Archive - 四月 18, 2007

Micron:iPhone手机难以振奋NAND市场 下半年获利才可望复苏

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巨亨网  2007/04/18  编译赵健君/综合外电


美国内存制造商Micron Technology Inc.(MU-US) 全球营销副总Michael Sadler在接受媒体专访时表示,虽然近几周部份内存产品价格冲高,但公司获利预期要到下半年才会复苏。


 3 月以来,用于iPod和数字相机等装置的NAND闪存 (flash)芯片的价格持续走高,主要原因是许多制造商将NAND产能挪用于生产DRAM。此举造成NAND供给减少,而另一方面偏低的价格也引来消费者的买气。


不过,Micron副总Sadler认为,艰困的市场环境可能持续下去,包括Micron在内的芯片制造商还未脱困。


Sadler说:「在目前价位,我们没有多少利润。环境很艰困。要到第 3季,当季节性需求攀升时,NAND市场才有转机。」


Micron 4月初公布年度第 2季财报,净损5200万美元或每股 7美分,去年同期获利1.93亿美元。NAND DRAM价格重挫,是转盈为亏的主因。


Sadler不愿意预测Micron年度第 3季是否持续亏损,但他说:「我们预期DRAM价格会大幅下跌,景气要到下半年才会复苏。」


他透露,虽然仍在与PC制造商协商 4月下旬的DRAM 合约价,但他预期价格将会下跌,而NAND则与 4月上旬持平。


根据DRAMeXchange数据,目前产业主流的 512MB DDR2芯片在 4月上旬的合约价重挫 17%2.50美元, 3 月下旬为3.00美元。而 4月初的8GB NAND flash均价则较 3月底的6.83美元上涨 15%7.82美元。


内存芯片有 80%是透过 1个月两次的厂商议价销售,其余则透过现货市场卖出。


Apple Inc. (AAPL-US)将在第 2季底发表新款手机 iPhone,但Sadler悲观地表示,这仍不足以提振NAND市场。「第 2季没有什么刺激需求的动力。」


不过,Sadler对产业环境也非全面看坏。


他说:「价格虽然不是非常有吸引力,但我们已看到客户的买气回流,宛如今年23月的景况。有许多客户有意以定价来下单预购,这是令人鼓舞的讯号。」


Sadler强调,Micron并无将DRAM产能挪给NAND的计划,因为即使价格重挫后,DRAM芯片的毛利仍高于NAND


他表示,Micron目前的DRAM库存约 3-4周用量, NAND库存则不足一周用量。

DRAM模块:下跌空间有限 建议买进威刚

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经济日报 2007-04-18  永丰投顾


Flash 价格触底,DRAM 下跌空间有限,维持威刚买进建议


3 DDR2 512Mb 颗粒现货、合约均价为3.4 美元、3.6 美元,分别较2 月下滑24%、29%,但Flash 止跌反弹,以主流8Gb MLC 颗粒而言,现货、合约均价为6.5 美元、5.7 美元,分别较2 月上涨30%、6.1%。模块厂为降低先前高价库存,于季底作帐前配合Flash 价格反弹顺势抛货,因此3 月营收皆较2 月大幅成长。4 月因有清明假期使工作天数下滑,营收预估将较 3 月下滑一成。


◎威刚(32603 月营收52 亿(+53MoM+100YoY),单季营收123 亿(+53QoQ+68YoY),1Q 自结毛利率2.85%,低于研究处预估5%,主要原因为3 DRAM 价格大跌影响获利表现,NAND Flash 季底积极出货仍难以弥补之前损失,单季税前净利1.8 亿(-28QoQ),税后EPS 以目前股本150 亿计算为1.24 元。3 月除工作天数较2 月回升,Flash 价格反弹亦带动出货,Flash 占营收比重由2 月之32%顺势拉高至38%。4 月威刚现增、CB 10亿申报生效并进入缄默期,然研究处预期因3 月出货量增加幅度优于预期,4 月营收将下滑5%~10%,2Q 营收148 亿(+20QoQ),税后EPS2.07 元。


◎创见(24513 月营收43.7 亿(+85MoM+166YoY),单季营收96 亿(+16.5QoQ+114YoY),研究处预估1Q 毛利率10.5%,税后EPS2.3 元。3 月创见出货量达600 万组以上,较2 400 万组大幅成长,量增价涨影响,3 月营收大幅跳升。4 月因工作天数下滑,营收预估较4 月下滑一成左右,2Q 营收预估120 亿(+25YoY),税后EPS2.4 元。


◎研究处认为Flash 价格已于3 月止跌反弹,DRAM 价格亦可望于5 月触底,现为DRAM 族群布局良机。投资建议上维持威刚买进建议,但由于1Q 毛利率低于先前预期,下修全年税后EPS 11.2 元,目标价亦调整至145 元;创见因股价已先行反应公司投资价值,目前投资建议为观望。

瑞晶盖厂 进度超水平

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经济日报  2007.04.18  记者何易霖/台北报导


力晶与尔必达合资的瑞晶电子第一座12吋厂,提前安装设备,两家DRAM厂年底合计产能将跃居全球第一。图为尔必达社长坂本幸雄手持12吋晶圆。


瑞晶主管昨(17)日透露,力晶(5346)与尔必达(Elpida)合资兴建的瑞晶电子首部机台进驻,比原先规划的时程要快一个月左右。瑞晶并规划,8月将进行二厂动土,全力扩产,合计尔必达与力晶产能,年底将成为全球DRAM内存龙头厂。


瑞晶原规划,今年5月起进驻机台,准备量产,但实际进程领先预期。瑞晶主管透露,瑞晶已完成首部机台架设,预计第三季即可以70奈米制程技术正式量产,目前建厂进度一切正常,年底达到第一阶段月产能3万片的目标应该不是问题。


尔必达估算,力晶目前月产能约11万片,年底前可达13万片,瑞晶年底前也有3万片的产出,统计尔必达、力晶、瑞晶年底月产能可达25万片,全球市占率超过三成,成为全球最大DRAM厂。


随着瑞晶迈入量产的最后准备阶段,力晶昨天也召开董事会针对瑞晶收购让与案进行讨论,并决议订510为收购让与基准日。力晶将以百分之百持有的子公司收购母公司财产方式,将原力晶12C厂房及其设备让与瑞晶,并由瑞晶发行新股给力晶作为收购对价。


力晶指出,瑞晶以发行新股给力晶作为收购对价的方式,可有效控制瑞晶股本,并提高净值以因应新厂设立初期可能发生试营运亏损,力晶决定将瑞晶新股订价为每股16元。


力晶估算,与瑞晶的资产价值暂定79.71亿元,以每股16元换算,力晶可换得498,235张瑞晶股权,由于12C厂房及其设备仍在陆续建置与引进中,如果而导致收购让与基准日的实际让与资产价值增加时,力晶将依实际让与资产价值,调整所换取瑞晶股份。


瑞晶主管说,力晶完成资产转让后,瑞晶的主体性将更加确立,瑞晶初期资本额订在400亿元,今年资本支出约在600700亿元,全数用来作为第一阶段月产能6万片的机台购置资金需求;此外,瑞晶二厂也正积极规划兴建当中,最快今年8月动土。


据了解,瑞晶今年资金需求主要以银行联贷为主,公司内部正积极规划瑞晶在台挂牌上市,最快明年下半年提出申请,最晚2009年挂牌上市。

南科茂德力晶 抢钱大作战

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经济日报  2007.04.18  记者林巧雁/台北报导


 DRAM厂商第二季启动筹资潮,为新建12吋晶圆厂,南科等三家DRAM厂合计拟向银行联贷逾新台币千亿元。


三大DRAM厂南亚科、茂德与力晶第二季开始启动筹资大作战,为新建12吋晶圆厂,三家DRAM厂拟在联贷市场筹资金额合计逾新台币千亿元,若再加上中龙钢铁与台湾固网联贷,第二季台湾联贷市场筹资金额预估将达新台币2,000亿元。


南亚科为桃园12吋晶圆厂募资,9日已发行新台币110亿元的7年期公司债,并拟向银行申贷5年期、新台币280亿元的联贷。银行主管表示,发行公司债多为固定利率,南亚科因为属于台塑集团,背景雄厚,透过联贷筹资可向银行团「讨价还价」,争取更弹性的计息方式。


茂德同时也为其位于台中第四座12吋晶圆厂筹资,拟向银行办理5年期、新台币400亿元的联贷。茂德去年11月才向银行贷借款200亿元。


力晶则因与日本内存大厂尔必达合资建造12吋晶圆厂,去年就已传出筹资需求,今年准备向银行联贷新台币500亿元,未来很可能会分成美元与新台币两种借款。


联贷主管说,南亚科为目前三家DRAM厂中条件最佳者,因此贷款成本可望最低。银行业者今年对面板筹资水位几乎到位,不过对DRAM产业仍有空间,今年的利率也与去年接近,没有太大的下调空间。


DRAM产业急着抢钱,筹划数月之久的中龙钢铁570亿元、10年期联贷案已请银行团报价,预定5月可决定主办银行团。目前有两大银行团抢标,一组由国泰世华银、兆丰银与台北富邦银所组成,另一则为台银、彰银、一银、台新银、台企银与合库。


另一百亿元筹资大王则为电信业,预估台湾大哥大并购台湾固网将准备向银行联贷新台币235亿元,联贷主办行为中信银与台北富邦银。台湾大与子公司台信国际电信公司原本分别持有台湾固网9.87%0.08%的股权,现公开收购台湾固网41%以上股权,未来目标为收购所有台湾固网股份,预计收购台固百分百股权总计成本约新台币480亿元。


目前联贷的设计为并构完成后,由台湾大担任保证人,台信借款165亿元、一年期的过渡融资,另台湾固网再借款新台币70亿元。


 

Renesas发表配备两颗CPU的微控制器

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2300科技网  2007/4/18


Renesas Technology发表配备两颗CPU5种类微控制器,预计7月开始样品出货。省去播放音乐用之DSP等部份,提高通用性为其特征。新产品将定位为微控制器之主力产品,2009年以后计划达到5品种月产1百万颗之规模。


此次开发出的新产品为产业用机械、打印机、白色家电等使用之「SH7205」,以及具备音乐播放功能的汽车导航系统用「SH7265」。「SH7265」可达到导航系统厂商要求之摄氏85度至零下40度车用温度范围。依配备SD记忆卡之接口等功能差异,分为4种类。


由于每一CPU拥有各自的专用传输路径设计,可大幅减少路径被占用时之等待时间。此外,采取CPU间之讯号处理直接通讯之连接架构。「SH7205」的样品价格为2500日圆,今年下半年度以月产7万颗之规模开始量产。「SH7265」样品价格2600日圆,2008年后半以月产3万颗之规模投产。

英特尔称其45纳米Penryn芯片处理速度最多可提高40%

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路透中国-科技 2007 4 17


路透旧金山电---英特尔<INTC>周一表示,其定于今年稍晚推出的新款处理器芯片(芯片)在运行计算机游戏或视频处理等重负荷任务时,将比现有芯片的速度快约40%.


这家全球最大微芯片制造商即将在北京举行2007年春季英特尔开发者论坛,在此之前先发布了Penryn新处理器的性能细节.


英特尔称,Penryn的基本设计与当前这代英特尔处理器相同,但电路宽度减小了30%,仅为45纳米.


公司表示,每个Penryn拥有四个处理核,在运行计算机游戏和视频处理功能时将把速度提高40%,而执行图像处理等普通任务时能把速度提高约15%.


英特尔说,Penryn之后,代号为Nehalem的更新一代处理器将于2008年推出,其设计将有全面改变,每个芯片将拥有最多八个处理核.

英特尔还重申将在Nehalem内置图形处理功能,显示其准备向超微半导体<AMD>的类似产品发起挑战.超微内置图形功能的新芯片定于2009年初上市.

Qimonda将与Advantest合作开发GDDR5测试方案

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电子工程专辑  2007年04月18   


奇梦达(Qimonda)宣布与Advantest合作,针对GDDR5测试作业开发硬件方案。双方的合作将针对GDDR5绘图DRAM组件开发具成本效率的量产型测试解决方案。


GDDR5将继GDDR3之后,成为下一个绘图DRAM标准。GDDR5内存的效能将超越现有各种绘图标准。其优异效能加上各种新功能,将使得GDDR5适合支持未来的高效能绘图应用,例如PC绘图卡或游戏主机。


GDDR5标准目前正由JEDEC规划当中。新的I/O标准要成功打入市场,需要高效率的制造技术。而内存测试正是制造流程中相当重要的一环。


奇梦达副总裁暨绘图内存事业部总经理Robert Feurle表示:「Advantest与奇梦达在DRAM测试方面已拥有长久稳定的合作关系,我们很高兴和如此坚强的伙伴合作,开发GDDR5量产测试解决方案。」

东芝乐观估计后市 NAND闪存需求可望在2007下半年复苏

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国际电子商情  2007年04月18 


 NAND闪存芯片市场最近几周的情况发生了好转,日本厂商东芝(Toshiba)近期即发表乐观的前景预测,预期NAND闪存未来可望取代硬盘应用在笔记本电脑(NB)中。东芝日前公布了中期策略,内容包括提高销售额、扩大NAND闪存开发及承诺开发面向电视应用的OLED显示器。


在今年三月份,ISuppli市场研究公司发出警告说,NAND闪存芯片市场将进入最恶劣的一段时期。从去年第四季度以来,情况不断恶化,NAND闪存芯片的降价幅度最高已经达到了70%。 似乎NAND芯片厂商们的日子会越来越难过。


但是最近几周的情况发生了好转,分析师和业内专家们几乎都要为今年下半年的市场需求可能增加而欢呼雀跃了,因为苹果将在今年晚些时候推出其最新产品iPhone。手中掌握逾六成NANDFlash市场的三星电子(Samsung)和海力士(Hynix)已持续在抑制产能,ISuppli称,此举促使技术厂商们开始在价格最低的时候大量购进NAND闪存芯片,这样各NAND闪存芯片厂商们的存货问题也得到了部分解决。


东芝日前公布了中期策略,内容包括提高销售额、扩大NAND闪存开发及承诺开发面向电视应用的OLED显示器。东芝预测到2010财年销售额将增长2.5万亿日圆(210亿美元),销售总额达9.5万亿日圆(798亿美元)。到2010财年,预计利润率将上升至5%


为了实现计划中的增长,东芝计划在三年里投资1.75万亿日圆(147亿美元),比原来的预测金额增加3000亿日圆(25亿美元)。其中58%的投资将用于半导体生产。


东芝还将把研发经费提高1,800亿日圆(15亿美元),使之达到1.29万亿日圆(108亿美元),其中42%左右将用于电子产品开发。


东芝预测,到2009年,以bit计算的NAND闪存市场将扩张到目前的10倍以上,达到8,500 Gbytes。但是,销售额的增长率预计较慢,每年只有24%


东芝总裁兼首席执行官西田厚聪(Atsutoshi Nishida)表示:“温和的销售额增长预估,基于价格每年将下降50%的假设。”


东芝表示,为了对付预期中的价格大幅下滑,将加快向更精细的工艺技术转变,使用多层单元技术并扩大生产设施。


东芝得以如此乐观的原因,除了海外事业收益持续提升、核能事业需求增长之外,该公司并认为其未来的好运将拜半导体事业所赐,尤其是NAND闪存;西田厚聪指出,未来NB制造商势必也将采用NAND闪存作为储存媒介,不单只限于传统硬盘。


另外,松下与东芝合资公司Toshiba Matsushita Display最近宣布,开发21英寸OLED显示器。东芝在该公司中占有60%的权益。


 “我们一直在这家合资公司中开发用于中小尺型显示器的OLED技术,而且我们先前一直预期它将在2015或者2016年问世,在用于电视应用的大尺寸OLED技术出现以前。”Nishida表示。“现在我们认为我们能够更早地开发出该项技术。我们能够在2009年推出OLED电视。”


东芝曾说过,将在今年年底以前推出SED电视机。“该计划没有变化,但完全取决于佳能。”佳能目前陷入了与美国Nano-Proprietary公司之间的专利纠纷。


Nishida表示:“在这个问题解决之前,我们无法向前推进。”

同步SRAM供应商第一季度处境艰难 三星销售额受挫

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国际电子商情  2007年04月18 


根据同步(synch) SRAM市场的最近情况,完全可以把它称为“停步(sink)SRAM市场。


继销售额在2002年第四季度萎缩之后,2003年第一季度同步SRAM销售额再度跳水,当季几乎全部供应商的销售额都出现下滑。网络与电信这两大内存应用市场疲软,使同步SRAM销售额受到重创。同时,该市场厂商众多,多家供应商的产能过剩,导致价格下跌。


第一季度,15家最大的同步SRAM供应商中有13家销售额下降,而且几乎有一半的降幅高达两位数。


SRAM市场有三大领域:异步SRAMPSRAM和同步SRAM,其中同步SRAM表现最差。


据市场调研公司iSuppli2003年第一季度总体SRAM销售额为6.21亿美元,比2002年第四季度增长约0.2%。但同步SRAM大幅下降18%。由于网络与电信市场仍然低迷,iSuppli预测同步SRAM销售在未来一段时间内难有起色。


这些疲弱的市场形势,似乎肯定了美光最近退出SRAM市场的举措。


2003年第一季度,韩国三星电子仍然是最大的同步SRAM供应商,销售额份额为25%。三星第一季度销售额为4,460万美元,比2002年第四季度下降9%


10大供应商中,曾经在同步SRAM市场中显赫一时的IBM微电子(IBM Microelectronics)受到的打击最为沉重。第一季度它的销售额是2,170万美元,比2002年第四季度锐降39%


iSuppli估计,2002年同步SRAM销售额为9.2亿美元,在总体SRAM市场中占36%2003年第一季度总体SRAM单位销售量微升,归功于无线应用对于PSRAM和异步SRAM的需求,而不是因为同步SRAM销量上升。iSuppli认为,尽管市场表现不佳,但同步SRAM所提供的功能仍然存在需求。


在多数网络应用中,人们在不断提高数据传输速度,其中必须用到SRAM

但是,对于新型网络与电信设备来说,提高数据传送速度已经不够了,这些新型应用要求读写操作同时进行。ATM交换机和路由器将受益于Quad Data Rate(QDR) IIDouble Data Rate(DDR)

两强联手共谋存储“天下”,Spansion奇梦达共推多重芯片封装存储系统

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电子工程专辑  2007年04月18   


 闪存解决方案供应商Spansion公司与DRAM制造商奇梦达公司日前宣布,双方已签署策略供应协议。根据协议规定,奇梦达低功耗专用DRAMSpansion MirrorBit NORORNAND闪存将被集成至面向移动设备的多重芯片封装(MCP)存储系统中。除此之外,两家公司计划协调彼此的产品发展蓝图,特别是针对特定Spansion闪存的奇梦达PSRAMPseudo SRAM),从而取得更高的经济效益和成品率,为移动设备OEM厂商提供更高效率。


根据协议规定,奇梦达将以提供PSRAMMobile RAM KnownGoodDieKGD)的形式(奇梦达称PSRAMCellularRAM)。Spansion将应用这些器件制造MCP解决方案。KGD的定义是指奇梦达将对成品晶圆上的晶粒进行了所有功能和质量测试。Spansion将这些器件与闪存堆叠起来,安装在结构紧凑的MCP存储系统内。


Spansion无线解决方案业务部业务运营副总裁Sudesh Bhikha指出,“与奇梦达合作表明我们致力于提供能为客户提升效率的增值存储系统解决方案,我们有策略地选择奇梦达作为我们的合作伙伴 ,这将优化我们闪存解决方案采用的DRAM,为客户提供无缝体验,使他们能够更加经济高效地快速推出创新的手持终端。”


奇梦达公司副总裁兼移动与消费事业部副总裁Ayad Abul-Ella指出,“该策略供应协议使全球领先的闪存解决方案与奇梦达低功耗成熟产品家族实现完美融合。通过提供具有不同密度和接口的KGD,我们为开发面向移动市场的极具竞争力的MCP解决方案做出了贡献。”


奇梦达CellularRAM是一款PSRAM 器件,与传统SRAM相比,可以极低的每比特成本提供高密度、高带宽和高功率效率的存储解决方案。Mobile-RAM是低功耗RAM,与同等密度的标准SDRAM相比,耗电量可节省80%。这些低功耗DRAMSpansion MirrorBit NORORNAND的结合,使MCP解决方案能满足空间受限的移动设备快速增长的存储需求。


Spansion已开始提供采用64Mb128Mb CellularRAMMCP解决方案,现在已开始量产供货。以更高存储密度以及采用DDR技术的MobileRAM产品预计将于2007年稍后时间供货。