Archive - 十月 2006

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.645443.139.1.1.html

2006.10.31　 工商时报 彭暄贻/台北报导

    第三季DRAM行情攀升，烘托DRAM厂商营运丰收，模块厂商第三季营运转亏为盈，获利成长倍增者也大有人在；除宏连科（3252）持平外，模块厂商第三季营运成长幅度高达三二％至五六○％。其中，劲永（6145）在日系大股东进驻后，强化日本销售通路，以及体质改造策略奏效，第三季毛利率从上半年○．九九％，大幅提升达三．○七％，单季获利成长近三成，每股税前盈余达一．四四元。

    综观模块厂前三季整体营运，模块双雄威刚、创见因DRAM、FLASH双轨策略运作灵活，表现最为亮眼，获利伴随业绩规模逐步放大，较去年同期成长五一％、六八％之多，蝉联族群冠、亚军宝座，至于劲永、宏亿及商丞，EPS均达一元以上表现。  

    劲永前三季每股税前盈余一．一二元；若以第四季业绩、获利持平的表现推估，全年每股税前盈余可望上看二．五元水平，营运转机题材明显。

    创见第三季获利比第二季成长三二．七二％；前三季税后盈余较去年同期大幅成长六八％之多，EPS五．一五元，超越去年全年表现。大陆上海厂已有二条SMT线开始量产，预计年底前可达四条SMT线，有利第四季营运更上层楼。

    不同于创见、威刚的营运大规模，商丞、宏亿为中小型模块厂商中，表现相对稳健者；其中宏亿第三季获利四千六百万元，表现超过上半年获利，前三季获利也较去年同期成长三七％，EPS一．四五元，超过去年全年一．二四元水平。

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2006.10.30　 今日晚报【时报-记者李宜儒综合报导】

    受到需求不振影响，DRAM报价近期跌势颇重，DDR2 512Mb eTT一度跌到4.93美元，不过部分买盘也趁机进场，DDR2 512Mb eTT又重新站上5美元，来到5.10美元。以目前供需情况来看，主要还是为因应圣诞节需求，合约市场供给比较吃紧，至于现货市场则相对宽松许多。最新报价，DDR2 512Mb eTT，上涨0.99%；DDR2 512Mb 667MHz，上涨0.16%。(新闻来源：商品行情网www.info-cip.com)

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2006.10.30　 今日晚报  【时报-记者蔡乙萱台北报导】

    受到NAND Flash市场成长率恐将下滑影响，DRAM族群早盘涨跌互见；其中南科(2408)早盘则在买盘护航下，独自小红；华亚科、力晶(5346)、茂德(5387)则是开低震荡；华邦电(2344)则在平盘下方游走；茂硅(2342)开低翻红震荡，早盘相对抗跌。

    由于日韩大厂相继扩充12吋Flash产能，而台湾DRAM大厂也都接近大量出货期，IDC的调查报告表示，新系列iPod延后上市，将冲击今年NAND Flash的成长率，预估今年的产值将较去年衰退17%，并推估明年成长率也仅约3%，成长趋缓；在未有杀手级的应用产品出现下，点名力晶、茂德、华邦电的相关接单与代工报价将受影响

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2006.10.30　 今日晚报 【时报-记者李慧兰台北报导】

    美第三季经济成长率创逾3年来低点，加上受制于DRAM厂月底清库存压力影响，10月中旬以来DRAM现货价持续下滑，冲击DRAM族群今日悉数跟随台股开低盘整，尤其创见(2451)空方卖压沉重，早盘股价跌幅频频逾2.5%，表现垫底；惟南科(2408)、茂硅(2342)挟基本面亮丽撑腰，股价一度逆势小涨，表现抗跌。

    由于本周上旬DRAM厂仍有出货压力，预计现货价走势仍有下跌空间，可能要等到时序进入11月后，DRAM厂开始准备合约市场出货，价格才有止跌空间。至于11月上旬合约价部份，因现货及合约间价差仅存0.3美元，合约价续涨空间不大。

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世界日报 2006-10-30

【本报台北讯】传统季节性买盘及微软Vista双题材刺激市场需求，DDRⅡ现货价维持5.5美元高档，10月合约价平均上涨5%，加上DRAM厂本身90奈米良率、产出又持续提升，力晶、茂德、南科、华亚科10月营收可望同步再创历史新高。南科表示，合约市场需求仍相当强劲，合约市场供给缺口达三成以上，第四季合约价仍有上涨空间。

其中力晶10月营收将连续第二个月冲破百亿元，单月营收估计成长3%到5%，不仅再创台湾DRAM厂纪录，第四季单季营收更可能超过联电，成为台湾半导体厂二哥

来源：http://china.dramexchange.com/Community/forums/thread/4339.aspx

受制于DRAM厂月底清库存压力影响，十月中旬以来现货价持续下滑，上周下半跌势则加重，由于本周上旬DRAM厂仍有出货压力，预计现货价走势仍有下跌空间，价位应等到时序进入十一月后，DRAM厂开始准备合约市场出货，价格才有止跌空间。至于十一月上旬合约价部份，因现货及合约间价差仅存○．三美元，合约价续涨空间已小。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.644424.139.1.1.html

2006.10.30　 中国时报
王宗彤、刘宗志/台北报导

    今年第三季财报公告进入倒数阶段，统计至昨(29)日止，包括大立光、可成、威刚等个股前三季每股税后盈余(EPS)在10元以上，总计有11档个股EPS在5元以上，获利表现亮眼。

    今年前三季涨幅最强的前20档个股中，反而是中小型股挂帅。法人分析，第三季获利率高的公司以电子股居多，不过与去年同期相比，大幅成长力道反不如中小型利基股，今年的飙股不像去年以高价电子股挂帅，而是转为中概、营建、以及题材面的个股。

 根据统计，截至29日为止，已公布第三季季报公司中，前三季每股已经赚了半个资本以上的有11档，其中大立光、可成、威刚表现勇猛，前三季表现提前达阵，每股已赚了超过一个资本以上，几乎也都超过去年一年所赚的，这11档个股获利表现的确亮眼。

    不过，若将今年前三季税后盈余表现与去年同期相比，以倍数成长，且EPS在5元以上的只有大立光和威力盟。

    23档获利倍于去年

    至于其它今年前三季获利表现与去年同期相较是倍数成长的个股有23档，反而是以中小型股为主，在「基本面」题材成当前主流下，这些个股中更是有19檔10月来股价涨幅超越大盘，相对亮眼。

    若再搭配上今年来股价涨幅最多前20名个股来看，几乎是中小型或具题材个股上榜；有些是转亏为盈的转机股，在业绩题材想象空间加大之下，股价涨幅更为强劲。

    另外，传产股今年业绩表现大幅进步，观察外资与投信买超前20档飙股中只有6文件是电子股，其余都是传产、营建股，这也是为什么今年有些传产股股价能与电子股平起平坐的主因。

    具题材中小型股飙涨

    综合分析，以往深受市场青睐的高价股今年退出高成长的主流，正说明下半年高价股行情退烧的原因。

    日盛投信表示，从近期重量级电子公司法说会所透露出的后市展望来看，有趋向保守的趋势，晶圆代工业受到PC客户仍在等待Vista导致订单递延，加上消费性电子需求出现减缓，估计第四季产能利用率及ASP皆有下滑压力。

    至于封测业部分，第四季恐将出现旺季不旺情形；面板方面，若供需失衡无法改善的话，售价恐将仍有下跌压力；至于手机产业，因为毛利率的问题，加深市场对该产业的疑虑。

    法人认为，从电子业的法说会讯息尚未看出大利多，但就大盘的技术面来看，大盘仍是在中多的格局内。投资人要注意，在电子、传产双主流态势形成下，建议传产、电子平衡布局，而以获利大幅成长及10月营收有机会创新高的个股，逢低介入，而不是只迷信高价股的高成长率。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.644425.139.1.1.html

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.644426.139.1.1.html

2006.10.30　 中国时报
王宗彤/新闻分析

    DRAM族群今年第三季季报交出好成绩单，但是股价反而利多不涨，尤其厂商单季毛利率都有3成以上水平，对DRAM厂而言，可以说是「多年难得一见」，但是10月来外资大手笔卖超。这样的情况令投资人不解。

    多数分析师认为，虽然DRAM厂的获利表现的确值得赞赏，不过因为厂商的毛利率冲高，抵不过族群筹码庞大卖压，所以才会有利多不涨情况。

 DRAM股今年来因为厂商技术进入到新世代制程，生产成本降低，加上DRAM需求起，DDR2变成主流规格，第三季报价更是在高档未退，因此摊开季报表现来看，DRAM厂商的毛利率都在4成以上水平，除了华邦电和南科。

    不过，厂商这种高毛利的表现「不是常态」，因为第三季有部分厂商制程转换不顺利导致「产量」的限制下，因此第三季价格才会居高不下，造就厂商高毛利率的表现。因此看到厂商第三季毛利率高水平的表现，与往年DRAM厂卖一颗赔一颗的营运很难联想起来。

    整体而言，Vista效应导致PC需求的递延，加上新产能产出有限，可以说DRAM厂的荣景到明年第一季都还不错，有变量的话恐怕要看明年下半年，届时将面临厂商新产能开出，加上Vista上市后的需求反应。虽然DRAM厂的高毛利的确令人激赏，不过因为厂商持续办理增资，以及面临可转债的筹码压力，超过市场对厂商高毛利的期待，因此，才会有季报公布后，反而引发利多出尽的卖超动作。

    一般投资人看季报投资DRAM股是越来越难操作，因为法人更重视可转债的筹码压力，利多反而是出股票的时刻。

本文引自博客论坛http://bbs.bokee.com/Thread.1.644427.139.1.1.html

2300科技新闻网

新闻提要：

力晶董事长黄崇仁认为，从供给面来看，目前的主要大厂包括三星、海力士、美光等，为争夺NAND Flash市占率，新增产能仍会以Flash为主，加上DRAM技术发展至90奈米，现有8吋厂陆续除役，都将使DRAM产能增幅有限。在需求方面，黄认为，明年在次世代游戏机、Vista、3G手机及数字电视等，是四个带动DRAM需求成长的应用，如3G手机，对内存的需求量增加，增加容量虽不如个人计算机来得大，但每年手机的出货量是个人计算机的5倍，需求量自不容忽视。

新闻来源：联合报，2006/10/24

TRI观点

一.DRAM需求面分析

(一). DRAM应用分析

尽管在DRAM产品的市场应用上仍然是以整体信息相关产品为主。但由于近年来行动电话、游戏机及数字电视等通讯及消费性电子产品需求大幅成长，加上最近大量多媒体产品的问世，而这些产品都需要DRAM芯片将数据迅速地转换成声音和图像。这些需求未来都将逐渐发酵。

(二). Vista对个人用户的影响将于2007年中起飞，但企业用户预计在2008年爆发

由于64位架构的Vista基本需要1GB以上是现在主流512MB的两倍，预期将带来庞大升级或换机需求。但由于Vista 上市时间预定在2007年1月，而上市初期还需要一段时间推广发酵。加上有许多硬件要求时间点是在2007年6月，也就是说要过了2007年年中以后Vista产品才算完整也才能真正吸引大众转换到新的操作系统。至于，占个人计算机销售大宗的企业用户，则由于信息安全的考虑，在新操作系统上线之初往往必须经过很长一段时间验证。等到确认其稳定性后，才有可能大幅度转换到新操作系统。因此，预估企业用户市场需等到2008年以后，Vista上市一段时间后才有可能大幅采用。

二.DRAM供给面分析

(一)DRAM生产逐渐转向12吋晶圆厂

DRAM属于高度标准化的产品，生产成本最终将主宰一切。12吋晶圆产能是8吋晶圆的2.25倍，由于12吋晶圆厂生产成本低于8吋晶圆厂生产成本20%~30%。加上生产制程不断内缩下，今年生产是90nm技术为主，但预计明年将推进到70nm。但是旧的8吋晶圆厂在现有机台精细度无法提升到奈米制程。所以目前DRAM生产逐步由8吋晶圆厂转向12吋晶圆厂(图一) 。预计到今年年底DRAM在8吋晶圆厂产能只剩下45%，到明年年底将只剩下15%产能来自8吋晶圆厂。未来这些8吋晶圆厂大多转型改生产NAND Flash芯片或是特殊型DRAM，也有部分厂商将转成晶圆代工用。

(二).NAND Flash需求旺盛造成产能排挤效应

在这个多媒体时代，以苹果的iPod为代表的MP3播放机、数字相机、摄像机、游戏机、手机等这些产品都需求大量的数据去提供高质量的娱乐服务，而NAND Flash芯片正好提供这些数据的存储。加上DRAM和NAND Flash芯片在制程技术有九成以上共通性。所以一些同时拥有DRAM和NAND Flash芯片制程技术的内存芯片厂商（如：Samsung、 Hynix和 Micron等）便将它们的部分DRAM生产线转为生产NAND Flash芯片。二年前，NAND Flash芯片市场是由三星和东芝控制的，如今，Hynix、Micron也成为了NAND Flash芯片市场上的主要厂商。
三.结论

根据上述种种供给与需求变化，TRI分析发现在2006年和2007年DRAM的供需变化都是上半年微幅供过于求，而下半年微幅供不应求。但情况皆不严重，供给与需求比率维持在1.071%~0.983%之间（图三）。对于明年DRAM的供需情形，TRI仍然保持乐观看法。