Archive - 三月 2007

March 31st

大陆抢补库存 DDR2涨价近12%

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工商时报 2007.03.31 涂志豪、李纯/台北报导


DRAM价格昨(三十)日出现大涨走势,有效测试(eTT)颗粒涨幅逼近一二%,原厂颗粒(Original)价格也出现五%至七%涨幅,不过DRAM通路商表示,由于DRAM价格已跌入DRAM厂的成本区间,在预期价格已触底情况下,前(二十九)日下午来自大陆市场买盘就积极进行库存抢补,台湾及香港现货价昨日才反应此一现象,然因买货需求并非来自于终端市场,需求强度可否持续,并支撑价格站上三美元以上,仍有待后续观察。


DRAM现货价昨日出现跌深后急涨反弹现象,主要买盘来自于大陆市场库存回补,由于买家抢补的原因,是认为DRAM现货价跌落二.七美元至三美元的总成本区间,DRAM厂为了不赔钱卖货,除了降低出货量外,也会将产能移转生产NAND闪存、绘图卡用GDDRCMOS影像传感器等利基型产品,所以在预期DRAM价格已触底的情况下,才以三美元左右高价回补库存。


在库存回补的需求带动下,五一二Mb有效测试DDR2价格昨日大涨近一二%,均价已站上二.九美元,当然原厂颗粒也出现五%至七%涨幅,价格回升至二.九五美元至三美元间。由于下周即将进入第二季,在季底作帐压力解除后,价格有可能持续反弹数日,不过反弹幅度是否续强,许多业内人士及交易商都保持且战且走的观望态度。


包括茂德董事长陈民良、华亚科技总经理高启全等业者均指出,第二季是传统DRAM淡季,微软Vista操作系统带动的需求,要等到下半年才会明显发挥效应,因此DRAM景气应会在第二季中下旬触底,第三季后再缓步回升。业界高层也认为,这波DRAM价格快速下滑,一定会刺激需求增加,只是需求不会突然浮现,需要三至六个月的时间来调整供需,但如果DRAM价格跌势愈快,景气落底反弹的时间也会早点到来。

库存回补 DDRII现货大涨

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经济日报  2007.03.31  记者陈碧珠╱台北报导


有效测试(eTTuTT)动态随机存取内存(DRAM)现货价昨(30)日止跌弹升,512M DDRII现货价大涨9.24%,颗粒均价回到2.84美元。明显的弹幅是否代表DRAM春天不远?台内DRAM业者认为,这波反弹纯属补库存效应,需求尚不明显,正式弹升的时机还是有待观察。


2月下旬以来由闪存价格回温带动的内存景气似乎有加温的迹象,闪存现货报价昨天各规格产品涨幅在3.4%~6.8%之间,主流的8Gb最高报价已经回到9.1美元,也带动DRAM现货价格上扬,512M DDRII现货价格下周将有机会挑战3美元。


产品报价上涨,DRAM股昨日几乎全面上扬,力晶(5346)上涨0.3元,收盘价19.8元,逐渐摆脱司法阴影,下周有机会重回20元整数关卡;茂德(5387)劲扬0.65元,收盘价12.85元,关系企业茂硅(2342)更是直拉涨停板,收盘站上40元,每股价位来到40.6元。


根据集邦科技昨报价信息显示,DRAM现货价昨日持续近期的反弹走势,其中,DDRII 512Mb 667MHz主流品牌颗粒价格较前日上涨2.75%DDRII 512Mb eTT更大涨9.24%


不过,台湾DRAM厂商分析,这波DRAM反弹,系因DRAM价格大跌进入3美元以下的成本区,部分大陆贸易商预期DRAM制造厂开始将产能转作Falsh,因此趁机回补库存,营造出需求增加产生的效果。


业者进一步认为,昨日DRAM现货价一度大涨,还有部分原因是昨日是第一季最后一个工作天,部份厂商不想出货,导致供给消失,然而,这股供给动能一旦在下周开始涌出,加上OEM端的库存仍未去化,这波反弹走势是否能继续拉抬,仍有待观察。

现货价反弹 DRAM吐闷气

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联合晚报   2007.03.30   记者徐睦钧/台北报导


DRAM价今年来跌幅逾5成,随下半年将进入旺季,昨引发市场回补需求,带动512Mb DDR2 eTT大涨3.75%,中午再涨2%,行情止跌弹升,DRAM股茂德(5387)、力晶(5346)今应声带量走扬,南科(2408)、华亚科3474)也跟着走强,其中茂德爆量逾15万张收复年线。


DRAM价格今年来一路跌,512Mb DDR2 eTT本周更出现每颗2.5美元的今年最低价,不过低价刺激需求,引起通路商开始逢低抢货。昨现货价出现止跌反弹,据集邦科技的报价指出,DDR2 512Mb 667MHz533MHz上涨0.07%,报价分别收在2.83美元及2.79美元,eTT的部分则大涨3.75%,收在2.6美元,今中午最新报价,eTT仍持续走扬,上涨2.06%,每颗报价已回升至2.65美元。


受价格出现小反弹,DRAM股今买盘顺势进场,其中茂德早盘表现最为强劲,在昨外资买进力挺下,开盘后陆续有千张买单抢进,不但一举站上季线,盘中也克年线,走出近期低潮。


茂德本月营收受DRAM价格下跌影响,预估将与2月相当,惟仍可维持50亿元以上水平,虽然今年第一季的营收表现将比去年第四季衰退,但该公司表示,前两月的毛利率仍逾4成以上,第一季粗估平均为33%35%,使得单季仍将持续获利。法人推估,以茂德首季营收及毛利表现来看,单季的获利可上看40亿元,每股税前纯益约0.60.7元间,表现优于市场预期。


力晶今也在现货价弹升,暂时冲淡力广案的阴影,股价止跌弹升,买盘有逢底布局现象。尽管力晶近期有力广案利空,但由于其基本面不弱,且今年有机会挑战第一家DRAM厂营收破千亿元的优势,营运成绩是能否摆脱利空的最大关键。以该公司第一季的营收仍可维持高档,且毛利率表现在3成以上,目前本益比在类股中相对偏低。

NAND市况跌入谷底,DRAM也难幸免

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电子工程专辑  2007年03月30   


根据iSuppli公司的正式消息,NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的,并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地,供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。


2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每MbNAND闪存的平均定价有望下降35%40%。这种戏剧性的价格下滑意味着NAND闪存业务作为一个整体将在今年第一季度遭遇运营损失,该市场有史以来第一次发生这样的事情。


经济学101法则


需求对降价呈现弹性的响应,市况恶劣的主要原因在于NAND供应商对此过于乐观。这些供应商对较低的定价听之任之,但是,销售额却没有极大地增长,这是一种对他们底线的破坏性组合。


经济学的基本教训就是:无法预测的降价可能会刺激需求,与此同时,预料之中的跌价只能使买家延期购买,直到进一步的削价来临。不幸的是, NAND闪存供应商就领略到这个教训所描绘的在2007年初的艰难之路。


需求驱动微弱


虽然纯NAND供应商正在忍受痛苦,例如东芝公司和SanDisk公司,但是,对于也提供NANDDRAM制造商来说,情况甚至更糟糕,因为两种产品现在都正经历价格的持续下跌。与今年一月相比,二月份512Mb双速率(DDR2)DRAM的平均合同定价下滑了38美元。


尽管一月份微软公司推出了许多人期望刺激DRAM需求的Windows Vista操作系统,并且,苹果公司推出了可能作为NAND闪存主要消费者的iPhone音乐手机,但是,这些产品对存储器定价或迄今为止的需求都没有造成重大影响,因此,降价的双重打击如期而至。


DRAM的灾难


那么,为什么DRAM价格下滑?


在供应这一方面,主要原因在于2006年全年价格非正常地居高不下—现在价格正在回归正常的水平。实际上,因为大多数供应商针对512Mb DDR2 DRAM的生产成本大约是3美元,所以,存在更多的降价空间。此外,各供应商当中日益提高的产能迫使价格逐日走低。


与此同时,DDR2 DRAM的库存天数(DOI)在二月份上升到20天以上,比一月份多了15天。


iSuppli认为,因为库存很多且需求低迷,对于DRAM供应商的不幸之处在于进一步的降价是不可避免的。例如,512MB DDR2 UDIMM的平均价格有望在2007年第二季度下降到25美元的水平,比一月份的50美元下降了一半。目前的低迷市场状况证实了iSuppli过去的预测:Vista不会触发大规模的需求。


NAND先于DRAM复苏


对于今年这个存储器市场的恐怖之年,正在形成的趋势当中存在哪些希望呢?


iSuppli目前预测,与2006年相比,2007NAND市场有望遭遇销售收入的紧缩。然而,对于2007年全年,NAND市场的市场状况不如可怕的2006年那么糟糕。


随着生产放缓,(库存)增长受到控制,NAND市场有望在今年第二季度触底。这将提高供应商的利润。由于DRAM的利润依然高于NAND的利润,大多数DRAM供应商正在放慢NAND生产的增长,此举将刺激今年第四季度期间NAND供应的紧张程度,从而稳定价格和利润率。


由于DRAM有吸引力的价格迫使个人电脑OEM在季节性销售旺季把更多的存储器安装在他们的系统之中,DRAM市场将在今年第三季度紧随NAND市场开始复苏。


不满之冬


这对于在存储器市场中的每一个人来说都是严酷的时刻。对于存储器供应商来说,深层次的问题直到今年二月份才变得透明,当时SanDisk宣布它将裁员并减薪。


由于缺乏任何可能导致快速复苏的因素,iSuppli保持其对DRAMNAND供应商近期市场状况的“低迷”评级。


然而,市场状况在第二季度应该改观,到那时对Vista的需求被物化并且高密度便携式媒体播放器(PMP)设备将被推向市场。

贸易商低档收货 DRAM现货价止跌反弹

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台湾新浪网  2007-03-30  记者张建中新竹


DRAM 现货价止跌反弹,DDR2 512Mb 667MHz主流品牌颗粒价格上涨2.75%DDR2 512Mb ETT更大涨9.24%。集邦科技表示,主要是因为贸易商趁低档收货。而台湾DRAM业者则保守认为,是否代表DRAM产品价格就此落底,仍待进一步观察。集邦科技指出,在产品价格经过大幅下跌修正后,目前DRAM市场需求明显急增,带动DRAM现货价29日开始止跌回稳,其中DDR2 512Mb 667MHz颗粒价格已小幅回升至2.83美元,DDR2 512Mb ETT现货价也反弹至2.6美元。根据集邦科技调查,DRAM现货价今天持续反弹走势,其中DDR2 512Mb 667MHz颗粒价格已回升至2.91美元,上涨2.75%DDR2 512Mb ETT也回升至2.84美元,大涨9.24%。集邦表示,近日DRAM价格止跌回升,主要是贸易商趁低档收购DRAM厂库存后,并顺势拉高价格。茂德副总经理曾邦助说,DRAM价格大跌后,目前已有厂商面临亏损窘境,也代表DRAM价格已逼近底部。只是近日DRAM价格止跌回升,是否为DRAM价格落底讯号,或只是单纯通路长假前回补库存,所造成的市场杂音,仍待进一步观察;曾邦助表示,下星期DRAM 价格能否持稳,或是仅昙花一现,价格再次回跌,将是观察重点。

March 30th

NAND市况跌入谷底,DRAM也难幸免

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来源:电子工程专辑


      根据iSuppli公司的正式消息,NAND闪存供应商所面临的市况是业内有史以来最恶劣的,并且这种状况可能进一步恶化。如果不是到了岌岌可危的境地,供应商们就不会抱怨NAND闪存业务的定价和收益率的悲哀状况了。

      与2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND闪存的平均定价有望下降35%到40%。这种戏剧性的价格下滑意味着NAND闪存业务作为一个整体将在今年第一季度遭遇运营损失,该市场有史以来第一次发生这样的事情。

经济学101法则

       需求对降价呈现弹性的响应,市况恶劣的主要原因在于NAND供应商对此过于乐观。这些供应商对较低的定价听之任之,但是,销售额却没有极大地增长,这是一种对他们底线的破坏性组合。

       经济学的基本教训就是:无法预测的降价可能会刺激需求,与此同时,预料之中的跌价只能使买家延期购买,直到进一步的削价来临。不幸的是, NAND闪存供应商就领略到这个教训所描绘的在2007年初的艰难之路。

需求驱动微弱

       虽然纯NAND供应商正在忍受痛苦,例如东芝公司和SanDisk公司,但是,对于也提供NAND的DRAM制造商来说,情况甚至更糟糕,因为两种产品现在都正经历价格的持续下跌。与今年一月相比,二月份512Mb双速率(DDR2)DRAM的平均合同定价下滑了38美元。

       尽管一月份微软公司推出了许多人期望刺激DRAM需求的Windows Vista操作系统,并且,苹果公司推出了可能作为NAND闪存主要消费者的iPhone音乐手机,但是,这些产品对存储器定价或迄今为止的需求都没有造成重大影响,因此,降价的双重打击如期而至。

DRAM的灾难

      那么,为什么DRAM价格下滑?

      在供应这一方面,主要原因在于2006年全年价格非正常地居高不下—现在价格正在回归正常的水平。实际上,因为大多数供应商针对512Mb DDR2 DRAM的生产成本大约是3美元,所以,存在更多的降价空间。此外,各供应商当中日益提高的产能迫使价格逐日走低。

      与此同时,DDR2 DRAM的库存天数(DOI)在二月份上升到20天以上,比一月份多了15天。

      iSuppli认为,因为库存很多且需求低迷,对于DRAM供应商的不幸之处在于进一步的降价是不可避免的。例如,512MB DDR2 UDIMM的平均价格有望在2007年第二季度下降到25美元的水平,比一月份的50美元下降了一半。目前的低迷市场状况证实了iSuppli过去的预测:Vista不会触发大规模的需求。

NAND先于DRAM复苏

       对于今年这个存储器市场的恐怖之年,正在形成的趋势当中存在哪些希望呢?

       iSuppli目前预测,与2006年相比,2007年NAND市场有望遭遇销售收入的紧缩。然而,对于2007年全年,NAND市场的市场状况不如可怕的2006年那么糟糕。

        随着生产放缓,(库存)增长受到控制,NAND市场有望在今年第二季度触底。这将提高供应商的利润。由于DRAM的利润依然高于NAND的利润,大多数DRAM供应商正在放慢NAND生产的增长,此举将刺激今年第四季度期间NAND供应的紧张程度,从而稳定价格和利润率。

        由于DRAM有吸引力的价格迫使个人电脑OEM在季节性销售旺季把更多的存储器安装在他们的系统之中,DRAM市场将在今年第三季度紧随NAND市场开始复苏。

不满之冬

       这对于在存储器市场中的每一个人来说都是严酷的时刻。对于存储器供应商来说,深层次的问题直到今年二月份才变得透明,当时SanDisk宣布它将裁员并减薪。

       由于缺乏任何可能导致快速复苏的因素,iSuppli保持其对DRAM和NAND供应商近期市场状况的“低迷”评级。

       然而,市场状况在第二季度应该改观,到那时对Vista的需求被物化并且高密度便携式媒体播放器(PMP)设备将被推向市场。

作者:NAM HYUNG KIM


    

iSuppli调高NAND闪存市场评估 市场经历半年消极转向中性

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来源:国际电子商情


     在最近六个月经历了严重的价格侵蚀后,NAND闪存供应商总算可以听到久未闻的好消息,iSuppli公司已调高了近期NAND闪存市场的评级。


     iSuppli将从2006年10月2日以来的“消极”评估转为“中性”,不久前iSuppli市场观察家认为闪存市场达到历史最低点,显示正处于市场拐点。

     iSuppli的NAND景气指数追踪影响市场状态的各种因素,这些因素最近进入积极范围,这是从2006年11月13日以来首次出现。

     iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示,“iSuppli调高NAND市场评级的主要原因是供应增速开始减缓,过去半年供过于求已经让价格严重下滑。韩国厂商三星电子和Hynix降低NAND生产增长速度,有利于市场供需平衡和价格稳定。”

       在2006年,这两家公司控制了全球63%的NAND市场,以及45%的DRAM市场份额,现在正在将他们NAND产能向DRAM转化。当DRAM运营边际利润超过NAND闪存时,韩国制造商在2006年第4季度开始加强了DRAM供应量。

       在需求方面,由于目前销售价格较低,OEM厂商预计会趁着低价购买更多的NAND闪存。他们预计2007年下半年存在市场短缺的隐忧,这种情况进一步阻止了价格下滑。

       虽然iSuppli已将NAND市场评级升高,但对近期的市场条件不能过度乐观。因此,iSuppli并没有考虑此时升级到“积极”。

       2007年第2季度,iSuppli认为韩国DRAM供应商不会将产能转回NAND闪存,因为他们相信2007年DRAM边际利润依然高于NAND闪存。

      这种情况在Hynix身上特别明显,由于缺乏300毫米NAND晶圆厂,其NAND闪存的边际利润更低。缺乏先进的晶圆厂,Hynix在推出16Gb NAND闪存方面落后于竞争对手三星和东芝,后者计划在第2季度推出16Gb产品。为克服这个挑战,Hynix最近宣布与闪存片制造商SanDisk建立合作关系。iSuppli估计这笔交易对SanDisk和Hynix都有积极意义。SanDisk可以获得额外的专利费收入和确保产能供应,而Hynix可以获得先进的技术以及筹集到晶圆厂投资。

        对于NAND闪存市场前景,iSuppli依然保持谨慎态度,拭目以待2007年第2季度市场表现。

晶圆代工台积电份额继续上升 中芯国际排名回落第四

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来源:国际电子商情


     据市场调研公司Gartner Inc.的排名,台积电(TSMC)在2006年提高了其晶圆代工市场份额,而新加坡特许半导体则收复了在该领域中的失地。


     2006年台积电的市场份额升至45.2%。台湾联电稳居第二,但市场份额有所下降。


     2006年特许半导体重夺第三的位置,超过了中芯国际(SMIC)。中芯国际回落到第四名,其下依次是IBM、韩国东部半导体、MagnaChip、anguard、HHNEC和X-Fab。东部半导体的名次从第八升至第六。

三星推出NAND型闪存新系列产品 多值化的灵活性增强

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【日经BP社报道】


      韩国三星电子(Samsung Electronics)将于2007年4月供货新款NAND型闪存“Flex-OneNAND”。该产品的特点是,设备厂商可根据用途自由设定成本与性能的平衡点。

  新产品的NAND型闪存单元中,2bit/单元的多值单元(MLC)与1bit/单元的SLC的比率可自由设定。例如,可将所有单元设为MLC,或者只将一半设为MLC。通常,MLC的容量大、1bit相应的单价便宜,但大多在速度以及擦写次数上稍逊一筹。SLC虽然速度快且擦写次数稍胜一筹,但容量小、1bit相应的单价高。新产品更便于灵活利用上述特性。迄今为止,MLC与SLC一直是作为不同产品来提供的。此次,该公司通过在1个元器件中提供两种产品,可减少产品种类数,便于大量生产。而设备厂商也更容易将同一种硬件的用途推广到多种设备上。首先计划供货最大4Gbit的产品。该产品面向中档手机等。

  元器件中作为缓冲嵌入了SRAM(6晶体管型),提高了最大传输速度。外部接口可与NOR型兼容。(记者:三宅 常之)

金士顿:后段封测厂合作对象 力成是第一选择 强调未参与华泰私募案 华泰仅是其众多供应商之一

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 来源:DigiTimes科技网


近期众多NAND型快闪存储器(Flash)产业相关厂商都亟欲寻找富爸爸,模块大厂金士顿(Kingston)表示,目前力成(6239)是金士顿在台湾唯一有出钱投资的后段封测厂,并没有参与华泰(2329)的私募案,由于力成目前产能满载,光是承接英特尔(Intel)和东芝(Toshiba)的委外释单,产能即相当吃紧,因此金士顿才会自近期起,将小型记忆卡的后端封测产能外包给华泰,未来金士顿的后端产能配置,仍会是以力成为第一优先。

金士顿指出,由于和力成是转投资关系,双方建立多年合作情谊,未来金士顿的存储器产品于后端封测的产能配置上绝对会以转投资的力成为优先考虑,假使再发生这种产能不够的情况,才会将订单给华泰,因此,力成绝对是金士顿优先合作的后段封测厂,不足之处才会找华泰。


金士顿进一步指出,华泰会成为金士顿在封测后端产能的第二来源,也是因为其产品的质量通过严格的考验,但目前双方仅止业务上的合作,以扮演的角色来看,华泰算是金士顿的众多供应商之一,而这次金士顿这次也并没有参与华泰的私募案,只有力成才是金士顿转投资。


近几年力成透过富爸爸金士顿的牵线,也与不少存储器大厂如英特尔、东芝、尔必达(Elpida)建立良好的合作关系,目前这些存储器大厂都是力成的主要客户群。


针对近期NAND型Flash价格大涨,金士顿由于与上游NAND型Flash大厂关系良好,包括东芝、三星电子(Samsung Electronics)、英特尔等都优先供应金士顿,加上之前在NAND型Flash价格低点之际,低价建立不少库存,因此面对这次NAND型Flash缺货,金士顿有足够的子弹在前方打仗。


展望3月营运,受惠NAND型Flash涨价的效应,金士顿目前不论是记忆卡、随身碟等,出货都相当畅旺,金士顿表示,预计缺货的情况会延续至第二季,后续要看苹果(Apple)产品iPod、iPhone等的销售情况,若是有延续旺季效应,NAND型Flash景气将可旺到下半年。