Archive - 十一月 2005

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电脑DRAM内存的价格不断走低，而手机DRAM内存的需求却在急剧增长。这是因为GSM手机开始越来越多采用的DRAM内存。GSM手机的销量2005年将达到5亿部，在手机总销量中处于绝对优势。

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闪存Nand Flash近期有取代DRAM成为下一波明星产品态势。由于DRAM价格受到DDRII库存而拖累，Nand Flash却因苹果新产品iPod Nano而大放异彩，市场缺货声四起，夺去不少DRAM的光环。

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全球NAND型闪存（Flash）产业竞争愈来愈激烈，程度与过去标准型DRAM相较有过之而无不及。目前虽还陆续有厂商加入竞争者行列，但已有NAND型Flash大厂开始选择退出。日系大厂瑞萨（Renesas）已确定全面退出NAND型Flash市场，不过未来2年内还是可以在市场上看到瑞萨的产品，但最高容量将仅到4GB规格。至于后续瑞萨所属的Flash部门如何切割出去，市场分析师认为，其目前的策略代工合作伙伴相当有机会接手，但还需要再进一步观察。

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封装测试厂及IC基板厂产能吃紧，在原本就该是旺季的第四季来说，本来就不是什么新鲜事，但是近期却不时传出，有国际整合组件制造厂（IDM）、DRAM厂、IC设计公司等，希望能先与封测厂或基板厂签下长约，确保明年后段产能不再成为出货瓶颈，这个现象过去较少发生，分析其中主因，与封测厂资本支出规划愈来愈保守有直接关系。

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据封测业者指出，韩国DRAM大厂Hynix的DDR2委外测试订单，预料将于2006年第一季正式释出，并由我国力成、泰林、联测等3家业者均分，估计第一季每家封测厂平均每月接单量约200万颗左右，但随着Hynix提高DDR2产能比重之后，预计2006年第三季之后每家封测厂平均每月接单量可达千万颗以上。

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日前传出三星电子（Samsung Electronics）即将为手机芯片大厂高通（Qualcomm）代工生产芯片的消息，引发外界关注，而答案终于揭晓，根据华尔街日报（WSJ）报导，高通和三星日前达成合作伙伴关系，根据双方协议内容，三星未来将提供先进CMOS制程技术和制造服务予高通，双方并且拟以三星90奈米制程为基础，合作发展生产系统单芯片（SOC）产品，对于积极抢进晶圆代工市场的三星而言，此次获得全球CDMA芯片大厂加持，可谓为一大跃进。

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中国著名硅代工厂商中芯国际（SMIC）将在2006年以后涉足过去从未做过的NAND型闪存的生产。据悉目前已经使用90nm工艺生产测试芯片。赴日参加日本用户座谈会等活动的该公司总裁兼首席执行官张汝京，于11月21日在东京举行的记者招待会上宣布了上述消息。

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一年一度的耶诞假期采购旺季脚步越来越近，终端市场对NAND型闪存（Flash）相关产品如MP3播放机、USB随身碟等消费性电子产品需求持续强劲，美国零售通路市场如Wal-Mart、Target等目前铺货情况十分顺利，在需求的驱动下，NAND型Flash芯片缺货问题持续发烧，加上三星电子（Samsung Electronics）供货对象以OEM客户为优先，供给端也呈现吃紧，整体NAND型Flash市场仍呈现供不应求状态，台湾模块厂也明显感受到NAND型Flash产品订单畅旺的情况。

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美国英特尔日前宣布已经开始量产面向手机的512MB NOR型闪存“M18”（图1）。采用90nm工艺半导制造工艺生产。1个存储单元可保存2位信息。该公司从2003年以后开始量产采用130nm工艺的多值NOR型闪存，此次量产的是继其之后的新一代产品。另外，该公司还计划在2006年下半年～2007年开始采用65nm工艺半导体技术量产1GB产品。

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据朝鲜日报报导，日厂东芝（Toshiba）已支付三星电子（Samsung Electronics）One NAND型Flash的相关专利权金，并计划于2006年起开始投产。