Archive - 八月 2006

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Spansion全球营运长Jim Doran 30日表示，目前Spansion全球代工厂仅台积电（2330）1家，而目前台积电为Spansion代工仅限于NOR型快闪存储器（Flash）架构产品，不过到了2007年，台积电将开始采用90奈米制程替Spansion代工ORNAND型Flash。他强调，虽然目前Flash产业区分为NOR及NAND型Flash 2大市场，不过，由于Spansion拥有ORNAND型Flash这项商品，未来将能有所突破，进军传统NAND型Flash市场。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.574828.139.1.1.html

2006.08.31　 工商时报 彭暄贻/台北报导

伴随需求提前浮现，DRAM现货行情愈烧愈旺；集邦科技昨（三十）日晚间最新报价，DDR2大涨三．四七％至四．一四％，DDR2 512Mb 64Mx8 ETT UTT均价达五．六八美元新高价，DDR2 512Mb 64Mx8 667MHz最高价格更来到六．一美元。在供需缺口持续支撑DRAM价格走扬之际，DDR2现货价波段有机会屡创新高。

DRAM产业受到来自PC市场需求的稳定上升，预计直到明年Vista上市时，DRAM价格都会呈稳定状况，加上全球12吋厂部分产能转到Nandflash，限制到DRAM的供给量，目前市场上呈现小幅供不应求的状况。

台湾DRAM厂商的各别表现。由于茂德在产能的扩充上尚有upside的空间，成长将来自于量的表现，力晶获利也不遑多让，惟偏大股本压抑EPS表现空间。

华亚科在cost down表现上优于其它厂商，良率高达八成，获利成长来自于良率的高水平上，成为市场关切焦点。

茂德下半年仍有产能扩张的实力，晶圆三厂的投片量持续增加，预计年底时产能可达90奈米制程三万七千片；明年第一季达四万片水平，转至70奈米后还可再增一万片。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.574830.139.1.1.html

工商时报 彭暄贻/台北报导

DRAM供给吃紧，各大厂营运水涨船高，吸引三大法人买盘再度进驻，昨（三十）日DRAM族群价量劲扬，主攻OEM、DDR2领先布局的南亚科（2408）涨停表态，股价创近一年新高，华亚科（3474）、力晶（5346）、茂德（5387）也连袂大涨，带动模块厂宏连科（3252）、宏亿（3079）及劲永（6145）亮灯表态。

集邦科技报告表示，DRAM市场因传统旺季来临，需求持续增加，供给面则因DRAM厂产出受限，使得供给缺口持续扩大，造成DDR2现货价格大涨。八月份PC业者已开始为圣诞节旺季作准备，推估八月主机板出货数字约较七月份成长九．九％；九月份主机板出货数字可望进一步上扬，带动DRAM现货市场需求，供需缺口将持续扩大。

看好下半年DRAM稳健活络市况，外资纷纷调高全球DRAM族群投资评等。德意志证券报告指出，日本DRAM大厂尔必达(Elpida Memory Inc.)因良好的外部环境及本身积极投资的态度将使其收益持续成长，将其投资评等由「观望」调升至「买进」，尔必达目标价从五千四百日圆上修至五千六百日圆。

此外，德意志证券亦将Elpida本会计年度(今年四月至明年三月)预估营益由原先的四百二十一亿日圆上修为五百一十九亿日圆，并将其次会计年度(明年四月至二○○八年三月)预估营益由三百四十八亿日圆，上修为六百七十亿日圆，而该股股价连续七日上涨，并创下近三个月来新高。

分析师指出，下半年全球DRAM厂商产出成长空间以台湾厂商居多，加上当前台湾DRAM厂商毛利率空间约三○％至四○％，表现明显优于其它国际DRAM厂商。在第三季业绩逐月挺高，获利空间稳健丰收下，股价行情看俏。

 本文引自博客论坛 http://bbs.bokee.com/Thread.1.574853.139.1.1.html

2006-08-31，2300科技

全球最大NOR闪存供货商飞索半导体（Spansion）昨（30）日表示，飞索日前已与台积电达成新协议，将委由台积电南科12吋厂，代工90奈米MirrorBit制程的闪存，预计2007年下半年导入量产，另外，除继续委由台积电量产NOR芯片外，布局NAND市场的重要产品ORNAND也将正式下单台积电。同时，由于飞索目前后段封测产能不足，晶圆测试（wafer sort）新订单也正式下单，将包下京元电产能。

NOR芯片大厂飞索半导体是由超微及富士通切割闪存部份合并成立的，2006年第二季营收冲上6.55亿美元，远远超过竞争对手英特尔，也稳坐全球第一大厂的宝座。2006年由于手机厂对NOR芯片需求大增，飞索除宣布在日本会津若松兴建12吋厂外，也决定扩大对台积电下单，而飞索进军NAND市场利器ORNAND产品，也将同步委由台积电代工。 (拓墣产业研究所提供)

2006/8/31‑ 2300科技http://bbs.bokee.com/Thread.1.574855.139.1.1.html

行动电话等储存信息用NAND Flash价格下滑走势出现趋缓之可能性。主要原因在于携带型音乐播放机为主力之年底旺季采购交易逐渐热络。 4-6月NAND Flash之合约价格，容量4Gb产品一颗2000-2200日圆，平均价较1-3月下跌12%，然8月以来，需求再度浮现。美国频果计算机预计秋季推出iPod新产品，日本半导体大厂表示，实际上新产品用之NAND Flash订单已开始接洽敲定。而Sony等竞争厂商也展开年底旺季备料采购，相关需求逐渐增加。 (拓墣产业研究所提供)

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.574859.139.1.1.html

2006/8/31  2300科技

三星电子日前表示，已开发出符合ITU的标准的4G行动通讯技术，可提供“行动中100Mbps、静止时1Gbps速度”的新一代行动通讯服务，将于9月１日在“三星4G论坛2006”中公开试演，计划于2007年周波数决定，于2010年完成标准化后，开始进入商用化。

据了解，三星电子此次开发出的4G技术，速度为原有.4Mbps的3G (WCDMA)的50倍，是50Mbps级的超高速网络VDSL的2倍。(拓墣产业研究所提供)

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.574860.139.1.1.html

2006年08月31日 电子工程专辑

奇梦达(Qimonda)与华邦(Windbond)电子宣布，双方已就80奈米DRAM制程技术移转，以及12吋厂DRAM产能合作签署协议。依据新签订的协议，奇梦达将把该公司80奈米DRAM沟槽式技术(trench technology)，移转予华邦位于台中中科的12吋晶圆厂使用，而华邦则将以该技术提供奇梦达计算机应用方面的DRAM产能。

华邦与奇梦达公司签署80奈米制程技术移转，预期在2007年第二季量产；在此之前，双方已分别于2002年5月以及2004年8月签署过合作协议，奇梦达将移转并授权华邦110与90奈米的DRAM沟槽式技术，华邦也会于该公司新竹8吋晶圆厂与台中的12吋晶圆厂导入此生产技术。

华邦并表示，与奇梦达签订的80奈米制程技术移转，未来将主要做为生产内存产品进阶制程技术所需，预期未来在华邦12吋厂将肩负起关键制程的角色。华邦亦将持续以现有DRAM制程技术为核心，发展低耗电(Low Power DRAM)、Pseudo SRAM及闪存等利基型产品，抢占行动电话等可携式电子产品内存市场。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.574861.139.1.1.html

2006年08月31日   电子工程专辑

 DRAMeXchange发布最新的DRAM市场行情指出，上周DDR2现货价格大涨，而DDR2现货价格也超越合约价格形成黄金交叉。NAND Flash现货价格则出现止跌迹象，能否持续往上修正价格仍待观察。

在DRAM需求方面，DRAMeXchange表示，8月份起上游主机板业者开始感受到传统旺季来临，主要原因在于PC业者已经开始为圣诞节旺季作准备。因此8月份主机板出货数字预估可望较7月份成长9.9%，预计9月份主机板出货数字可望进一步上扬，进而带动DRAM现货市场需求。而在通路商以及模块厂勇于追价下，DDR2现货市场需求明显转强，尤其是DDR2 667MHz颗粒更是炙手可热。

目前DRAM市场因传统旺季来临，使得需求持续增加，而供给面则因为DRAM厂因产出受限，使得供给缺口持续扩大造成DDR2现货价格大涨。而DRAMeXchange预期9月份供需缺口将持续扩大，因此9月份DDR2合约价格仍有上涨空间。

另一方面，NAND Flash现货市场在上周一时仍呈现买气低迷的情况，但周二开始市场的供给端出现货源短缺的现象，在市场需求端对4Gb规格的需求持续增加的情况下，市场上的卖方开始将价钱抬高，因而带动整体NAND Flash现货价格往上调整。到了上周三和周四时，NAND Flash现货市场的需求出现较为活络的现象，供给端开始出现有点紧缩的状态，各种规格价格向上修正的情况也越加明显。到了上周五时市场的需求开始减少，除了4Gb外其余产品规格的现货价又开始往下修正。

整体而言，现货市场目前仍在消耗先前过剩的库存量，至于何时能完全消耗完毕还需一段时间观察。DRAMeXchange认为只有当市场过多的库存量降到合理的库存水位时，配合NAND Flash供货商采取适当的供货手段，才能在接下来的消费性电子商品旺季中产生现货价格往上的趋势，至于这种情况是否会出现，九月份的现货价格表现将是重点。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.574863.139.1.1.html

2006/08/30台视新闻

受惠DRAM的价格涨幅明显，不仅台四家DRAM厂，下半年的展望乐观，也让下游三家记忆封测厂，八月份的营运可望续创新高。

继八月份DRAM合约价格小幅成长，这个礼拜的DRAM现货价格也接续上一周的表现，涨声不断，其中又以最高阶的DDR2 512Mb667标准型产品，涨幅最明显，市场人士认为，DRAM现货价出乎意料持续调价，显示市场需求非常强烈，在缺货帮助，九月份的合约价也势必再上扬，带动终端计算机市场也慢慢走出低价化，往高阶市场发展。

受惠DRAM市场下半年景气明朗，<股价> DRAM类股涨势从国际市场上的奇梦达、美光一路袭卷到台湾地区的四家DRAM业者，其中又以南科涨幅最大，以涨停作收。

至于下游封测业则是以力成股价表现最强劲，开盘不久就拉高到涨停价，力成受惠尔必达、力晶与茂德产能大量开出，不仅每月产能稳定扩充后还一直维持在满载水位，连闪存也有东芝与ＳＡＮＫＤＩＳＫ（新帝）贡献，产能也有九成水平，预计力成八月份营收将递创１５亿元的历史新高记录， <力成科技董事长 蔡笃恭> 另外泰林科技有韩国海力士与茂德订单到位，新厂产能开始贡献业绩，下半年订单已回复到年初的热度，预计八月份与新上柜的华东科技都有令人期待表现。

来源：http://www.enet.com.cn/article/2006/0830/A20060830177414.shtml

韩国三星公司近日宣布即将量产80nm制程1Gbit DDR2内存颗粒。现有的1Gbit内存芯片都在90nm下制造，尺寸为11X18mm。而新的80nm 1Gbit颗粒面积则只有11X11.5mm，封装后尺寸接近于原有的512Mbit颗粒。由于尺寸的减小，成本及售价也会降低。由于1Gbit内存颗粒通常会16颗一起组成2GB容量内存条，一次此举即将导致市场2GB和4GB内存条的售价下跌.......