Archive - 三月 2006

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原本也属全球排名前几大的NAND型快闪存储器（Flash）供应商瑞萨（Renesas），先前便已宣布不再投产4Gb以上产品，然近来市场又传出瑞萨除确定不再投产外，也将全面退出NAND型Flash市场，并逐步将其客户及技术转移至其重要策略伙伴力晶（5346），目前则以销售现有手上库存为主，对此力晶发言人谭仲民则表示不予评论，一切均还是依照当初双方所签订合约，并没有任何改变。

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据市调机构IC Insights报告显示，2005年NAND型快闪存储器（Flash）市场规模突破100亿美元大关，而NOR型Flash在2005年销售额仅为80亿美元，较2004年衰退13％，NAND和NOR型Flash市场一荣一枯局面，形成强烈对比。此外，海力士（Hynix）、美光（Micron）表现突飞猛进，销售呈现倍数成长，表现耀眼。

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市场研究公司iSuppli昨（28）日公布电子供应链中的半导体库存报告，预期今年第一季整体库存低于先前预估水平，将激起一波新订单买盘。

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NAND型快闪存储器（Flash）自2006年以来的价格走势，重演2005年第一季DRAM报价的表现，且跌幅又快又猛，相较之前DRAM走势可谓是有过之而无不及，然受伤最重的，莫过于存储器模块厂了！

来源：http://china.nikkeibp.co.jp/china/news/news/semi200603270106.html

尔必达内存(Elpida Memory）日前开发成功了使用90nm半导体技术制造的512Mbit XDR DRAM，并宣布已完成了批量生产准备。

来源：http://www.enet.com.cn/article/2006/0324/A20060324515791.shtml

AMD放弃DDR2 667的原因在于，AMD希望在推出Socket AM2处理器的时候，DDR2内存的延迟性问题已经降低到DDR1的水准，延迟性最多有2.5或者3，但是DDR2内存的发展出乎AMD的意料，AMD只有采用速度更快的DDR2内存来解决这个问题。AMD通过更新处理器微代码，还将支持速度更快的DDR2内存。

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全球NOR型快闪存储器（Flash）供应商Spansion于昨（23）日举行ORNAND型Flash新产品发表会，无独有偶地，全球NAND型Flash大厂三星电子（Samsung Electronics）也于本周举辨行动解决方案年度论坛（Mobile Sultion Forum），双方较劲意味浓厚。

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微软（Microsoft）决定延后家用版操作系统Vista，预期将不只对于戴尔（Dell）等个人计算机（PC）大厂造成影响，包括三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）2大DRAM厂商，原本期待Windows Vista能够带动PC硬件升级风潮、挹注DRAM销售表现，如今买气可能因此受到冲击，三星和海力士22日股价立即反应，不约而同向下走跌。

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三星电子（Samsung Electronics）半导体事业群总裁黄昌圭于21日举行的行动解决方案年度论坛（Mobile Solution Fourm）中表示，并不认同市场分析师对2006年全球NAND型快闪存储器（Flash）恐将供过于求的看法。他表示，即便全球各大国际DRAM厂，前仆后继将DRAM产能转投NAND型Flash，但市场需求却也随著之增加，目前可看到的是在行动化产品市场增加，对NAND型Flash需求也快速拉高，因此他个人并不担心供过于求的问题。

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据路透（Reuters）报导，全球存储器大厂海力士（Hynix）预期，2006年第一季NAND型快闪存储器（Flash）价格跌幅将会逾25％，价跌速度超乎原先预期。