q2手机芯片 市况不明

工商时报 2007.04.25  邱诗文/新竹报导

手机芯片大厂德仪（TI）廿四日公布财报，表示手机大客户库存完成去化，因而看好公司第二季手机芯片出货表现，不过，联发科对第二季的看法却相对谨慎。联发科廿四日表示，虽然年初到四月公司的手机出货都淡季不淡，但接下来大陆五一黄金周的手机销售状况，将影响第二季整体表现，目前看来，第二季的能见度并不明朗。

联发科受惠于大陆手机内需市场，并且透过购并手段取得客户与市场，市调机构估计，去年手机芯片在大陆市场市占率可望超越五○％，受到农历年与五一长假客户提前下单的带动，联发科的手机芯片销售到第一季为止，旺季已经连续两季。

联发科表示，为准备大陆五一长假手机销售，客户提前下单带动，估计联发科手机芯片四月销售状况仍然持续旺季，不过，经过圣诞节与农历新年旺季后，今年五一旺季是否能持续畅旺，目前难以论断。

联发科表示，若五一旺季手机买气仍佳，到五、六月大陆客户须库存回补，第二季营收才有机会高过第一季，若销售状况平平，则客户必须花费一季时间去化库存。

至于与德仪对第二季看法的歧异，联发科表示，两家公司由于客户结构不同，营运走势并无连动。据指出，五十美元以下手机占德仪手机芯片最大宗，不过，联发科手机芯片定位在一百美元以上手机市场，分属不同手机消费族群。

台湾新浪网 2007-04-24记者张建中新竹

市场需求依然疲软，DRAM现货价持续盘跌，根据集邦科技调查，DDR2 512Mb ETT均价今天一度跌破2美元关卡，达1.99美元；集邦科技预期，4月下旬的超低价格或许是近期DRAM价格的低点，与南科及力晶等业者看法大致相同。由于上半年PC市场处于淡季，而在供需失衡下，DRAM厂每月仍不断增加产出，面临沉重压力，也因此对于买方所要求的超低价格不得不妥协；根据集邦科技调查，4月下旬DRAM合约价已下探至20美元左右，跌幅超乎预期。至于现货市场方面，由于市场买气不佳，DRAM现货价持续盘跌走势，根据集邦科技调查，DDR2 512Mb ETT均价今天一度跌破2美元关卡，达1.99美元，4月来跌幅已高达29.9%；DDR2 512Mb 667MHz现货均价也下探至2.5美元，4月来跌幅也达14%。集邦科技指出，由于4月份PC OEM厂商库存水位偏低，因此在季底财报结束后，5月起应会陆续拉高库存水位，也将使得DRAM市场需求逐步回温，加上下半年PC旺季即将来临，因此4月下旬的超低价格或许将不复见。只是依照目前DRAM价格来看，集邦科技表示，DRAM厂普遍已面临亏损的窘境，而下半年新制程及1Gb 规格产品出货比重，将是攸关DRAM厂商营运好坏的决胜关键。

联合报 2007.04.25  记者许佳佳／台北报导

集邦科技表示，4月下旬DRAM合约价格下跌到20美元左右，已逼近各大厂的成本区。下半年的新制程将是各厂赚钱的关键。

集邦表示，下半年个人计算机旺季的到来，代工厂将开始回补库存水位，有利于DRAM需求的回温，因此4月下旬的超低价格或许是近期DRAM价格的低点。

本次合约价格下跌幅度仍高于预期水平，集邦科技表示，主要因为PC市场上半年处于淡季，在供需失衡下DRAM厂对于每月不断增加的产出仍有压力，也因此对于买方所要求的超低价格而不得不妥协。

但是由于4月份PC OEM厂商库存水位偏低，5月开始会陆续拉高库存水位，也将使得DRAM需求回温，加上下半年PC旺季支撑，因此4月下旬的超低价格或许将不复见。

而三星、海力士等厂商也在第2季开始试产68nm、66nm，甚至下半年将积极提升1Gb比重，而台系厂商则是持续增加12吋产能来降低成本。在今年供给大量增加的情况下，下半年成本下降幅度将是DRAM厂商决胜关键

巨亨网  2007/04/24 记者叶文义／台北

集邦科技(DRAMexchange)今(24)日公布 4月下旬 Nand Flash合约价，4GB、8GB以及16GBMLC以及SLC芯片全面持平开出。集邦分析师表示，受大陆五一长假将至，4月下旬提前备货需求已较4月上旬减少，加上 4月上旬涨幅较大，故此次Nand Flash合约价全面持平。

根据集邦最新报价，Nand 4Gb MLC价格维持在 4.2-3美元区间，均价3.88美元﹔8Gb MLC维持在 7.8-7 美元，均价7.4美元﹔16Gb MLC维持在15.2-14美元，均价14.6美元。此外，Nand 4Gb SLC价格维持在 4-5.3美元，均价4.64美元﹔8Gb SLC维持在7.5-8.8美元，均价 8.14美元﹔16Gb SLC维持在15-17.6美元，均价16.24美元。

现货市场方面， 4月下旬Nand Flash已有涨多回档走势。以8Gb MLC为例，现货价从4月10日的9.14美元滑落至7.09美元，跌幅已有约 29%，相对于现货价，合约价目前较为守稳。

巨亨网 2007 / 04 / 24   记者叶文义／台北

根据集邦科技(DRAMeXchange)数据， 4月下旬合约价格下跌至20美元左右，连带影响现货市场价格走势。展望下半年PC旺季的到来，集邦分析师指出，PC OEM厂将开始回补库存水位将有利于DRAM需求的回温，因此 4 月下旬的超低价格或许是近期DRAM价格的低点。而目前 DRAM厂普遍已面临亏损的窘境，下半年新制程以及 1Gb 出货比例将是影响DRAM厂商成本的决胜关键。

现货市场方面，上周市场买气仍不佳，价格持续盘跌。DDR2 512Mb 667MHz下跌至2.57美元左右，DDR2 eTT价格下跌至2.05美元。合约市场方面，4月下旬合约价格在美系PC OEM厂商季底降低库存影响而持续下跌，多数DDR2 667MHz 512MB价格成交在20美元，甚至更低。

本次合约价格下跌幅度仍高于预期水平，集邦分析师表示，主要因为PC市场上半年处于淡季，在供需失衡下DRAM厂对于每月不断增加的产出仍有压力，也因此对于买方所要求的超低价格而不得不妥协。但是由于 4月份PC OEM厂商库存水位偏低，因此在季底财报结束后 5 月份开始会陆续拉高库存水位，也将使得DRAM需求回温，加上下半年PC旺季支撑，因此 4月下旬的超低价格或许将不复见。

而 4月下旬的DRAM价格使得许多DRAM厂都已经面临亏损的窘境，各家厂商无不利用各种方式来降低成本，以美光为例，近期宣称以78nm开发出 1.5伏特的低耗电 DDR2产品，整体用电量将可节省 24%左右。而美光由于 8 吋厂比重偏高，成本不佳，因此以主打特殊规格的内存策略企图避开杀价激烈的标准型内存市场。

台湾新浪网 2007-04-24 张建中新竹

科技新闻  2007.04.25

根据iSuppli发布的报告，该公司调降对于2007年度全球半导体市场规模的预测，认为今年将成长8.1%至2814亿美元；原先该公司预测今年的成长率将达到10.6%。iSuppli表示调降的因素包括手机成长趋缓、库存过多问题持续存在与内存市场的疲软。其中最大的因素，在于DRAM产值成长缩小；这个市场在2006年度大幅成长了35.2%至339亿美元，但今年预测将仅成长8.6%至369亿美元，主要就在于供应增加，导致平均售价下跌。iSuppli原先预测DRAM市场今年将成长13%，由于这个领域占有整体半导体市场的13.1%，因此它的成长放缓，对于整体半导体市场有重大的冲击。内存市场另外一个问题在于闪存领域，这个市场预测今年将因NAND而缩减3.3%；闪存市场在去年度成长了11.1%。

IT新闻眼  2007.04.24

FormFactor公司近日发表 PH150XP 晶圆探针卡，扩展其 PH150 系列DRAM晶圆测试产品的阵容。 PH150XP 探针卡提供多项良率与处理量提升的功能，让DRAM制造商能进一步降低整体测试成本。PH150XP 探针卡样本已开始供应予各大内存领导制造商进行评估测试。

PH150XP 能辅助FormFactor刚于一月推出的新款 Harmony XP™ 晶圆探测解决方案。 Harmony XP 探针卡是针对1GB与更高密度DRAM组件的全区域12吋晶圆所设计，而PH150XP则属低成本解决方案，专门探测每片晶圆必须进行四次以上的小尺吋、低密度DRAM组件(512 MB以下)之接触测试。

Form Factor 执行长埃格坎卓斯（Dr. Igor Khandros）表示：「市场对手机、MP3以及其它掌上行动装置产品的需求，持续带动消费性DRAM组件的成长，我们的顾客期盼我们提供理想的晶圆探测解决方案，让其以最低的测试成本，达到产品上市时程的需求。我们新推出的 PH150XP 探针卡扩增FormFactor在先进晶圆探测解决方案的阵容，让我们的顾客现在能针对各种DRAM产品，配置最最佳化的晶圆测试解决方案。

支援更高的良率

随着行动应用不断驱使组件运作电压向下调降，IC制造商面临一项日趋严重的问题 – 测试设备与组件之间传送电源所产生的噪声。运用专属电源以及组件上的接地针脚，就能降低这类噪声，进而将错误测试结果的可能性降到最低。PH150XP 探针卡融合一项新的 MicroSpring® 接触设计，能容纳超过25,000个接触点，成为测试高针脚数的行动产品DRAM组件最理想之解决方案。PH150XP探针卡的架构改良，亦在探测时达到更高的平面与位置精确度。除了支持更小的测试垫片尺吋外，这些改良设计还能减少过多的刻痕记号，这类记号会损坏测试垫片进而造成良率损失。减少刻痕记号对于已知良好晶粒(KGD)以及其它需要进行多重测试的应用，亦或是进行组件测试的阶段而言，都特别重要。

提高测试单元的处理流量与正常运作时间

在不同温度下进行探测，才能测试出组件功能在各种运作条件下是否能正常发挥。但晶圆在温度变化时，其体积会略为扩大或缩小，导致探针卡的位置偏移，因而损坏受测组件，产生不良的电子接触或不准确的测试结果。PH150XP探针卡提供一项选配方案，它能支持各种温度变化，运用极小的垫片进行双重的温度测试，同时缩短测试时间(探针卡在测试特定温度时所耗费的时间)，以达到更高的探针卡可用度以及测试处理流量。透过这种选配方案，在安装探针卡、晶圆更换、以及探测记号的检测时，探测的位置仍能维持稳定，确保控制中的探测条件，并达到更快的设定时间。

前瞻性陈述

本新闻中非绝对历史性的描述，皆属前瞻性陈述，这些陈述皆遵循相关的联邦证券法律，其中包括涉及我们产品性能的陈述。这些前瞻性陈述是根据当前的信息与预期所述，这些信息与预期都可能产生变化，并涉及许多风险与不确定因素。实际事件或结果都可能和前瞻性陈述有明显出入，其原因包括以下事项，但范围不在此限:公司透过其Harmony XP晶圆测试解决方案对12吋高密度DRAM晶圆测试流程进行最佳化的能力;为顾客提供高正常运作时间与高生产力的晶圆侦测解决方案; 同步支持组件尺吋缩减;透过一个全方位的系统模式来改进接触效率以及测试单元的运用效率; 协助顾客降低整体测试成本;为顾客开发与供应各种创新技术; 推动产品开发进程，为顾客的事业带来多元的成长动力。其它可能导致实际结果与前瞻性陈述相左的因素，已列于公司截至2005年12月31日止的Form 10-K财报，以及送交至美国证管会(SEC)的10-Q与8-K财报。公司呈交美国证管会的财报复本，可参考 http://investors.formfactor.com/edgar.cfm。公司没有义务更新本新闻的信息，也没有义务修改任何前瞻性陈述，或是更新任何可能导致实际结果与前瞻性陈述有所出入的因素。

中时电子报 2007.04.25  记者:　李纯君 

适逢传统淡季内存市况不佳，加上预期内存报价仍会走跌，近来终端市场的观望气氛浓厚，买气也持续缩手，即使大陆五一长假在即，通路商也缺乏提前回补DRAM与NAND闪存货源的意愿，因此历年五一长假前内存的补货效应，在今年终于宣告失灵！

因市场仍处传统淡季效应下，买气难提升，加上VISTA效应仍未见发酵、市场换机潮也尚未开始，以致于近来包括大陆、台湾等终端市场的DRAM买气依旧低迷，加以现阶段模块厂与终端通路商依旧满手库存，因此即使大陆五一长假在即，但模块厂与通路商均不认为没有必要提前备货。

此外，内存模块厂与通路商也强调，在需求不振的情况下，年初以来DRAM报价自高点重挫，以SPOT市场的五一二Mb的DDR2来说，年初报价曾高达五美元，但近两日内已经跌破二美元，跌幅超过五成，昨（廿四）日最低报价甚至来到一．八美元。

因此在DRAM价钱跌幅剧烈、模块厂满手库存，加上市场预期五月上旬DRAM报价仍有小探压力的情况下，模块厂与通路商均透露，除非五一买气强劲，可以顺利去化库存，否则短期内不宜向内存厂进行采购，以减少库存损失。

经济日报  2007.04.25  记者  周志恒 台北报导    

DRAM及NAND Flash近期利空频空，美国市场研究机构iSuppli发布最新报告指出，DRAM价格已跌至厂商的现金成本水平，DRAM厂第二季将由盈转亏；集邦昨（24）日公布4月下旬Flash合约价，受需求减弱影响，全数持平开出，冲击昨日下午Flash现货全面重挫，8G、16G规格产品单日跌幅分别超过7%及4%。

DRAM大厂茂德（5387）及以Flash模块为主的创见（2451）今（25）日将举行法说，由于南科（2408）、华亚科（3474）、及力晶（5346）均认为第二季DRAM景气有机会落底，预料茂德对景气解读仍会中性偏多；至于创见挟近一个多月Flash行情大涨之赐，市场估首季获利将较去年同期倍增。

茂德前2月毛利超过四成，第一季毛利平均应可力守三成以上，市场估茂德首季每股获利约落于0.5至0.6元附近。茂德昨日股价上涨0.1元、收在13.1元。

DRAM价格走跌，厂商加快先进制程投产脚步以降低生产成本，茂德70奈米制程目前是台湾DRAM厂中进度最快，本月投片量达1.5万片以上，70奈米目前平均良率已达85%以上，预计第二季末大量产出。

日本DRAM大厂尔必达（Elpi-da）昨日也公布2006年度（2006 年4月到2007年3月）合并财报，营收达4,900.39亿日圆，年增率102.9%。