Archive - 十一月 2006

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全球SDRAM市场在经过一段不错时间后，原本市场认为接下来SDRAM市场应可望平步青云，不过目前这样的预期却出现变化，钰创（5351）董事长卢超群表示，目前看来整体市场需求量依然还是存在，但由于一些韩系存储器大厂及二线IDM厂看来似乎又开始有转回SDRAM市场讯号，因此目前客户端在价格上要求似乎出现压力，预期这样的动作恐将发生在2007年第一季起，也就是说届时价格恐将面临挑战。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.681534.139.1.1.html

2300科技  2006/11/30

半导体用硅晶圆合约价交涉趋向短期化发展。以海外市场为主的交涉，由原本半年左右变更为3个月的厂商增多。需求以半导体内存用途为中心，维持热络，而原料之多晶硅价格持续高涨。厂商希望藉由价格交涉频率的增加，以便价格的转嫁。硅晶圆得主要大厂包含信越半导体、SUMCO、美国MEMC、德国Siltronic等。

日本之合约价目前称为「Epitaxial Wafer」的高级品，12寸产品一片为250-300美元，8寸产品一片则为70-90美元左右。而由于韩国、台湾业绩亮丽的半导体厂商较多，采购价格较日本稍高。硅晶圆厂商表示，以确保足够数量较价格优先的客户相当多，因此价格交涉期间缩短的方式已被接受。美国MEMC、德国Siltronic对日本市场的销售，采3个月交涉的情况亦增多，未来成为固定方式的可能性增高。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.681517.139.1.1.html

台视新闻  2006/11/29  报导记者：李佳玲   

DRAM模块厂创见，11月在欧、美通路，需求稳定带动下，法人预估，创见单月营收，有机会再创新高。

创见超高速行动碟日前宣布可以来支持新一代Vista操作系统中的Windows R Ready Boost技术，除了可以加快开机及程序执行速度，还可用来提升个人计算机整体效能，增加硬盘使用寿命。

包括创见在内，各家DRAM模块厂十月都受到大陆十一长假，影响营收表现，不过11月内存模块及记忆卡、随身碟产品销售都有明显成长出现，DRAM模块厂11月营收业绩可望回升，法人推估创见11月营收，有机会回到9月历史新高表现。

市场预期明年第一季的Vista效应销售强劲，家用版Vista上市，内建内存容量基本要求在1G以上，使得OEM大厂纷纷被迫上修内存搭载容量，市场更是预估了今年到09年，DRAM将会是成长最迅速的产品，复合成长率将超过14%；对DRAM模块厂来说，明后年的营收获利的确是令人相当期待。

台视新闻  2006/11/29  报导记者：李佳玲   

DRAM模块厂创见，11月在欧、美通路，需求稳定带动下，法人预估，创见单月营收，有机会再创新高。

创见超高速行动碟日前宣布可以来支持新一代Vista操作系统中的Windows R Ready Boost技术，除了可以加快开机及程序执行速度，还可用来提升个人计算机整体效能，增加硬盘使用寿命。

包括创见在内，各家DRAM模块厂十月都受到大陆十一长假，影响营收表现，不过11月内存模块及记忆卡、随身碟产品销售都有明显成长出现，DRAM模块厂11月营收业绩可望回升，法人推估创见11月营收，有机会回到9月历史新高表现。

市场预期明年第一季的Vista效应销售强劲，家用版Vista上市，内建内存容量基本要求在1G以上，使得OEM大厂纷纷被迫上修内存搭载容量，市场更是预估了今年到09年，DRAM将会是成长最迅速的产品，复合成长率将超过14%；对DRAM模块厂来说，明后年的营收获利的确是令人相当期待。

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台视新闻 2006/11/29  报导记者：何锦芳

由于英特尔减少低阶865计算机芯片组，使得DDR1内存需求大幅降低，第四季的普及率已降到二成水位，相对主流产品DDR2需求上扬，乐观景气已看到明年第一季。

为了冲高第四季计算机销售量，英特尔祭出提升高阶计算机芯片组，来刺激买气，因此 带动DRR2的需求逐渐上扬，不过第一代的DDR1内存也因为需求衰退，这一季正式成为次世代产品，因此尽管部份业者减产DDR1，不过因为流通量已降到22%，价格呈现小幅下滑， 根据市调机构集邦科技指出，由于戴尔、惠普等计算机系统厂要货积极，因此向南科、力晶DRAM业者的合约从半个月，向上提高为一季的出货计划，因此即使三星等业者80奈米产品可望顺利获得验证，增加DDR2的供给量，不过 DDR2的市况在明年第一季仍会维持稳定的景气，为南科、力晶与茂德注入一剂强心针。

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台视新闻  2006-11-29

获得中国大陆政府支援的中芯国际半导体，近来扩张市场版图动作频频，除了取得以色列大厂的闪存制造专利，逻辑产品也正式跨入65奈米制程，与晶圆双雄正面宣战有了政府的承诺，中芯不再是一只无孤的小鸟，不仅向台积电提出专利反控告，明年的主流制程65奈米，则成为中芯下一阶段的重要策略，向国内晶圆双雄台积电、联电宣战；中芯已经向以色列的美商应用材料，订购65奈米先进制程设备，金额约在1.16亿美元，是应材以色列分公司成立十年来最大的一笔订单，目前中芯90奈米制程占总出货量的5%，明年约能达到2位数的出货量，显示中芯正在为2007年布局，加上新加坡特许半导体65奈米制程也将放量成长，随着晶圆代工4强不约而同在65奈米制程到位，变数增多、竞争也将转趋激烈。 不仅逻辑代工布局中芯不歇手，为了和国内DRAM厂一较高下，中芯上周才和以色列闪存厂SAIFUN技术授权签约，进军高容量的8Gb闪存，一方面获利率较标准型DRAM内存好，另一方面提前国内业者布局NANDFLASH，抢得商机。中芯国际总裁暨执行长张汝京上周密集访问以色列，除与闪存（Flash）授权业者Saifun签订高容量8Gb技术授权协议，张汝京更藉此行拜会全球最大半导体设备供货商应用材料（Applied Materials）以色列分公司，双方签订金额高达1.16亿美元采购合约。

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联合晚报 2006-11-29 记者张家豪/台北报导

美林证券今日调升全球内存今明两年销售预期，成长率分别可达28%和19%，高于原先的21%和16%数值。美林驻南韩半导体产业分析师禹东济指出，微软Vista 明年上市以后，每台计算机内存需求量至少会增加到1.2GB ，加上NAND PC应用上路，业者供应增加速度有限，DRAM报价明年只会有限度下滑22%。

美林建议加码三星、海力士、力晶 (5346)和南科 (2408)等获利性佳或资本报酬率高的标的，至于美光或有小幅上扬空间，英飞凌、尔必达、SanDisk和Toshiba因股价过高，维持「中立」。

美林建议一反摩根士丹利本周才提出「准备获利了结DRAM」的想法。禹东济指出，DRAM产业明年还有持续成长空间，有两个很重要的理由：一是8吋老厂汰旧换新，二是新制程学习曲线较长，且Vista和Nand-PC应用浮现，每台PC至要需要搭配1.2GB-2GB的内存容量。

事实上，第4季以来，DRAM的销售额已较去年同期成长50%以上，禹东济预期，今明两年DRAM销售额可成长31%和22%，高于先前的22%和16%，领先NAND。而明年供过于求的情况不易发生，业者的资本支出又只有17%，后年可能会陷入-16%，远低于今年的42%水平，DRAM报价只会下滑22%，和2000-2005年均价相较，只减少了26%左右。

禹东济认为，DRAM股价因为第4季业绩亮眼，股价颇具吸引力，而Nand相关的个股要到明年下半年起，才会有较好的成长。投资人不必过度担心成长迅速趋缓的问题。

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工商时报  2006.11.30　 黄邦/台北报导

与去年一路旺到年底的盛况相较，今年十一月业绩创新高的IC设计公司却屈指可数，显示今年IC设计业旺季提前降温；不过，业者表示，如此一来，反而有助于提高明年首季淡季不淡的期待。

就目前业者的反应来看，十一月业绩确定创新高的业者，市场原本寄望颇高的模拟IC族群中，模拟科因TFT面板厂客户持续出货、今年GPS呈跳跃式成长，将顺利如愿，茂达也因新产品及华硕等新客户加码下单，有机会以些微幅度连庄，不过，与先前期望的三亿元却仍有落差，而立锜与致新二家备受瞩目的业者，都确定今年高点落在十月；主攻PC领域的富鼎，更在九月便已见高点。

在USB相关的业者中，第三季「先休息」的安国，在卡片阅读机、大拇哥等控制芯片恢复正常出货下，十一月业绩将继八月以后再度创新高，另外，近来业绩令市场相当惊艳的群联，受NAND Flash降价二到三成，ASP下滑影响，大约仅能维持十月高峰附近水平；创维在十月PS3密集出货后，十一月业绩也不易再见高潮。

数字机上盒控制芯片是十一月较抢眼的族群，在中国客户迎接中国农历年旺季备货下，扬智与其乐达十一月营收也有继续向上挺进的实力；另外，今年因任天堂游戏机Wii而业绩发光发热的原相，十一月也备受期待。

十一月创新高的IC设计业者家数急速萎缩，十二月则有年中盘点因素，只有极少数特殊的业者有创新高机会，与去年相较，今年呈提前降温现象。

不过，业者却认为不是坏事。富鼎指出，今年底提前降温，部分受市场等Vista作业软件因素影响，而Vista预计于明年首季推出，先降温反有助于明年首季淡季不淡。

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中国时报 2006.11.30　林上祚/台北报导

美林证券昨日发表半导体业研究报告，美林预估，由于DRAM第四季销售量，较去年大幅成长五成，使得美林对明年DRAM与NAND闪存需求转趋乐观，预估DRAM与NAND明年营收将成长19%，台湾的DRAM股中，美林最看好力晶与南科。

由于第四季DRAM销售状况超出预期，美林最近调升DRAM与NAND销售成长率，明年销售成长率则从16%提高为19%。

美林证券表示，目前DRAM价格异常走高，明年走入淡季后，DRAM价格将会下跌22%，跌幅较过去五年的26%略为温和，除了拜主要厂商在产能扩充上相对自制外，微软新窗口平台Vista的推出，也是带动DRAM与NAND需求的主因。

由于明年出货的计算机中，有三到五成配备Vista操作系统，以目前市场规格Vista配备2GB内存，非Vista计算机内建1GB内存计算，美林预估，明年每一台计算机平均内建DRAM内存容量，将从今年的0.8GB提升为1.2GB。

DRAM与NAND厂商资本支出，经过今年成长大幅成长42%以后，明后年已经转趋自制，美林预估，明后年半导体业的资本支出将降到17%与16%。尽管DRAM与NAND厂商总出货量将成长56%。

在所有DRAM与NAND类股中，美林较看好三星、海力士、力晶与南亚，东芝、美光、英飞凌与日商Elpida。

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联合晚报 2006-11-30 记者严雅芳∕台北报导

市场传出韩DRAM大厂三星、海力士在SDRAM产品价格止跌回升后，有意重返SDRAM市场。台内两大SDRAM供货商晶豪科(3006)今日早盘股价被此利空消息掼压至跌停，钰创(5351)也一度逼近跌停板价位。市场忧心，好不容易在产品价格回升后，获利大跃进的台SDRAM供货商春天来的短暂，一但韩厂重返战场，可以预见晶豪、钰创获利将受压缩。

晶豪科表示，包括南韩三星、海力士等一线DRAM大厂本来就未全面放弃SDRAM市场，一直都是有在供货，只是比重是否提升。晶豪科第三季毛利率大幅提升，主要来自制程改善，会是较长远的成本调整效益，第四季仍有机会维持第三季毛利率表现。法人则是忧心，国际大厂一但提高SDRAM比重，确实会对价格带来冲击。

晶豪科因第三季获利暴冲，11月以来股价涨幅近5成，表现相当强劲，主要就是受惠DRAM标准型市场表现热络，导致利基型内存 (SDRAM)市场景气同步好转，并因国际大厂专注于DRAM标准型市场，让SDRAM供给面得以持续减少，并激励平均报价持稳走扬，配合传统的消费性电子产品旺季效应，让市场对SDRAM市场转趋乐观。

市场原预期，SDRAM供货商在耶单节订单畅旺下，营运可望更上层楼，第四季出货量将较第三季增加。如今，在韩厂投下变量下，会为SDRAM这个浅碟市场带来如何的冲击，市场还在观望。

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时报资讯 2006.11.28 【时报-记者李宜儒综合报导】

由于月底厂商结帐压力，NAND Flash现货供给大增，但是买盘进场意愿不高，市场交易清淡，NAND Flash报价也随之走跌，其中16Gb昨天单日大跌近3%，均价来到27.43美元，另外1Gb也下跌逾2.5%。市场人士认为，目前买盘所愿意购买的价格仍低于卖方的理想价格，造成交易量萎缩，预料NAND Flash仍将维持下跌走势。