Archive - 二月 2006

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亚洲内存现货市场今天出现不同变化，原先惨跌的DDR与NAND Flash两项产品，都有止跌反弹的表现，其中NAND Flash高容4Gb以上全面翻扬，利多今牵动Flash大厂威刚(3260)止跌弹升，而力晶 (5346)、茂德 (5387)也在DDR止跌的利多带动，盘中都有由黑翻红的演出。

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尽管近来NAND型快闪存储器（Flash）价格呈现疲弱走势，但供应商似乎仍看好未来市场成长前景，市调机构American Technology Research分析师日前传出全球快闪记忆卡大厂新帝（SanDisk）拟与东芝合资兴建第二座12寸晶圆厂，扩产NAND型Flash，预定在2006年底动工，2007～2008年间加入投产行列

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据集邦科技现货市场价格资料显示，2006年1月24日-2月21日期间，高低容量的NAND闪存价格跌幅分别从7％-27％不等。由于近期NAND闪存止跌无望，日前各业内人士都在担心NAND Flash景气走滑。 目前市场关于NAND闪存的走势预测皆显悲观，市调机构Gartner分析师指出，因NAND Flash价格第一季度跌幅将会超过30％，第二季度初又恐继续再跌。市调机构Macquarie Research甚至大胆推估全球NAND Flash产能过剩情况恐将一直延续到第三季，由于2006年上半的库存仍待出清，分析师认为只有寄望2006年下半旺季因素才能支撑NAND Flash价格。

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存储器龙头大厂三星电子（Samsung Electronics）2005年第四季才将DDRII产能陆续转到NAND型Flash，誓言全力冲刺NAND型Flash市占率，然2006年第一季却出乎意料外政策大转弯！

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据集邦科技（DRAMeXchange）现货市场价格资料显示，光是在2006年1月24日～2月21日期间，高低容量的NAND型快闪存储器（Flash）价格跌幅分别从7％～27％不等，日前市调机构Gartner分析师更指出，NAND型Flash价格第一季跌幅30％还不够看，第二季初恐怕还会再跌！这与三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）等供货商寄望第二季止跌回稳的说法，正好背道而驰。

来源：http://biz.163.com/06/0221/16/2AGHOGP000020QEE.html

三星电子是韩国股票市场一支最大的股票，它的市场价值已经达到1030亿美元。

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受惠DDR2需求畅旺，南科(2408)副总白培霖表示，目前南科2月下旬合约价已经上涨10％，比集邦科技预估的5％左右的涨幅还高，且目前看来2月下旬的供给缺口已有10％，预估三月上旬还会有3成的供给缺口，且届时DDR2价格还会再有2位数成长。

来源：http://www.discloser.net/html/187477,77874720.html

全球第五大半导体厂商——意法半导体本周三宣布，将投入5亿美元，在深圳龙岗宝龙工业区兴建新的芯片封装测试厂。

来源：http://tech.tom.com/2006-02-17/003B/07460363.html

【eNet硅谷动力消息】全球最大的闪存芯片制造商三星电子公司表示，今年第一季度全球闪存芯片价格下滑的幅度比预期更为明显，价格下滑将刺激闪存芯片需求的增长，今年下半年闪存芯片预期将出现匮乏。

来源：http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=9E21127755B5E610482571170047C4BB

随着新的竞争者不断加入，原有重量级大厂纷纷大喊扩增产能，看来2006年的NAND型闪存（Flash）市场战况，可说是半导体业界最引颈期盼的一出戏码！然而在供给不断攀升走高的同时，业界却浮现2006年供给过剩的声音，并传出Sony掌上型游戏机PSP将以硬盘取代NAND型Flash的消息，恐将使需求成长不若预期，顿时引发业界一阵恐慌与骚动，三星电子（Samsung Electronics）、海力士（Hynix）及东芝（Toshiba）的股价也立刻应声倒地。