Archive - 四月 24, 2007

三星发布全新晶圆级堆叠封装DRAM芯片

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存储时代     2007423    作者: hyy(编译/整理)


  


   三星电子(Samsung Electronics)今天宣布已经开发出适用于全系列DRAM的堆叠式封装,采用穿硅孔(TSVThrough Silicon Via)技术,将会为内存带来更快的速度,更小的体积以及更低的功耗。


全新的晶圆级堆叠封装(WSPWafer-Level-Processed Stacked Package)由四片512Mb DDR2芯片组成2Gb的高密度内存。能过TSV技术的2Gb芯片,三星在第一时间制成了基于WSP技术容量高达4GB的模组。WSP技术不仅仅可以降低整个封装尺寸,而且能让芯片运行更快,耗电量更小。“基于TSV的多芯片封装(MCPMulti-chip Package)堆叠技术是一项创新,提供了下一代封装方案,符合日益增长的小尺寸、高速、高密度内存的需求。”三星电子存储器部门互联技术开发组的副总裁郑太京(Tae-Gyeong Chung)说,“此外,WSP技术带来了性能的改进,也将使多种半导体封装的合并工艺从中受益,例如在系统级封装(System-in-package)中加入逻辑存储器。”


在今天的多芯片封装中,内存芯片由引线接合的方式来连接,核心(Die)之间需要有10微米的垂直空间,这种方式在封装板上同样需要数百微米的水平空间用于核心的连接引线。与此相比,三星的WSP技术的连接方式是:用激光切割出微米级的孔,这些孔垂直穿透硅晶体,用铜进行填充以直接连结存储器电路,只有间隙(Gap)和核心另一侧突出的引线需要的额外空间,因此三星的WSP技术能够提供非常小的面积和更薄的封装尺寸。


在新的WSP中,硅片直通孔被一层铝膜所覆盖,用于减少由重新分层而导致的性能损失。由于DRAM堆叠的复杂性,新WSP技术的工艺难度要大大高于去年刚发布时的WSP。当时这项技术还涉及到NAND闪存的核心。


   下一代DRAM的速度将达到1.6Gb/ps,多芯片封装在高速内存中如果仍然采用现有的技术,其性能将会受到限制,这是倍受关注的问题,不过三星的WSP技术使这种顾虑消于无形。                                                                                  


   此外,为了实现更薄的多核心堆叠,晶圆的背面将会被去除,晶圆将很容易被弯曲而造成核心物理变形。为了克服这一副作用,多核心堆叠的线路将更加密集,三星在去年发布的独家薄型晶圆(Wafer-thinning)技术已经被应用到了薄型核心切割中。 


  三星最新的堆叠封装是一种高密度、高性能的半导体解决方案,将会在2010年及之后的下一代计算机系统中发挥光和热。


 

三星开发3D芯片堆叠技术 4GB内存达成

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小熊在线   20070424  作者:小熊在线-layla


 


    4月中旬我们向大家介绍了《扩展摩尔定律 IBM详述3D芯片堆叠技术》。今天,三星电子也宣布使用“穿透硅通道”(TSV)技术开发出首款全DRAM堆叠的内存封装。


三星最新的晶圆级堆叠封装(WSP)包含4512Mb DDR2 DRAM芯片,藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM,三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM


三星专利的WSP技术不仅降低了芯片的整体封装尺寸,同时也将提高芯片的工作速度并能降低其功耗水平。三星的WSP技术利用激光在硅芯片上垂直蚀刻出微米级的细小通道,并以铜材料填充,从而不再需要额外的空间间隔和连接芯片的导线。


这些好处使得三星的WSP技术提供更小的芯片覆盖区域和更薄的封装。在新的WSPTSV以铝衬垫覆盖,这样做的目的在于避免重新分配层所造成的性能下降。


三星的新堆叠封装技术旨在响应业内对高密度、高性能半导体解决方案的需求,以支持2010年及以后的下一代计算系统。


 

精英:朝EMS模式发展,合并营收上看1000亿元

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DISCLOSE   2007-04-23    作者:霹雳火 上下游撮合


精英今年前三季合并营收自结为238亿元,较去年同期成长4.2%。法人预估,今年精英合并营收可望突破1000亿元,而主机板出货量全年上看3000万片,至于华东厂在六、七月完工后,NB产能将由目前的300余万台倍增至600万台。精英最快下周将自结第一季的获利,公司保守看待第一季转亏为盈的期望。


精英在去年与大股东之一宝成加码投入中国通路经营,共投资新台币3亿元资金,与大陆家电龙头厂海尔合资在深圳成立「海尔信息科技」公司;精英首度与海尔合作,未来海尔信息科技将在大陆从事3C通路业务,精英将与大陆家电龙头海尔强化合作,共同争取大陆个人计算机政府标案市场。


精英前年开始购并动作不断,包括购并大同桌上型计算机组装部门,今年又购并NB厂的志合,精英朝EMS模式的动作愈趋明显,而精英主机板以OEM为主,主要替联想、同方、方正等厂代工,与大陆厂商关系密切。


 


 

白培霖:DRAM价格目前落底,6、7月将出现弹跳

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DISCLOSE  发表日期:2007-04-23


DRAM价格自第1季开始就跌跌不休,根据集邦科技20日最新报价,4月下旬DDR2512MB模块合约价已逼近20美元,制造商几乎无利可图,不过南科发言人副总白培霖表示,4月合约价下降幅度已趋缓,20美元以下应属市场谣言,南科的价格仍维持在20美元以上。


他指出,目前OEM厂库存量已降到过去正常水位1-2个月的1半或1/3,许多对价格较敏感的通路客户也都开始大量收货,


南科长约订单也大量增加,预期DRAM价格目前应已接近底部,56月就有机会落底反弹。


白培霖指出,今年3DRAM价格可以从悬崖上掉下来形容,单月ASP跌幅达29%4月合约价跌势已呈现趋缓,下旬虽持续走跌,不过幅度不大,预估整体4月相较3月跌幅约在6-10%


他表示,第1季主要受到OEM厂商降低库存水平,造成市场供过于求,价格大幅下挫,不过目前OEM厂商库存已降到往常正常水平的一半以下,同时在DRAM价格大幅修正后,OEM厂商将陆续开始为下半年旺季备料,因此预估45月价格就可望完成逐底,67月可望出现一波跳涨机会。


华亚科总经理高启全对DRAM价格趋势亦有相同看法。他指出,第2季以来DRAM价格持续下滑,不过目前的价位应该就是底部。他认为DRAM价格急跌过后,价格效果已经显现出来,就每台PC搭载DRAM容量而言,将会从去年底约800MB,到今年底到1.5GB左右。不过他也指出,由于今年DRAM市场整体供应量成长许多,虽然需求亦将成长,旦今年市况将不会比去年还好。


就南科而言,白培霖表示,诸多客户近期开始洽谈长约订单,目前长单看到6月,已占OEM正常订单的1/3量,且价格优于4月下旬合约价,对南科第2季营运算是保险,而南科本身库存也降到一周之内,56月若华亚科出货量未如预估值成长20%,南科届时就会有供给不足的缺口,在产能陆续吃紧下,在未来的价格谈判上也较不须担心。


针对整年DRAM市况,白培霖表示,第1季供过于求,第2季稍微抒解,至第3季将可达到供需平衡。至于目前仍令市场失望的Vista效应,白培霖认为,由于Vista中不少应用程序并非微软自己开发,所以Vista仍有一些程序兼容性的问题,


下半年后将开始看到较显著效应;此外,目前不少PCOEM厂商预计在第3季大量推出Vista计算机,DRAM搭载量达2GB,预期56月后2GB将成主流,有助进一步提升DRAM需求。

威盛:三星转投英特尔阵营,UMPC市场面临危境

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DISCLOSE   2007-04-23


英特尔今年重兵集结超级行动计算机(UMPC)处理器市场,十八日北京技术论坛(IDF)上,发表了二代超级行动装置平台,支持英特尔阵营的厂商家数也明显增加,除原采用威盛处理器的三星、大陆汉王,新一代产品改与英特尔开发外,本届北京IDF包括华硕、海尔也都展出搭载英特尔处理器平台的超级行动计算机。对于积极布局UMPC市场的威盛来说,后续的竞争压力正在升高当中。


威盛去年在超级行动装置市场先驰得点,不过,英特尔十八日也发表了全新超级行动计算机平台,估计将大幅提升英特尔在超级行动处理器市场的竞争力。


资深副总裁暨行动网络事业部总经理安南,十八日在北京技术论坛上,展示了英特尔第二代超级行动计算机平台McCaslin,包括英特尔自家九十奈米处理器StealeyICH7ULittle River南北桥芯片组,不但芯片面积较第一代平台大幅缩小,电池续航力更由第一代约二到三个小时,大幅提升至四到五个小时。三星则展出第二代超级行动计算机Q1 Ultra,改采英特尔超级行动装置平台外,原采用威盛C7平台的大陆汉王,此次展出的第二代超级行动计算机,也改采用英特尔的方案。


除了三星之前在CeBit现身的Q1 Ultra外,包括海尔、华旗、华硕等,在今年英特尔技术论坛上也展出了第二代超级行动计算机,可见英特尔的超级行动计算机阵营,目前正在快速扩大中,安南表示,今年夏天包括爱国者、富士通、宏达等所生产的UMPC将正式面世。


安南预期,英特尔的超级行动装置平台市占率将会持续上升,因此英特尔的超级行动平台,将有更完整的产品规画,包括2008年第二季将推出四五奈米Menlow平台,芯片组将会采用单芯片设计,2009年将会进一步把内存控制器及绘图片整合于处理器中,同时改用全新的芯片组,效能估计将较今年提升一倍,电池续航力提升至十二至二十四小时。

英特尔将半导体业务重点从PC领域向消费电子转移

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国际电子商情   2007年04月24   


英特尔日前披露了雄心勃勃的开发计划,该计划涉及多款处理器和相关技术,横越PC、计算机服务器和消费电子市场。


该公司在首次于北京举行的英特尔开发者论坛(IDF)上介绍了超过20种新产品、技术革新和提议。英特尔即将推出的处理器采用45纳米过程工艺,可以比过去的65纳米技术增加一倍晶体管密度,据称性能更高、功率更低,并且发热降低。


英特尔的竞争对手AMD也在向45纳米制造工艺转移,但是步伐比英特尔缓慢。AMD计划在下一代集成x86和图形处理器内核的处理器中使用新工艺,这款代码为Fusion的处理器预定于2009年推出。


英特尔计划2006年下半年开始付运首款45纳米服务器处理器,代码名为Penryn。并预计2008年开始生产Nehalem,将在单芯片上包含四颗处理器。目前英特尔虽然也推出了四核处理器,但实际上是由两颗双核处理器封装而成。


2008年英特尔公司的一个主要业务重点将是“系统级芯片(SoC)”产品,首款用于商用高性能计算机的产品代码名为Tolapai,据称比标准四芯设计减少45%占位,并且降低功耗达到20%。英特尔数字企业部高级副总裁兼总经理Patrick  GelsingerIDF发表主题演讲,宣称Tolapai具有更好的吞吐量性能和处理效率。


英特尔也计划将其SoC架构带入诸如数字机顶盒、TV和网络媒体播放器市场。英特尔首款针对消费电子市场的产品预定于2008年面市,将英特尔芯片架构混合音频视频处理、图形和其他功能。


消费电子市场向英特尔提供了更大的批量出货市场机会,手机、笔记本电脑、数字媒体播放器等都需要数字芯片提供支持。


In-Stat分析师Jim McGregor表示,2006年英特尔收入下降而AMD升高,促使英特尔返回到开发处理器的基本业务。“他们又重新将业务放在他们的核心处理器业务上,那是他们的架构和相关产品、制造以及研发重心。”


对于多媒体应用,该公司计划最近推出英特尔3系列芯片组,代码名为Bearlake,支持微软的DirectX 10平台,DirectX 10用在微软最新的Vista操作系统中。英特尔计划2007年末推出代码名为Salt CreekViiv多媒体技术,将用于英特尔3系列芯片组。


英特尔计划2007年稍晚推出一款新的面向游戏市场的双核处理器平台,基于Intel Core2 Extreme处理器平台,代码名为Skulltrail。该平台将具备先进的图形处理功能,两个插槽用于四核处理器和四个PCI express接口。


英特尔首席技术官Justin R. Rattner披露了该公司的长期目标,希望在2010年底之前将处理器功耗减少10倍。Ratter也表示,目标为单片处理器的速度可达2万亿次。20072月,英特尔研究人员表示他们已经开发出80颗内核的万亿次处理器,面积还不到指甲盖。


英特尔在中国举办IDF折射出在当地几十亿美元投资的影响,中国已经成为一个主要技术消费国。该公司最近宣布计划在中国投资25亿美元建造晶圆厂。

【结算】Spansion赤字增大 微细化进程加速

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技术在线  DATE 2007/04/23 


闪存专业厂商美国Spansion公布了07年第1季度(13月)结算。销售额比去年同期增加12%,达6亿2780万美元,但营业亏损接近去年同期2倍,达7040万美元,所以赤字增大。毛利率同比减少近2成,但研究开发费用则增加2成以上。


闪存价格方面,由于竞争加剧,下滑幅度超过了通常的季节倾向和Spansion的预测。因此,按比特换算的供货量方面,虽然高于上季度,但销售额约减少了6000万美元。


针对价格下降,Spansion准备降低每比特原价,以提高收益。第1季度,针对主要顾客,扩大了每单元存储2比特数据的“MirrorBit”技术90nm产品的销量。第2季度,计划将该90nm工艺MirrorBit产品销售比例由第1季度的12%提高至25%。


另外,还将比最初计划提前半年开始在支持300mm晶圆的生产线上量产65nm工艺产品。预计07年下半年之后,将对利润做出贡献。此外,预定08年中期开始利用“SP1”量产的45nm产品方面,已经在支持300mm晶圆的开发基地“Submicron Development Center”进行了试产。


2季度业绩预测方面,该公司表示,在价格竞争激烈的情况下,无法给出具体数字;平均销售单价方面,“根据通常的季节倾向,应该不会出现第1季度那样的下滑”;按比特换算的闪存供货量方面,“在将90nm工艺MirrorBit产品产量扩大到2倍的前提下,预计(供货量)将增加”。

IBM介绍双精度浮点运算能力增至4倍的新型“Cell”

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技术在线   DATE 2007/04/24  


美国IBM419于横滨举行的“COOL Chips X”上发表了主题演讲,介绍了双精度浮点运算能力更强的“Cell Broadband Engine”改进版“Enhanced Broadband Engine”。


IBM此前宣布,将在2008年于美国洛斯阿拉莫斯国家实验室(Los Alamos National Laboratory)开始运用的超级计算机“Roadrunner”上配置Cell,来进行科学计算(参阅本站报道)。不过,从现有的Cell来看,虽然单精度运算处理高,但在广泛应用于科学计算的双精度运算方面,处理性能却较低,业界人士指出“也许很难将Cell直接应用于科学计算”。

此次的Enhanced Broadband Engine将双精度运算的执行周期从13周期缩短到了9周期,此外还进行了在1次管线处中同时执行2个指令的扩展。另外,为了能够处理大量数据,将主存容量从原来的2GB增加到了16GBIBM表示,通过上述改进,便可将双精度处理性能从原来的25.6GFLOPS提高到约为其4倍的102GFLOPS。不过,在会场上也有人指出,由于并未提高内存的数据传输速度(DDR2),因此只提高处理性能而数据传递却跟不上不上的话,在实际应用中就无望提高。

 

仁宝1Q税后年成长18% NB毛利率止跌反弹 Q出货创历史次高达489万台 陈瑞聪:今年2,000万台目标一定达阵!

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DigiTimes     黄宝仪/台北 2007/04/24


台湾笔记型计算机(NB)代工二哥仁宝于23日公布2007年第1季获利,自结单季税后达新台币26.01亿元,优于2006年第4季的22.01亿元,年增率亦达18%,每股税后(EPS)则为0.69元,表现相当亮眼,总经理陈瑞聪亦乐观表示,在桌上型计


算机(DT)取代效应持续及微软(Microsoft)Vista操作系统加持下,全年出货量与业绩将持续成长。


仁宝于法说会中公布第1季财报,单季营收达969.8亿元,较2006年第4季新高纪录仅下滑6%,年增率则高达63%,毛利率


亦因支出控管得宜、经济规模持续扩大而出现止跌反弹的现象,达4.8%水平,虽较2006年同期5.1%下滑,却较上季4.7%升。仁宝单季营业利益为33.07亿元,较上季30.65亿元成长8%,年增率高达63%,创下2003年第4季以来新高纪录,但


业外仍提列1.75亿元的亏损,整体税前为31.32亿元,较上季成长1%,较2006年同期成长23%,税后为26.01亿元,EPS则为0.69元。


仁宝第1NB出货量达489万台,创下单季次高纪录,陈瑞聪指出,第2季仍可再成长4~5%,达到逾510万台的水平,上半年总出货量即可超过1,000万台,与过去第2季传统淡季、出货量通常较前1季衰退的状况略有不同,主要是受惠于新操作系统Vista带动换机朝及NB持续取代DT,让整体NB市场规模扩大至9,450万台。另一方面,仁宝主要客户订单都持续成长,带动仁宝出货市占率提升,陈瑞聪有信心,仁宝20072,000万台的出货目标一定可达成,甚至可进一步超过,而年增率至少有38%的水平,优于市调机构IDC预估全球NB市场24%的年成长率。


展望第3季,陈瑞聪认为,整机与空机出货比重可能因旺季略微调整,毛利率可能微幅下滑,但全年应可维持一定的稳定度,主因为仁宝营业支出控制得宜,加上公司经济规模扩张,生产效率持续提升,因此毛利率不会出现太大的波动。


另外备受投资人关注的业外损益部分,陈瑞聪表示,威宝2007年的亏损将可缩减,统宝则因面板需求上扬、价格回升,


上半年亏损就可缩小,预计第4季单季将能转亏为盈。陈瑞聪指出,大尺寸面板已出现供货吃紧的状况,小面板价格亦开始上涨,至第3季整体面板需求将上扬,让统宝第4季有机会由亏转盈;统宝3月出货约逾1,100万片,4月可达1,200万片,全年将超过1.7亿片。


在非NB产品线的部分,仁宝在购并智易后,网通产品比重将持续增加,消费性与多媒体应用产品如超迷你行动计算机(UMPC)将在第3季到第4季提高出货量,但贡献整体营收比例仍低,车用电子则会在下半年开始小量出货,效益逐渐显现,液晶电视出货量也会在第3季会出现明显的成长,希望非NB产品线在2008年贡献总营收比重能达到3~5%

模块厂首季走调 创见独红

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中国时报 2007.04.24  彭暄贻 台北报导    


继模块厂威刚(3260)受制DRAM报价重挫,首季毛利率创新低,主攻OEM的商丞(8277)也因DRAM报价大跌、存货损失影响,首季亏损五千零五十四万元,每股亏损○.八六,使其它小型模块厂商营运是否亏损颇受关注,整体模块厂首季获利,恐仅创见(2451)逆势攀扬,表现一枝独秀。


商丞DRAM模块比重约六○%,大部分为DDR2,绘图用内存比重约三○%,FLASH仅三%。商丞表示,由于绘图用内存无存货的问题,所以表现持平,主要造成亏损的原因仍是DRAM在首季的跌幅达六○%,商丞主要为自己购料为客户作OEM业务,购料主要以合约市场为主。


商丞主要是以为NB大厂作OEM的业务为主,目前OEM业务达七○%,且其中做NBOEM也占其中的七、八成,在DRAM颗粒的料源部分是自行购料,配合下游客户对颗粒质量的要求,主要是从韩、日系DRAM大厂叫货,包括SamsungHynix以及Elpida都是主要的上游供货商。商丞目前共有四条生产线,存货水位仍在合理的四至六周区间,由于首季DRAM跌幅己大,下探空间有限,库存跌价风险或可支撑。