Archive - 四月 2, 2007

工商时报 2007.04.02 彭暄贻/台北报导　

美林最新研究报告指出，近来NAND型闪存（Flash）现货价格的劲扬现象主要是拜OEM厂商建立库存、投机性买盘之赐；不过，南韩厂商（三星电子、Hynix）开始降低供应量，改善价格趋势，有利于第二季FLASH行情持续走坚。美林认为，三星电子、Hynix目前的合约价格（约占总销售额八○％）仍维持在五美元至六美元，但预期到四月合约价即可望调高至少五％至一○％。

由于目前DRAM利润仍高于NAND Flash，预期南韩厂商应不会再度将产能转回NAND Flash，美林对NAND Flash市况持正面态度。影响所及，模块厂创见、威刚及劲永均可望因FLASH市况增温，营运延续成长。

模块厂表示，目前Flash需求旺盛，在NANDFlash价格比预期提早反弹，加上四月底之际，DRAM价格也可望回升前提下，乐观看待第二季应会有淡季不淡的效应。

劲永目前DRAM、FLASH比重约三五％、六五％；伴随大陆FLASH内建手机的需求明显，今年手机FLASH业绩大陆市场贡献从三○％进一步提升四○％。

创见三月在接单畅旺，产能满载下，出货量将首度达五百万片；法人推估，创见年度营收成长约五○％，毛利率约一一％，EPS一○．五元。

DigiTime  2007/04/02  记者宋丁仪／台北

台湾经济研究院发布全球晶圆代工市场研究报告，报告中指出，台积电（2330）、联电（2303）2006年仍分别以市占率50%、19%，稳居全球最大的晶圆代工产能供应业者，不过两者合计市占率却有下降现象，显示其它晶圆代工厂正逐渐分食此市场。不过，外资美商高盛则对台积电未来持续扩张其业务深具信心，高盛认为，台积电2007年也机会接获超微（AMD）合并ATI之后推出的CPU/GPU整合芯片订单。

台湾经济研究院分析，2006年全球晶圆代工业以营收规模计算，仍以台积电、联电分居第一及第二名，市占率各达50%、19%，台湾仍稳居全球最大的晶圆代工产能供应地。但报告指出，晶圆代工2大龙头厂商合计市占率已由2003年的76%，下滑至2006年的69%，显示近年来大陆晶圆代工势力崛起，确实分食市场占有率。

研究中还显示，2006年新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）因接获超微及Xbox 360等90奈米制程订单，以及为德仪（TI）代工高阶芯片、12寸厂正式进入量产、与 IBM、英飞凌（Infineon）、三星电子（ Samsung Electronics）的策略联盟效益逐步反应等因素，而挤下中芯国际再度重回第三名，而使其2006年营收年增率高达38.7%，甚至市占率由2005年的6.9%攀升至8%。

此外，2006年遭到特许超越而落居第四的中芯，主要是因北京12寸厂量产DRAM价格低于特许所掌握的核心逻辑芯片订单，故其营收成长幅度为 23.8%，低于特许的38.7%水平。 而2006年大陆晶圆厂有华虹NEC、和舰等，加上中芯合计市场占有率共达11%。

台湾经济研究院认为，全球前4大晶圆代工业者市占率已达 84%，显示整体晶圆代工市场集中度仍高，是否跨入12寸厂也成为一线与二线晶圆代工厂的分水岭。

尽管晶圆代工前2强市占率将受到挑战，不过外资对于龙头台积电的信心不减，高盛便指出，台积电将有能力和足够的技术在2007年底前逐步拿下国际市场上 CPU/GPC整合芯片订单，未来市场上对整合芯片的需求强劲，而台积电在奈米技术上拥有的卓越技术，将是这场芯片整合大战中的最大赢家，台积电并有机会在2007年底取得超微整合芯片订单。

DigiTimes   2007/04/02  记者吴宗翰／台北

3月30日DRAM现货价出现难得一见的「飙涨」状态，原厂DRAM颗粒约有8％左右的涨幅，至于有效测试颗粒（eTT）的售价则上涨约2％，而DRAM厂商认为，DRAM原厂DRAM颗粒与eTT颗粒同步走扬，是DRAM价格正式落底的征兆，但仍有部分DRAM业内人士认为，第二季一向为信息业之淡季，价格是否能够有效止跌回稳，有待进一步观察。

DRAM现货市场30日出现久久未见的飙涨，更特别的是，近期DRAM颗粒涨幅仅限于eTT部分，但30日却进一步扩大到原厂DRAM颗粒，且原厂DRAM颗粒涨幅还远远超过eTT颗粒，而依照过去的DRAM交易经验来看，只要是原厂DRAM颗粒与eTT颗粒价格同步走高，代表后势可期。

据了解，上周DRAM颗粒之所以出现较大幅度的涨幅，最主要的原因来自于香港地区即将进入长假，因此厂商希望先行补充DRAM货源，以备不时之需，也正因为如此，30日才会出现DRAM售价上涨状态，而原厂DRAM颗粒会出现较为明显的涨势，最主要原因还是在于补涨效应。

再者，目前虽已进入季底作帐阶段，不过也因为DRAM原厂到了月底几乎已将手上的DRAM库存出清完毕，因此不需降价求售，再加上DRAM现货市场需求突如其来且相当强劲，才会造成价格大幅上涨。

DRAM业内人士表示，虽说30日价格走势相当不错，不过是否代表未来DRAM价格已确定触底反弹，仍待进一步观察，原因在于第二季是信息产业的淡季，因此DRAM售价要好到那里，相对有限。

不过可以确定的是由于DRAM厂旗下8寸厂无法增加投产标准型DRAM的产能，12寸厂则投入NAND型快闪存储器（Flash）产品生产，因此不太可能出现过多供给，所以要看到DRAM售价如第一季般崩盘机会有限。

技术在线  2007/04/02  

    台湾积体电路（TSMC，台积电）将开始提供55nm工艺技术。该技术支持通用版（GP）和民用版（GC）2种逻辑LSI平台。前者将于今年第1季度内开始生产，后者将于年内开始生产。

　　台积电已与多家主要客户及IP供应商签订了55nm工艺技术相关合同。与此同时，该公司还将于今年5月开始提供使用该工艺的试制服务“CyberShuttle”。基于该工艺的LSI，其工作速度与65nm工艺相同，耗电可降低10～20％。

2300科技网  2007/4/2

反应上游货源不足　NAND Flash合约价往上调整

根据DRAMeXchange上周所公布的NAND Flash最新合约价信息，MLC 4Gb、8Gb、16Gb、32Gb四种容量的合约价格都往上调整，调涨幅度在4至7%之间。而SLC部分，多数容量的价格均维持不变。这次合约价格的调整是继三月上旬之后，今年第二次的价格调涨。根据DRAMeXchange观察，这次合约价往上调整主要是反应预期NAND Flash市场四月上游供应量的不足。

TRI观点：

一、2007年NAND Flash 12吋产能实际增加幅度并不大

NAND Flash产业历经2006年ASP大幅滑落65%后，各大厂商可谓受伤惨重，毛利率也顺应下滑了10~20%，在大趋势仍是供过于求的环境下，各大厂皆对自己的策略做了些许的调整，如韩国厂商都不约而同的将NAND Flash产能部份转回生产毛利率较高的DRAM，其中Samsung原本预期在2007年第三季量产的产能将顺延一季的可能性大增，而Hynix则是将12吋产能往80nm以下的DRAM制程布局发展；另外，Toshiba新的12吋厂 (Fab 4)则是延至2007年第四季建厂完毕后，才会在2008年第二季后实质量产，如此一来，2007年各家厂商市占率除IM Flash之外并无大变化。

二、NAND Flash供需：不若以往大幅供过于求，OEM代工厂地位将动摇；2007年第一季ASP QoQ落底，第二季仅处于小幅供过于求总结以上，2007年的供需由于供给端2007年产能成长率较以往小及产能转回DRAM产业的前提下，使得sufficiency (supply-to-demand)所呈现出来的供过于求幅度较2006年小仅为2.3%，而Vista效应及小型记忆卡需求容量的扩大除了影响2007年下半年之外，亦会延续到2008年使得NAND Flash容量大幅扩增，预期ASP的降幅将不若以往每年有50~70%，供需渐趋平衡的产业环境下，以往处于卖方市场的下游OEM厂商将开始面临到需和上游策略联盟或改变存货策略等以顺应市场行场的变化。

而2007年每季的供需变化，除了和以往一样受到第一季淡季影响使得ASP急速滑落30%之外，第二季的sufficiency仅为1.8，并不会像2006年第二季仍为大幅度供过于求的7.2，主要是由于供货商12吋产能开出幅度不若预期再加上2006年第四季至2007年第一季韩国厂商将NAND Flash产能转移回毛利率较高的DRAM产业，此影响预期将持续至2007年下半年，综观全年ASP QoQ下滑幅度最大应已落在第一季。

三、在NAND Flash产业链中，台厂火力集中在中游部份（模块厂、记忆卡控制IC厂商及小型记忆卡封装）

记忆卡市场主流由2006年中以前的mini SD卡走入micro SD卡，由于micro SD卡的体积较小且薄，使其封装技术需采用封装厂COB制程而非以往的SMT；在2006年时，由于规格转换过于快速，一者出乎厂商意料，再者厂商来不及因应布建产能，使得全年记忆卡封装产能产生了供不应求局面，2006年下半产能陆续开出时，台厂除最早进入的硅品、华泰之外，新加入了力成、胜开、典范、群联转投资的群丰，以及京元电、威刚、联电投资公司合资的坤远等等；而2007年初的新加入者菱生原以模拟IC封装为主，另一家华东原已有Flash封测技术，已通过一家客户认证，此两家都宣称将大幅扩展产能。

2006年小型记忆卡封装产能供不应求在供给端的主因为滚轮式封装易出现产品粗边，雷射式封装则因高温易损伤芯片，再加上微小型记忆卡封装良率要求为高标之98.5%以上，使得厂商不敢大幅扩充产能；虽然新式流刀机封装良率较传统佳，不过因其尚非标准设备，厂商仍没打算大幅扩充能。在代工价格稳定的大环境下，2006年下半年封装一颗micro SD卡价格为0.9~1.0美元（产品良率在98.5%以上），使得良率高的厂商毛利率能有30%~35%的水平，不过毛利率需视各厂商产品良率为主。

国际电子事情  2007年04月02日 

尽管人们担心全球内存市场的走向，但三星半导体部门的高管预测，闪存市场将在未来数月内复苏，而整个内存市场将在今年稍晚的时候企稳。

三星半导体部门的总裁Hwang Chang-Gyu在一个论坛会议上表示：“全球闪存市场将在未来一个季度内走稳，尽管目前DRAM市场可能仍然不稳定。”

“显然，下半年闪存市场形势会大有好转，从而弥补上半年的疲弱走势。”Hwang表示。“总体来看，闪存价格似乎呈上升趋势。”

作为证明，他提到了用于MP3播放器、游戏机和其它数字消费产品的闪存订单。预计这些订单将集中在今年下半年。Hwang补充说，消费应用的内存需求正在从1GB向2GB转变。

他还断言，Windows Vista操作系统“仍然不成熟，暂时不会得到普遍采用”，但最终将刺激内存消费。

内存市场分析师认为，价格压力仍然是内存市场复苏的主要障碍。三星是全球最大的内存芯片生产商。

Hwang估计，用于移动产品和消费产品的内存芯片需求增长，将推动内存市场在未来几年内平均年增7-9%。他说：“移动和数字消费产品市场的规模，目前估计是PC市场的10倍。”

三星预测其移动内存销售额2007年将达到43亿美元，比去年增长18%。去年销售额比2005年增长38%。

三星的整个半导体部门2006年实现销售额203亿美元，比2005年上升4%。

苹果日报  2007-04-02  萧文康╱台北报导

由于DRAM（动态随机存取内存）3月合约价及现货价双双滑落，最低已来到3美元以下，台内DRAM厂3月营收虽普遍仍较2月微幅成长，但与元月营收相较，则回档约1~2成，其中，华邦电（2344）受到市况不佳的影响较大，法人预估华邦电营收将较上月衰退5~8%左右。

力晶3月营收95亿

DRAM价格自今年初以来约跌掉5成，包括外资、DRAM厂本身及市调公司大致上预估DRAM价格可能要到第2季底才会回温，第3季起开始反弹回升。集邦科技（DRAMeXchange）表示：「3~4月无论是桌上型计算机或是笔记型计算机出货量，并未因Vista而出现大量换机潮，DRAM合约市场需求依旧疲弱，需求仍要等到5月以后随PC出货旺季来到才会有较明显的回升。」

因2月工作天数较少，加上DRAM跌价幅度加剧，法人指出，DRAM厂2月营收普遍较元月大幅滑落，3月工作天数回复到正常，因此表现将比2月微幅成长，不过，4月仍是淡季，约与3月表现持平或小幅滑落。

在主要DRAM厂中，法人认为华邦电受到冲击较大，3月营收约较元月下滑21%，也将比2月再下滑5~8%左右，毛利率跌到30%水平，同时在DRAM价格尚无回稳走势及没有新产能开出之下，华邦电4月营收有可能持续下滑。

另外，第1季有新产能开出的力晶（5346）、南科（2408）及华亚科（3474），3月虽同样受到DRAM跌价之苦，但表现仍较2月为佳，其中，力晶3座12吋产能已达13万片，并切入70奈米世代生产，在毛利率提升之下，法人预估力晶3月营收约可达95亿元水平，首季每股纯益（EPS）达1.1元。

南科首季EPS 0.41元

此外，法人预期南科3月出货将持续成长，月营收回升到58亿元以上，单季营收达180亿元左右，EPS约0.41元；华亚科3月营收约40~45亿元，单季营收129亿元，EPS则居DRAM厂之冠，达1.3~1.56元。

至于茂德（5387）1、2月的平均毛利率约40%以上，3月下滑后法人预估首季平均毛利率约在30%，单季营收175亿元，EPS约0.7元。

工商时报 2007.04.02　涂志豪/台北报导

受惠于微软Vista操作系统销售畅旺，英特尔、超微又将在四月大幅调降CPU售价逾二成，绘图芯片双雄NVIDIA及AMD-ATI为了抢搭顺风车，近期已扩大对晶圆双雄下单，第二季投片量将较首季增加一倍以上。外资分析师推估，若加上德仪、高通等IDM厂的网通芯片委外订单，台积电及联电第二季营收应可较首季成长一五％。

Vista今年一月底上市时，并没有立即引爆计算机换机及升级潮，因此NVIDIA及AMD-ATI下单十分保守，导致台积电、联电首季营收及获利持续下滑。随着Vista销售逐步加温，配合英特尔、超微将于四月大幅调降CPU价格二至四成，Vista换机升级潮需求已然浮现。

为抢搭商机，NVIDIA及AMD-ATI三月中旬后，已扩大对晶圆双雄释单，且除了支持Vista新芯片外，旧款芯片下单量也回复正常水平。

以NVIDIA为例，近期放量下单的芯片，包括了旧款采用联电九○奈米制程的G72，以及采用台积电六五奈米制程的G72升级版本G78等，至于NVIDIA新款主打中低阶市场的绘图芯片G84及G86，因预计第二季下旬就要大量铺货，近期也扩大对台积电八○奈米制程下单。

至于AMD-ATI方面，原本预计在德国汉诺威计算机展（CeBIT）中推出的高阶新款芯片R600，已延后至四月中旬才上市，近期虽传出制程转换不顺问题，不过已在台积电十二吋厂中以八○奈米量产投片。

AMD-ATI的新款芯片推出虽延后，但为维持市占，旧款中低阶芯片如RV516、RS535等，亦在近期提高对联电的八○奈米制程下单，连支持超微平台的新款芯片组RS690，也大量采用联电的八○奈米制程。

绘图芯片双雄的下单明显扩量，台积电及联电的十二吋厂产能利用率已明显拉高，由于第一季基期较低，配合第二季后，包括德仪、飞思卡尔、恩智浦等IDM厂提高委外代工订单，及高通、博通、迈威尔等网通芯片扩量，外资推估台积电及联电第二季营收将可望较第一季成长一五％。

工商时报 2007.04.02彭暄贻/台北报导

美林证券最新研究报告指出，虽然DRAM价格仍因南韩厂商（三星电子、Hynix）将产能转至DRAM而持续下滑，惟预期价格可望在第二季下旬出现支撑。

调查显示，第二线DRAM厂商的现金成本约在二．五美元至三美元左右，预估近期内DRAM现货价格可望在二．五美元左右见到底部。美林认为，OEM厂会在二、三美元左右开始建立库存，新款PC机种所需的1-2GB DRAM更是下半年的采购重点。

投信法人指出，虽然南亚科三月位出货量持续较二月增加一○％以上水平，惟DRAM产品售价跌幅也约一○％，使得南亚科三月营收以持平表现的机会居多，约五十五亿元上下。

DRAM市场在产品价格大跌后，已开始刺激市场需求逐步回温，预期四月产品价格可望顺利落底。

另外，华邦电三月份毛利率仍有三○％水平，内部预期四月DRAM价格仍有一五％跌幅，所幸，消费逻辑第二季接单进度不错，计算机逻辑也受惠于新客户的加入，支撑营运表现。

华邦电第二季计算机逻辑IC NB/IO的部分主要客户除广达(2382)外，第二季将再加两家新客户；去年华邦电在此部分的市占率为一五％，今年期望市占率达二○％。

华邦电今年资本支出约八十三亿元，主要用途在于12吋厂以及90奈米转80奈米所需。华邦电12吋厂90奈米制程比重已达六○％，80奈米现在正试产，内部预期四、五月份良率拉到六○％以上，第二季底正式量产投片。

工商时报 2007.04.02　涂志豪

NVIDIA及AMD-ATI扩大绘图芯片下单，加上手机、网络通讯、消费性等芯片订单回流，许多外资分析师已陆续上调晶圆代工厂第二季营收及获利。但是问起晶圆代工厂对景气看法，业者反应却没有太兴奋，因为经过了这几年的库存问题，上游客户今年下单谨慎且多以急单处理，因为客户知道，晶圆代工市场产能没有全满，只要有量，随时都可找到想要的产能。

近期个人计算机、手机及网通、消费性电子等三Ｃ领域订单都见到回流迹象，但只有后段封测厂敢大声说出景气真的回来了，上游晶圆代工业者至今说法都还有点保守，表示这些订单都是急单，景气只能说是已经触底反弹，但反弹力道还要再观察。

晶圆代工业者看法之所以保守，原因就出在上游客户已抓住了代工厂的弱点。过去晶圆代工产能不足，为了抢下足够产能，只好在下单时多加个五％或一○％，因此一旦景气反转，库存过剩问题就如地雷般连环爆。不过○三年以后，每次半导体景气达到高峰，除了台积电的产能利用率冲上满载外，其它业者利用率大概只达八五％左右，所以现在找产能并不难。再者，上游客户为了降低库存风险，要等到看到了需求才会下单，但若需求减弱，也会毫不手软的抽单。因此，这回NVIDIA及AMD-ATI的订单大幅回笼，看在晶圆代工厂眼中，以急单来形容的确最为贴切，当然也因此无法太乐观看待市场景气变化。

至于后段封测厂情况则完全不同，因为自封测市场技术世代在○二年出现大断层后，一线厂及二线厂的差距及市场已有明显不同，由于中高阶订单现在只由日月光、硅品等四家一线大厂分食，在业者有调控产能的共识下，产能不足时可是只能坐在家中干瞪眼。也难怪现在上游扩大下单，封测厂打包票说景气强劲反转向上，但晶圆代工业者还是只能谨慎乐观看待。

创见、威刚、劲永Q2淡季不淡

工商时报 2007.04.02彭暄贻/台北报导

美林最新研究报告指出，近来NAND型闪存（Flash）现货价格的劲扬现象主要是拜OEM厂商建立库存、投机性买盘之赐；不过，南韩厂商（三星电子、Hynix）开始降低供应量，改善价格趋势，有利于第二季FLASH行情持续走坚。美林认为，三星电子、Hynix目前的合约价格（约占总销售额八○％）仍维持在五美元至六美元，但预期到四月合约价即可望调高至少五％至一○％。

由于目前DRAM利润仍高于NAND Flash，预期南韩厂商应不会再度将产能转回NAND Flash，美林对NAND Flash市况持正面态度。影响所及，模块厂创见、威刚及劲永均可望因FLASH市况增温，营运延续成长。

模块厂表示，目前Flash需求旺盛，在NANDFlash价格比预期提早反弹，加上四月底之际，DRAM价格也可望回升前提下，乐观看待第二季应会有淡季不淡的效应。

劲永目前DRAM、FLASH比重约三五％、六五％；伴随大陆FLASH内建手机的需求明显，今年手机FLASH业绩大陆市场贡献从三○％进一步提升四○％。

创见三月在接单畅旺，产能满载下，出货量将首度达五百万片；法人推估，创见年度营收成长约五○％，毛利率约一一％，EPS一○．五元。