来源:http://www.hqew.com/info/newshtm/2005122991241424477.htm
经过4个多月的连续跌价之后,在近日DRAM行情逐渐出现转机的情况下,市场上关于DRAM的说法也逐渐多起来。特别是DDR2市场,目前市场上已经出现供应紧张的情况,经销商称,在12月份的需求持续升温的情况下,明年1月份,至少是1月上旬,DDR2供应情况是绝对吃紧的。
Archive - 十二月 2005
December 30th
DRAM明年1月供应可能吃紧
December 29th
就“三星向索尼大量提供闪存”报道,当事双方发表评论
来源:http://china.nikkeibp.co.jp/china/news/semi/semi200512290102.html
【日经BP社报道】就12月27日日本国内部分媒体报道“韩国三星电子正在和索尼进行协商,准备向索尼便携音乐播放器大量提供NAND型闪存”一事,三星与索尼发表了评论。
December 28th
力晶明年第一季度量产4GbNandFlash
来源:http://it.com.cn/f/diy/0512/28/216542.htm
台系半导体厂商力晶为日本瑞萨科技(Renesas)代工的Nand Flash最近良品率显著提升。据业界推测,力晶计划提前于明年第一季量产4Gb Nand Flash,但力晶对于量产4Gb Nand Flash计划,并不明确表态。力晶在台湾省内的DRAM厂中,对Nand Flash布局最为积极主动,只是之前合作伙伴瑞萨尚未退出该业务范围,因此技术支持方面并不彻底,良品率一直无法有效提升。据力晶之前对外公布的数据,每月Nand Flash只投产5,000片,规模不大。
December 27th
索尼闪存需求超苹果 三星将向其提供对口生产
来源:http://www.enet.com.cn/article/2005/1227/A20051227486891.shtml
【eNet硅谷动力消息】当地时间本周一,韩国三星电子公司表示,为了满足闪存芯片的强劲需求,它向日本电子巨头索尼公司出售它的NAND 闪存芯片的交易正在讨论中,消息也经传出,三星电子公司的股票上涨到创记录的高度。投资者预期三星电子公司这些销售合同将使它拥有的闪存芯片将超过全球NAND闪存芯片市场的一半。
December 26th
12月DRAM价格持平,预计06'开年DDR及DDR2不同幅度上涨
来源:http://www.esmchina.com/ART_8800065792_617671.HTM
内存市调机构DRAMeXchange日前指出,受到现货价上涨的鼓舞及持续强劲的客户需求,12月下旬DRAM厂商试图小幅调涨DRAM价格,而截至12月22日, 大部份仍以持平价格成交;包括德国及一家台湾地区在内的少数厂商仍坚持调涨,因此,与美国大厂的价格谈判将延长至圣诞节前夕。
December 24th
降低成本提高效率 本财季美光科技利润可观
来源:http://www.enet.com.cn/article/2005/1224/A20051224486292.shtml
美国美光科技公司日前宣布了公司于今年12月1日结束的2006财年第一财季财务报告,本财季公司利润达到6300万美元,在公司的7.07亿股份中,每股冲淡0.09美元。公司的销售收入达到13.6亿美元。
December 23rd
韩国厂商向NAND闪存转产 DRAM价格停止下滑
来源:http://china.nikkeibp.co.jp/china/news/semi/semi200512230109.html
由于IMM价格已经下滑到了DRAM厂商赢利最低限,因此韩国三星电子与韩国海力士半导体两大DRAM厂商已将生产线从DRAM闪存向NAND闪存大规模转产。结果,从12月中旬开始,DRAM价格逐渐停止下滑。不过,韩国厂商很有可能不会再从NAND向DRAM返产,看来各大PC厂商今后要忙着采购DRAM闪存了。
December 21st
茂德中科厂产能进度赶上DDRⅡ需求 OEM计算机大厂加码采购 DDRⅡ市场增温
来源:http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=D64E78441BD206C4482570DD004384CE
过去数月来全球DRAM厂深受DDRII价格暴跌所苦,因此一些DRAM厂不得不将产能陆续回转DDR,或持续增加NAND型闪存(Flash)投片数量。然近来OEM计算机大厂及部份现货市场盘商较为积极补进DDRII颗粒,茂德(5387)原本DDRII量产进度上较几家DRAM厂落后,现在进度刚好赶上,可说是因祸得福。
December 20th
台晶圆代工、DRAM厂明年投资不同调 春江水暖设备厂先知 看好晶圆代工投资成长 DRAM厂则逆势减码
来源:http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=8FE538B06270C516482570DC0049128D
截至目前包括晶圆双雄台积电(2330)、联电(2303),以及台系DRAM厂力晶(5346)、茂德(5387)、南亚科(2408)等,对于2006年资本支出增减情况皆尚未正式对外披露,尽管多数业者均表达看好2006年景气,然各厂资本支出计画仍是市场观察2006年景气重要指针。近期多家半导体设备厂不约而同表示,2006年晶圆代工厂增加资本支出动作应会较DRAM厂来得大,甚至台系DRAM厂很可能逆势减码。
December 19th
DRAM厂交货不顺 客户追价补库存 本周DRAM报价及买气可望续佳
来源:http://www.digitimes.com.tw/n/article.asp?id=249A5F7A6BD8E394482570D900466EBB
DRAM厂指出,全球DRAM现货价自2005年第三季(3Q)中下旬以来,价格可以说一路走跌,因此所有下游客户端对于库存管理更是采取保守态度,几乎保持零库存状态,不过近日起由于部份欧美客户为了因应圣诞节前后买气需求,开始向DRAM厂补货,但DRAM厂手上货源也因后端封测厂产能持续吃紧,导致手上已无多余库存货源可卖给客户,造成单周以来DRAM现货价暴涨逾10%以上,所有DRAM盘商均被迫追高补货,DRAM厂态度更显得相当坚持。

