Archive - 四月 2007

国际电子商情    2007年04月29日 

SanDisk公司和奇梦达公司(Qimonda)达成协议，将运用SanDisk的NAND闪存和控制器以及奇梦达的低功耗DRAM共同开发和制造多重芯片封装(MCP)。此次合作瞄准数据密集型移动应用对大容量、集成化内存解决方案日益增长的需求。本协议将通过双方设在葡萄牙的一家合资公司执行，但目前尚需符合相关的交易条件，包括主管当局的审批。

MCP将由奇梦达和SanDisk通过他们现有的销售渠道销售给移动电话制造商。据iSuppli公司预测，MCP封装仍是将内存植入移动电话的首选封装类型。iSuppli公司还预计，到2011年，移动电话市场的MCP销售额将会达到90亿美元，NAND和低功耗移动DRAM的组合是主要的MCP类型。

“SanDisk的闪存和控制技术以及低成本晶圆厂将扩大我们的存储产品阵容，”奇梦达首席执行官罗建华说，“除完整的低功耗DRAM产品系列以外，通过推出先进的、高密度MCP解决方案，奇梦达现在进一步完善了公司面向消费性移动终端的产品系列。通过推出结合高级低功耗移动DRAM和大容量NAND闪存的MCP，奇梦达得以进一步优化适用于移动电话的内存子系统架构，以满足领先手机厂商在竞争激烈的市场环境中对灵活带宽和内存占用率日益增长的需求。”

SanDisk在开发和制造NAND闪存方面拥有悠久的历史，而奇梦达在移动DRAM的开发和制造上战功赫赫。此次合资使双方形成了一种协作关系，使得两家公司能够受益于彼此互补的内存技术，并且可以提供基于NAND/低功耗移动DRAM的门类齐全的MCP产品。此次合作使得两家公司可以充分利用彼此的技术优势和生产平台，同时继续拓展各自的市场。

双方预计2007年下半年推出MCP设计样品用于评估，2007年底开始大规模生产。

国际电子商情    2007年04月30日  

据Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合约价格下跌到了20美元左右，这也影响到了现货市场的价格走势。面向2007年下半年PC销售旺季，PC厂商将增加库存，预计DRAM需求将随之增长。因此，DRAM价格可能在2007年下半年触底。价格持续下滑，已使DRAM厂商濒临亏损。向更先进的生产工艺转移，以及提高1GB芯片的出货量，将是决定2007年下半年DRAM厂商业绩的两大因素。

由于需求仍然疲软，现货市场的价格环境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到了2.05美元左右。由于PC OEM厂商处理多余库存，合约市场的价格也在下跌。DDR2 667MHz 512MB的合约价格大致持稳于20美元，甚至更低的水平。

目前DRAM合约价格的下降幅度大于当初预期，主要是因为PC市场处于需求淡季，以及供需严重失衡。DRAM厂商的月产能不断上升，迫使它们以极低的价格出售。幸运的是，由于PC厂商的库存水平目前较低，以及季末公布财报的活动接近尾声，DRAM需求可能开始回升。另外再加上2007年下半年PC市场旺季即将来临，DRAM价格可能即将反弹。

                                       资料来源：Dramexchange，2007年4月

面对价格持续下跌的局面，厂商正在竭力进一步削减成本。例如，美光最近宣布，利用78纳米工艺成功地开发出了1.5V DDR2芯片。这样低的电压，可以节省大约24%的功耗。由于美光成本不占优势的8英寸工艺占了很大比例，它正在推出特殊规格的芯片，以避开商品类DRAM市场中激烈的价格竞争。三星和海力士半导体，则已开始利用68和66纳米工艺试生产，同时提高2007年下半年1GB芯片的出货比例。另一方面，台湾厂商则在继续提高12英寸工厂的产能。无需多言，随着产能快速上升，DRAM厂商引入的成本下降机制将在其未来的竞争中发挥重要作用。

NAND闪存供应商加快开发内置存储产品

目前，约有三分之二的NAND闪存产能被用于存储卡和USB驱动器。同时，另外三分之一则被分配给了内置存储产品，或者使用标准的NAND闪存，或者使用集成式闪存。例如，三星在3月推出了GB moviNAND，由四个采用50纳米工艺生产的16Gb芯片组成。据三星高管，这种产品将在2007年第二季度结束前投入量产。

东芝在其网站上发布了一款16GB嵌入式闪存，采用56纳米工艺制造，由8个16Gb芯片组成。东芝将在6月向客户提供样品进行评测，计划7月量产。

SanDisk也在2007年2月展示了iNAND产品，密度从256MB到4GB，将主要面向采用微驱动器的移动通讯产品。

随着NAND闪存生产向更高级的工艺过渡，相关成本进一步下降，移动通讯产品生产商开始日益青睐嵌入式闪存。计划在6月发布的Apple iPhone，将包括4GB或8GB款式，预计将推动更多的厂商采用内置式闪存作为存储解决方案。这些动态也在使集成式闪存越来越受欢迎。

                                              资料来源：Dramexchange，2007年4月

华强电子世界网    2007-4-30

　　4月26日消息，据国外媒体报道，英特尔高级副总裁Pat Gelsinger日前表示，未来的处理器将成为系统架构，而不再是芯片组的一个组件。

　　多年以来，尽管PC在不断发展，但基本架构始终未变。英特尔的处理器被连接到芯片组上，而芯片组上又包含了内存控制器和I/O控制器。但是，这种局面可能要被打破了。

　　如果英特尔的计划能够按部就班地进行下去，那么上述芯片，以及PC内部其他芯片的功能都被将融入到处理器中。

　　英特尔高级副总裁Pat Gelsinger称：“几乎不知道什么时候处理器就会灭亡，什么时候系统芯片（system-on-chip）开始盛行。”

　　Gelsinger说：“我们认为，处理器将来会变成系统架构，而不再是一个组件。用户将看到令人难以置信的集成。”

联合网   4月30日

   韩联社首尔4月30日电 三星电子表示，对于全球率先采用51纳米（头发厚度的2000分之1）工艺的最大容量16Gb多层单元（MLC）NAND型闪存，已开始批量生产。

   三星电子29日表示，继去年8月开始批量生产采用60纳米工艺的8Gb NAND型闪存后，时隔8个月后，开始批量生产将容量和性能增加两倍的16Gb NAND型闪存。此前，三星电子已于今年三月开始批量生产采用业界最小宽度——51纳米工艺的8Gb NAND型闪存。

   三星电子表示，51纳米级16Gb NAND型闪存采用了业界最小的电路宽度，并领先于以55～57纳米为主流的其他企业的50纳米级产品， 三星电子表示，相比于60纳米级产品，采用51纳米技术的NAND型闪存的生产效率提高了60%左右。同时该产品以4KB为基本单位处理数据，读写速度比原先以2KB为基本单位驱动的60纳米级NAND型闪存，快了两倍。

   三星电子预测，此次批量生产51纳米级16Gb NAND型闪存，正好赶上最近NAND型闪存价格上涨趋势，将对半导体领域的收益和改善，起到积极作用。

50纳米级NAND型闪存市场从明年起将成为市场的主流产品，其市场规模到2010年有望达到210亿美元。

PCPOP.COM    2007年04月30日    吴愧

   内存近期的疯狂降价很大一部分受到产业的影响，如内存颗粒的降价、各大内存芯片厂商增加产能，促使供大于求的现象出现。目前，首季全球内存大厂排名出炉，海力士受惠于大陆无锡厂产能的开出，单季产出成长45％，与最大厂三星的全球市占差距不到一个百分点，撼动三星龙头宝座。另外尽管DRAM报价已跌破厂商成本，但业者为提高市占仍积极扩产，其中又以三星的动作最为积极，因此不仅今年全球DRAM产业位元成长率将高达八成以上，三星本季大扩产，恐对DRAM价格造成更大跌价压力。

   根据最新统计数据显示，今年第一季全球DRAM产出增逾18％，但DRAM平均售价较去年第四季大跌25％，因此第一季全球DRAM品牌厂商总营收跌破百亿美元大关，较去年第四季衰退11％，这也是自05年第二季以来首次衰退的情状，显示市场需求已不足以支撑近年陆续新增的12寸DRAM产能。

   今年第一季全球DRAM品牌厂商中，单季营收逆势成长者仅有海力士与华邦两家，其中以海力士表现最佳，单季营收也与三星差距不到5％，全球市占率更提高到22.7％，撼动了三星在全球DRAM产业的龙头地位，并一举拉开与奇梦达之间的差距。

   以各区域的DRAM品牌厂商销售额排名分析，台系厂商市占率16.44％，较去年第四季下滑。

digitimes  宋丁仪／台北 2007/04/30

　全台最安全、也最危险的地方，台积电晶圆厂可能是其一。1999年发生921大地震时台积电晶圆厂作业线全面停工，美国挂牌上市公司委由台积电生产的芯片可能面临出货停摆窘境，美国股市投资人跟著紧张，好险于10天内，台积电9成产线陆续恢复运转；2003年台湾SARS疫情爆发，北台湾蔓延一股感染恐慌之际，当时有人说，无尘室控管最严密的台积电晶圆厂可能是全台最安全地方。就连2006年底台湾再度地牛翻身震断海底电缆，台积电客户立即向台积电反应他们的担忧。台积电只要一打喷嚏，半导体产业就重感冒，这句话一点也不假。

台积电已非蕞尔岛国企业，而是牵系全球半导体脉动的国际级企业。一位半导体业者形容，业界常将台积电与国内竞争对手相比，不过台积电已逐渐拉开与第2大晶圆代工同业差距，营收相当于对手3倍、市值更差达4倍之多。

虽然台积电成立已20年，但大幅与竞争对手拉开差距，却是近10年内的事。过去在成熟制程世代，台积电与联电之间竞争的你死我活，但真正关键转折点却是2000年起台积电靠自行研发0.13微米制程技术，拒绝了与IBM技术合作；而当时联电接受IBM的提议，却因双方制程合作不顺遂，在0.13微米制程重重摔了一跤。

台积电后10年拉开竞争差距　0.13微米制程是转折点

熟知这段历史的业内人士形容，台积电当时靠著自行研发成果，吸引许多国际整合元件大厂(IDM)登台拜访，并接下国际级大客户订单代工重托，在0.13微米制程之役打了漂亮的一仗，这个成功经验，也从此确立台积电以自行开研发为主轴。台积电制程技术也是从那时起，擦亮了招牌。

不过，摔倒后的联电很快整装重新出发，联电放弃了0.13微米制程与台积电正面交锋，转而跳到90奈米制程亟欲收复失土，这也是之所以业界形容90、65奈米制程是市场竞争最激烈的2个世代。除了联电，可畏的竞争对手还有近年快速跟上的新加坡特许(Chartered Semiconductor)及占尽地利之势的大陆中芯国际。

特许从90奈米制程起与IBM进行技术合作，先后拿下美商超微(AMD)、微软XBOX 360等重要代表性客户订单。与IBM形同生命共同体的特许，在IBM技术相挺之下，走得是与台积电制程不同的路－绝缘层上覆矽(SOI)，特许从90奈米制程声势鹄起，到65奈米制程直逼台积电，打破只有台积电、联电双龙争锋的态势，形成三方争锋。

研拟长期发展策略　台积电未来敌人是自己

台积电总执行长蔡力行不讳言，未来竞争不会稍歇，只会更为炽烈。虽然台积电从0.13微米制程占得先机，这优势也延续到90、65奈米制程，但随竞争对手快速追上，昂贵的制程技术最终也必须回到现实竞争环境，在卖方众多的市场内，难免沦为买方杀价的筹码。

同样的道理，台积电在45奈米制程技术，率先与设备商共同研发浸润式显影制程，至少投资5年以上心血研发，好不容易成为业界标准，然而当45奈米制程市场起飞，过去的独门研发成果，也终将成为业界垂手可得的仿效对象。

台积电20岁了，正值所谓的「弱冠之年」，回顾过去发展前10年，竞争者多存在于国内，让台积电并不孤单，而迈入后期的10年，竞争者已尽是国际舞台上的佼佼者，业界更预言，未来半导体界大概已确立CPU领域以英特尔(Intel)为首、存储器由三星电子(Samsung Electronics)称霸，晶圆代工则是台积电，已确立三足鼎立态势。台积电自行研发的策略「选择了一条少人走的路」，就需付出比别人高昂的代价，也因为领先，台积电最可怕的敌人已经不是同业，而是自己。

蔡力行形容，回顾台积电20年来的发展，像婴儿般跌跌撞撞一路学习，1993~1994年这段期间，以冲刺产能、技术导向为主，思维是「先盖(厂)就是了，免惊！」，随著公司上市，台积电对股东、投资界责任愈来愈重，从制造朝服务转型，开始谈虚拟晶圆厂(e-foundry)策略；到2000~2001年网络泡沫化又是个转折点，拼命扩厂思唯更加谨慎了，同时制造、服务也显得不够，必须研拟更长期的发展策略。

「后张忠谋时代」　影响力不只是领先更是渗透

面对下一阶段晶圆代工成长性趋缓，台积电的「后张忠谋时代」新生代接班团队任务，就是要将台积电的影响力发挥得更为彻底，从领先者转化成产业生态环境的营造者、甚至产业秩序整合者，持续将台积电影响力渗透至半导体业中。

而同质化愈来愈高的产业里，如何凸显台积电的价值，进而转换成为企业存在的价值、广大股东的权益？台积电不是英特尔，自产自销可高喊「Intel Inside」，也不像绘图芯片透过接近消费者容易打响NVIDIA、ATI品牌，对一般人而言，晶圆代工距离相对遥远，但全球芯片除了CPU、存储器，5成以上芯片都来自台积电之手，台积电要做的是凸显B2B品牌价值，让客户体认到代工的价值，尽管价格再贵，仍旧可寻到红海外的一片蓝海。

另一个是伙伴关系。除了提供客户最快、先进的制程解决方案，台积电也逐渐扮演起「盟主」角色，包括与类比自动化设计工具(EDA)业者合作，端出可制造设计解决方案(DFM)让客户顺利进入先进制程量产，缩短技术障碍时间，同时，联合第3方IP供应商(third-party)及内部上百人设计服务团队，形成强大支持，协助客户成长的过程随时补给「阳光、空气、水」，甚至必要时施以养料，这样极力营造的业界生态体系，成为拢络客户的最佳心法。

若台积电只一昧追求领先，将有一堆竞争敌手，但营造生态环境，强调互利共存共荣，台积电却赢得更多合作伙伴，影响力反倒更渗透深远。

再度出手购并？　台积电下一章节精采可期

台积电扮演软件、硬件整合角色，制造方面，台积电也亟欲扮演市场秩序的主控者。台积电在90年代初期火速加盖2、3、4、5厂运作已逾10年，6、7、8厂也早就超过7年折旧摊提期限，现在每年庞大净现金流入，足以用作为下一阶段12寸厂投资，或高现金股利政策回馈过去20年来投资台积电的50万股东，成为良性循环。

当同业还苦哈哈负担高额折旧成本时，台积电已苦尽甘来，坐收获利果实，形成与竞争者间一道难以横越的界线。充足的现金、灵活运作的财务，更让台积电也有余裕进行积极的「非营运式成长」(inorganic growth)－也就是购并。台积电历史中，曾发生2次大规模购并，合并德碁、世大半导体完成于2001年，台积电下一个合并对象，仍是以制造为导向的8寸厂，因为，8寸厂已失去建厂必要，但产能日益不足，购并是最快攫取产能的方式之一。

而有「9厂」之称的世界先进，不论技术、产能、管理阶层皆与台积电关系匪浅，世界先进弃守存储器转攻逻辑IC市场，以及双方经营高层的渊源，让外界认为，台积电最后「收编」世界先进，纳入台积电众厂之一，为双方陈年关系下一道最后的批注。

台积电董事长张忠谋在他来台湾约10年后提笔写下他的前半生，如今台积电迈入20岁，张忠谋再度执笔要写出他传奇的后半生，从到台湾接掌工研院、创立台积电、带领台积电成长茁壮，虽然他曾担任德州仪器(TI)全球副总裁，但回到台湾的这22年，却是外界公认他生涯中的精华。在读者还没眼福饱览这段经历前，台积电未来的路仍延续下去，且下一章节保证绝无冷场。

科技新闻  2007.4.30

三星电子日前表示，采用51奈米制程的16Gb Nand Flash已导入量产，该产品的厚度只有人类头发的2000分之1，而16Gb则是目前量产产品中容量最大者，相较于以55∼57奈米制程为主流的其它竞争业者，三星电子在50奈米级制程的产品处于领先地位，而且其51奈米制程的产品，较原有60奈米级的产品，可提高60%左右的生产力，将有助于提高Nand Flash价格，改善三星电子半导体部门的收益。三星电子预估50奈米级Nand Flash明年将成为市场主流，至2010年为止，市场规模累积将达210美元。

据了解，Nand Flash是以Page为单位进行数据的读写，原有的60奈米级的产品是以2KB为基本单位来处理数据，而三星电子51奈米制程16Gb的产品则是以4KB为基本单位来进行数据处理，读写速度较60奈米级Nand Flash快上两倍，若以该产品制作成32 GB的记忆卡时，将有储存DVD级的电影20篇（约32小时），或是MP3档案 8000首、英文报纸200年的份量。

                      图(拓墣产业研究所提)

digitimes     2007/04/30      宋丁仪／台北

　 台积电、中芯国际、新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor)相继举行法说会，会中65奈米制程进展成为外界关注技术发展的指标之一。台积电于上法说会时指出，台积电第4季65奈米程制产能将较第1季成长16倍，令外界惊艳；同时，新加坡特许65奈米制程本季将占其营收5%，领先同业，为超微(AMD)代工的Barcelona也将正式出货。不过中芯、特许本季营收仅较第1季持平，相对之下，台积电将成长12~15%相对突出。

　台积电于在线法说时表示，第2季65奈米制程产能将较第1季成长4倍，同时，第3季、第4季也分别较前季再增加2倍，因此年底时，台积电65奈米制程的产能将较今年初足足成长16倍之多。外界预期，台积电65奈米制程产能快速放大，加上45奈米制程9月进入量产，2008应加速扩充产能，拉开竞争差距，因此这2个世代应是台积电2007、2008年最快速成长的2代制程技术。

　相较之下，新加坡特许表现亦不俗，特许宣布，65奈米制程技术准备进入量产，2007年第2季应可达收入比重的5%，特许执行长谢松辉表示，65奈米制程技术的生产时间表略微提前，市场预估认为，特许积极与大客户AMD合作生产65奈米制程4核心芯片巴塞隆纳(Barcelona)应是第2季最重要的任务之一，而AMD预计第3季正式将此芯片上市。

　不过，由于英特尔(Intel)积极压制AMD的Barcelona，计画2007年下半推出一系列的65奈米制程双核心及4核心处理器，将使得AMD、Intel竞争加剧，并可能影响特许的获利结构；此外，特许也指出，担忧第2季起来自于90奈米制程计算机相关芯片出货将下滑，外界就猜测，AMD加速跨入65奈米制程，使特许短期内面临90奈米的空窗期。

　中芯国际执行长张汝京则表示，中芯在65奈米方面，已经取得很好的进展，预期第2季订单将持续回温，尤其中国大陆当地设计业者持续增加90奈米制程投片，但受到DRAM价格的不确定性影响，第2季营收较前季持平，而第2季的折旧摊提也将是全年最重的1个季度；特许则预估，第2季出货增加15%、产能利用率77%，但受制于90奈米制程订单下滑，营收持平。目前看来，台积电第2季成长12~15%，相对优于代工同业。

闪存笔记型计算机快速轻巧,惟价格令人却步

路透社  2007.04.30

路透首尔电---速度更快、更安静的笔记型计算机已经问世,闪存芯片取代了硬盘的位子,但其容量有限及价格昂贵,意味着这种新科技还无法普及到大众市场.

不过普及的日子应该不远了.闪存目前以每年五成的速度下跌,分析师预测,到2010年时,约有20%的笔记型计算机采用闪存作为硬盘.

富士通<6702>已经开始向愿意多花费1,399美元的企业用户,贩卖一款搭载32GB闪存的笔记型计算机,传闻苹果<AAPL>和Sony<6758>将跟进推出业界所称的固态硬盘(solid-state drive, SSD)产品.

"一旦SSD浪潮启动,改变的脚步将极为迅速,"Hannuri证券分析师An Sung-ho指出.

分析师指出,这将为海力士半导体<000660>、三星电子<005930>及东芝<6502>等闪存厂商带来新的助力.

"芯片厂商将是主要受惠族群,"An Sung-ho指出."SanDisk<SNDK>等记忆卡厂商也投资在这上面,应该可以从这个成长中的市场分到一块."

**观望心态**

分析师指出,硬盘会存活在市场上很长一段时间,硬盘价格仍然只有相似容量闪存的八分之一,但分析师表示,闪存价格下跌,可能会演变成一场流血杀价大战.

同样的,个人计算机厂商能从这种新产品获得的额外利润也将有限,因为厂商必须向闪存芯片的专业厂商购入技术.

业者指出,第一代闪存笔记型计算机的买家大概是在军队或营建工地的重度使用者,因为使用场所容易发生碰撞、摔落及震动等情形.

**成本与容量**

富士通搭载32GB闪存的机种已经提供给美国商用客户,但其价格逼近硬盘机种的两倍,并非人人都能买得起.

"价格差异仍大,"全球最大笔记型计算机代工厂商--台湾的广达计算机<2382>总经理王震华表示,"我不认为未来三年闪存计算机将成为主流."

储存容量是另一个问题,128GB(gigabyte)是目前闪存碟机的最大容量,使其难以与桌上型计算机的硬盘机竞争.

但分析师表示,这些问题或许比业界预期的更快解决.Gartner在近期的研究中指出,到2010年时,每年可能有3,200万台新的笔记型计算机是由闪存驱动,远高于目前的400万台.

该报告预料,届时销售给企业客户的笔记型计算机中,每六台就有一台使用快闪碟,而非硬盘机,尽管储存空间减少.

其它人表示,快闪硬盘机到时可能占所有笔记型计算机销售量的五分之一,但iSuppli的首席分析师Nam Kim则指出,这类预测可能低估了NAND快闪硬盘的进展."在2008年底前,对PC制造商来说,闪存价格可能会变得很有竞争力."

工商时报  2007.04.30　 吴筱雯/台北报导

大陆手机销售旺季五一黄金周起跑，但业界人士透露，四月手机芯片组订单吓吓叫的联发科，原先预期手机芯片组出货量将较三月再上升四至五成、达一千三百万套以上，但受到晶圆代工产能不足影响，四月手机芯片组出货量已经确定无法达到预期、仅维持与三月接近的水平，错失在大陆五一黄金周前最后一波的冲刺机会，也让联发科对第二季手机芯片组出货量采取保守预估。

联发科在大陆手机芯片组市场占有率超过四成，与大陆国产手机销售呈现直接连动，而大陆手机内需市场从去年十月起就一直呈现长红态势，也让联发科近半年来手机芯片组供应状况，一直有小幅吃紧的现象，近来业界更一致看好上半年最重要的手机销售旺季－五一黄金周的业绩，大陆手机业界甚至预测，今年光是五一黄金周的十天假期内，手机销售量就将达九百万支。

大陆手机内需市场的畅旺，也让外界预期，今年五一过后的库存问题不会如往常般，必须花上两、三个月才能解决，联发科手机出货状况最快在六、七月，就有机会重新回到成长轨道。

不过，联发科日前却表示，为准备大陆五一长假、客户提前下单，联发科手机芯片四月销售仍然续强，不过，经过圣诞节与农历新年旺季后，今年五一旺季是否能持续畅旺，目前难以论断，就现在来看，第二季能见度不明。

然而业界人士透露，联发科对第二季的保守发言，并非肇因于市场能见度不佳，而是晶圆代工厂出了问题。

据了解，受到联发科主要晶圆代工厂联电提供的○．一三微米制程产能不足、其它代工厂制程不够稳定的影响，无法足额供应客户所需，其中又以手机芯片组6226（支持GSM／GPRS、三十万画素数字相机、MP3等功能）受晶圆代工产能供应不足的影响最深，而6226由于价格适中、数字相机像素可用软件调高至百万像素水平，正是联发科中国国产手机客户群的最爱。